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일단에 인렛(inlet)부를 구비함과 동시에 타단에 아웃렛(outlet)부를 구비하고, 상기 인렛부를 통해 공급되는 처리대상소재 및 처리가스가 유전체를 관통하는 다수 개의 직선형 홀을 통과하면서 플라즈마 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 전기적 및 물리적 특성이 변환된 물질이 반출되는 반응기와; 상기 인렛부를 통해 상기 반응기의 내부로 특정 처리대상소재를 공급하는 소재 공급부;상기 인렛부를 통해 상기 반응기의 내부로 특정 처리가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 반응기의 내부에 일정한 전원을 인가하여, 상기 인렛부로부터 아웃렛부 측까지 연장된 처리 채널을 따라 이동하는 처리대상소재 및 처리가스가 플라즈마 반응을 발생시키도록 하는 전원 공급부;상기 전원 공급부의 양단에 각각 연결된 양극 및 음극이 상기 유전체의 외부 표면에 메탈 프린팅되고, 상기 직선형 홀 내에서 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 일정 주기의 고전압을 공급하는 제1 및 제2 전극부; 및 상기 제1 및 제2 전극부를 통하여 공급된 고전압에 의하여 발생된 플라즈마 방전에 의하여 특정 처리대상소재가 플라즈마 처리됨에 따라 특정 전기적 및 물리적 특성으로 변환되어 상기 아웃렛부를 통해 반출되는 처리 물질을 수취하는 수취부;를 포함하고, 상기 처리 채널은 상기 직선형 홀과, 직선형 홀 사이를 연결하는 구부러진 연결관으로 형성된, 플라즈마 처리장치
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일단에 인렛(inlet)부를 구비함과 동시에 타단에 아웃렛(outlet)부를 구비하고, 상기 인렛부를 통해 공급되는 처리대상소재 및 처리가스가 유전체를 관통하는 다수 개의 직선형 홀을 통과하면서 플라즈마 처리되어 상기 아웃렛부를 통해 전기적 및 물리적 특성이 변환된 물질이 반출되는 반응기와; 상기 인렛부를 통해 상기 반응기의 내부로 특정 처리대상소재를 공급하는 소재 공급부;상기 인렛부를 통해 상기 반응기의 내부로 특정 처리가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 반응기의 내부에 일정한 전원을 인가하여, 상기 인렛부로부터 아웃렛부 측까지 연장된 처리 채널을 따라 이동하는 처리대상소재 및 처리가스가 플라즈마 반응을 발생시키도록 하는 전원 공급부;상기 전원 공급부의 양단에 각각 연결된 양극 및 음극이 상기 유전체의 외부 표면에 메탈 프린팅되고, 상기 직선형 홀 내에서 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 일정 주기의 고전압을 공급하는 제1 및 제2 전극부; 및 상기 제1 및 제2 전극부를 통하여 공급된 고전압에 의하여 발생된 플라즈마 방전에 의하여 특정 처리대상소재가 플라즈마 처리됨에 따라 특정 전기적 및 물리적 특성으로 변환되어 상기 아웃렛부를 통해 반출되는 처리 물질을 수취하는 수취부;를 포함하고, 상기 처리 채널은 상기 직선형 홀과, 상기 직선형 홀 사이를 연결하는 구부러진 연결관으로 형성되고, 상기 유전체는 복수 개이고 복수 개의 유전체의 직선형 홀 사이에는 구부러진 연결관으로 연결된, 플라즈마 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유전체의 재질은 석영 또는 세라믹인, 플라즈마 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 직선형 홀 사이의 간격, 상기 직선형 홀의 길이, 상기 양극 및 상기 음극의 크기나 형태, 또는 상기 양극 및 상기 음극이 위치하는 부위 중에서 적어도 하나의 변화에 따라 상기 플라즈마 방전이 발생하는 영역의 밀도가 조절되는, 플라즈마 처리장치
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 양극과 상기 음극으로 형성된 전극은 평판형 전극인, 플라즈마 처리장치
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6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소재 공급부는, 상기 인렛부를 통해 상기 반응기에 공급되는 처리대상소재의 재질, 물성, 전기적 및 물리적 특성의 변환 정도에 따라 그 공급량을 조절하는 공급량 조절기를 더 포함하는, 플라즈마 처리장치
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7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 처리가스가 상기 반응기의 내부로 주입되도록 주입력을 발생하는 주입 콤프레셔를 더 포함하는, 플라즈마 처리장치
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8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리대상소재의 전기적 및 물리적 특성 변환을 위해, 상기 가스 공급부의 주입력 조절, 상기 가스 공급부에 의한 처리가스의 공급량 조절, 또는 상기 반응기의 배치 경사도 조절 중에서 어느 하나가 이루어지는, 플라즈마 처리장치
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9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리대상소재는 상기 반응기에서 발생되는 플라즈마 방전 처리를 통해 전기적 및 물리적 특성의 변환이 가능한 소재이고, 상기 소재는 나노 소재, 비 나노 소재, 또는 고분자 소재 중에서 적어도 하나의 소재인, 플라즈마 처리장치
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10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리가스는, 불활성 기체, 상기 불활성 기체끼리의 혼합물, 또는 상기 불활성 기체와 활성 기체의 혼합물 중에서 적어도 하나인, 플라즈마 처리장치
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