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원료 소재 파우더를 이송하는 피더(110)를 포함하는 원료공급부(120); 유도코일(130)을 가지며 그 유도코일(130)에 RF 주파수 전원을 인가하여 하우징(140) 내부에 유도열을 발생시켜 플라즈마를 생성하는 플라즈마 토치(200) 및 반응기(300); 상기 원료공급부(120)로부터 이송되는 파우더 입자를 고온 플라즈마 온도 분포 영역에 맞추어 분사하는 적어도 두 개 또는 그 이상으로 플라즈마 토치(200)에 정렬된 멀티 인젝터(210a)(210b)들; 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)들을 지지하는 지지블럭(400); 및 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)의 위치를 조정하는 제1 조정수단(410);을 포함하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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원료 소재 파우더를 이송하는 피더(110)를 포함하는 원료공급부(120); 유도코일(130)을 가지며 그 유도코일(130)에 RF 주파수 전원을 인가하여 하우징(140) 내부에 유도열을 발생시켜 플라즈마를 생성하는 플라즈마 토치(200) 및 반응기(300); 상기 원료공급부(120)로부터 이송되는 파우더 입자를 고온 플라즈마 온도 분포 영역에 맞추어 분사하는 적어도 두 개 또는 그 이상으로 플라즈마 토치(200)에 정렬된 멀티 인젝터(210a)(210b)들; 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)들을 지지하는 지지블럭(400); 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)의 위치를 조정하는 제1 조정수단(410); 및 상기 지지블럭(400)에 포함되거나 또는 지지블럭(400)과 별개로 독립적으로 자리 잡아 개개의 인젝터들의 높이를 조정하는 제2 조정수단(420);을 더 포함하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 하우징(140)의 중심에서 어긋난 곳에 위치하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 플라즈마 토치(200)의 하우징(140) 중심을 기준으로 양 방향에 대칭적인 한 쌍으로 위치하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 토치(200)의 하우징(140)에 설치되는 멀티 인젝터(210a)(210b)의 종단 팁 길이가 같은 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 원형 하우징(140)의 원주상으로 180도 선상에서 마주 보는 위치에 배치된 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 원형 하우징(140)의 원주상으로 120도로 등분된 곳에 위치하는 삼각 배열로 배치된 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 플라즈마 토치(200)의 원형 하우징(140) 원주상으로 90도로 등분된 곳에 위치하는 사각 배열형, 또는 72도로 등분된 곳에 위치하는 오각 배열형 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 플라즈마 토치(200)의 원형 하우징(140)에 형성되는 초고온 플라즈마 영역 범위에 위치하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)의 위치를 조정하는 제1 조정수단(410)은, 상기 지지블럭(400)의 상부에 결합된 이동블럭(430); 상기 이동블럭(430)의 상하 이동을 안내하기 위해 상기 이동블럭(430)을 지지블럭(400)에 결합하는 스크류볼트(440);로 구성된 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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제 2 항에 있어서,상기 제2 조정수단(420)은 제1 조정수단(410)의 상부에서 멀티 인젝터(210a)(210b)들의 높이를 조절하기 위하여 제1 조정수단(410)과는 별개로 제1 조정수단(410)의 이동블럭(430) 상부에 또 다른 이동블럭(450)을 결합하고 그 이동블럭(450)을 제1 조정수단(410)의 이동블럭(430)측과 스크류볼트(460)로 결합하여 멀티 인젝터(210a)(210b)들의 높이를 제1 조정수단(410)과 별개로 조절하는 멀티 인젝션 RF 플라즈마 처리장치
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원료 소재 파우더를 이송하는 피더(110)를 포함하는 원료공급부(120); 유도코일(130)을 가지며 그 유도코일(130)에 RF 주파수 전원을 인가하여 하우징(140) 내부에 유도열을 발생시켜 플라즈마를 생성하는 반응기(300)를 포함하는 RF 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 원료공급부(120)로부터 이송되는 파우더 입자를 하우징(140) 내부 고온 플라즈마 온도 분포 영역에 맞추어 분사하도록 하우징(140)을 따라 배열된 적어도 두 개 또는 그 이상의 멀티 인젝터(210a)(210b)들; 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)를 하우징(140) 내부에 지지하는 지지블럭(400); 및 상기 멀티 인젝터(210a)(210b)들의 높이를 조정하는 조정수단;을 포함하는 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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13
제 12 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 하우징(140)의 중심에서 어긋난 곳에 위치하는 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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제 12 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 플라즈마 토치(200)의 하우징(140) 중심을 기준으로 양 방향에 대칭적인 한 쌍으로 위치하는 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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제 12 항에 있어서,상기 플라즈마 토치(200)의 하우징(140)에 설치되는 멀티 인젝터(210a)(210b)의 종단 팁 길이가 서로 같은 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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제 12 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 원형 하우징(140)의 원주상으로 180도 선상에서 마주 보는 위치에 배치된 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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제 12 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 원형 하우징(140)의 원주상으로 120도로 등분된 곳에 위치하는 삼각 배열이거나 90도로 등분된 곳에 위치하는 사각 배열형, 또는 72도로 등분된 곳에 위치하는 오각 배열형 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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제 12 항에 있어서,상기 멀티 인젝터(210a)(210b)가 플라즈마 토치(200)의 원형 하우징(140)에 형성되는 초고온 플라즈마 영역 범위에 위치하는 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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제 12 항에 있어서,상기 조정수단은, 상기 지지블럭(400)의 상부에 결합된 이동블럭(430), 상기 이동블럭(430)의 상하 이동을 안내하기 위해 상기 이동블럭(430)을 지지블럭(400)에 결합하는 스크류볼트(440)로 멀티 인젝터(210a)(210b)의 위치를 조정하는 제1 조정수단(410); 상기 제1 조정수단(410)과는 별개로 제1 조정수단(410)의 상부에서 멀티 인젝터(210a)(210b)들의 높이를 조절하기 위하여 상기 제1 조정수단(410)과는 별개로 제1 조정수단(410)의 이동블럭(430) 상부에 또 다른 이동블럭(450)을 결합하고 그 이동블럭(450)을 제1 조정수단(410)의 이동블럭(430)측과 스크류볼트(460)로 결합하여 멀티 인젝터(210a)(210b)들의 높이를 제1 조정수단(410)과 별개로 조절하는 제2 조정수단(420);을 포함하는 RF 플라즈마 처리장치의 멀티 인젝션 플라즈마 토치
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