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수직형 VRM을 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015223432
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요약 본 발명은 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자는 전면에 VRM이 형성되며, 내부에 관통전극이 형성된 제 1 소자; 상기 제 1 소자의 수직 상방에 배치되며, 상기 제 1 소자의 전면에 대향하는 면에 활성층이 형성된 제 2 소자; 및 상기 제 1 소자와 제 2 소자 사이에 형성되며, 활성층 및 VRM을 전기적으로 연결하는 범프를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법은 시스템의 마더보드 상에 VRM소자를 위한 별도의 탑재부를 마련할 필요가 없고, 디바이스 소자에 요구되는 정확한 전압을 제공할 수 있으며, 제조가 용이하고 대량생산이 가능하다. 웨이퍼, 기판, VRM, 적층, 관통전극, 범프, 연삭
Int. CL H01L 21/77 (2006.01)
CPC G06F 1/305(2013.01)
출원번호/일자 1020090029578 (2009.04.06)
출원인 재단법인 서울테크노파크
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0111156 (2010.10.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.04.06)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울테크노파크 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은경 미국 서울 중랑구
2 김성걸 대한민국 서울 송파구
3 성재용 대한민국 서울 노원구
4 장동영 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0206664-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0010829-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0118797-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2011-5079528-72
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0424783-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-0069496-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046751-03
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번호 청구항
1 1
전면에 VRM이 형성되며, 내부에 관통전극이 형성된 제 1 소자; 상기 제 1 소자의 수직 상방에 배치되며, 상기 제 1 소자의 전면에 대향하는 면에 활성층이 형성된 제 2 소자; 및 상기 제 1 소자와 제 2 소자 사이에 형성되며, 활성층 및 VRM을 전기적으로 연결하는 범프를 포함하는 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 활성층에는 트랜지스터, 커패시터 또는 램이 마련된 것을 특징으로 하는 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 제 1 소자의 두께는 70㎛ 내지 100㎛이고, 제 2 소자의 두께는 30㎛ 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 소자는 전면에 형성된 디커플링 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자
5 5
전면에 VRM이 형성되고, 내부에 관통전극이 형성된 제 1 웨이퍼 및 전면에 활성층이 형성된 제 2 웨이퍼를 준비하고, 제 1 웨이퍼 상에 범프를 형성하는 단계; 상기 제 2 웨이퍼의 전면이 제 1 웨이퍼의 전면과 대응되도록 제 2 웨이퍼를 적층하는 단계; 상기 제 2 웨이퍼의 후면을 그라인딩하여, 제 2 웨이퍼의 두께가 30㎛ 내지 50㎛되도록 연삭하는 단계; 및 상기 제 1 웨이퍼의 후면을 그라인딩하여, 제 1 웨이퍼의 두께가 70㎛ 내지 100㎛되도록 연삭하는 단계 (d)를 포함하는 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 활성층에는 트랜지스터, 커패시터 또는 램이 마련된 것을 특징으로 하는 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
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