요약 | 본 발명은 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자는 전면에 VRM이 형성되며, 내부에 관통전극이 형성된 제 1 소자; 상기 제 1 소자의 수직 상방에 배치되며, 상기 제 1 소자의 전면에 대향하는 면에 활성층이 형성된 제 2 소자; 및 상기 제 1 소자와 제 2 소자 사이에 형성되며, 활성층 및 VRM을 전기적으로 연결하는 범프를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 수직형 VRM을 구비한 반도체 소자 및 그 제조방법은 시스템의 마더보드 상에 VRM소자를 위한 별도의 탑재부를 마련할 필요가 없고, 디바이스 소자에 요구되는 정확한 전압을 제공할 수 있으며, 제조가 용이하고 대량생산이 가능하다. 웨이퍼, 기판, VRM, 적층, 관통전극, 범프, 연삭 |
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Int. CL | H01L 21/77 (2006.01) |
CPC | G06F 1/305(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090029578 (2009.04.06) |
출원인 | 재단법인 서울테크노파크 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2010-0111156 (2010.10.14) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 거절 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.04.06) |
심사청구항수 | 6 |