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페로브스카이트 제조용 전구체 및 그의 제조 방법, 그리고 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법(PRECURSOR FOR PREPARING PEROVSKITE AND PREPARING METHOD OF THE SAME, AND PEROVSKITE SOLAR CELL AND PREPARING METHOD OF THE CELL)

  • 기술번호 : KST2015225525
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 페로브스카이트 제조용 전구체 및 그의 제조 방법, 상기 페로브스카이트 제조용 전구체를 이용하여 제조된 페로브스카이트를 포함하는 태양전지, 및 상기 태양전지의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C01F 11/20 (2006.01) C01G 23/02 (2006.01) H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01) C07F 7/24(2013.01)
출원번호/일자 1020150059631 (2015.04.28)
출원인 성균관대학교산학협력단, 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0124412 (2015.11.05) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140051077   |   2014.04.28
대한민국  |   1020140086580   |   2014.07.10
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.28)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박남규 대한민국 서울특별시 양천구
2 이진욱 대한민국 경상북도 영양군
3 설동진 대한민국 서울특별시 노원구
4 조안나 대한민국 경기도 군포시 용호*로**번길 **, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0413524-09
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0893934-10
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0148126-60
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0148137-62
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0442803-27
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번호 청구항
1 1
포름아미딘(formamidine)·HX(여기서 X는 할라이드임)와 금속 알콕사이드를 반응시켜 포름아미딘을 수득하고;상기 수득된 포름아미딘을 HX(여기서 X는 할라이드임)와 반응시켜 포름아미디늄 할라이드를 수득하는 것을 포함하는, 페로브스카이트 제조용 전구체의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 HX는 HI, HCl, HBr, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 제조용 전구체의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 포름아미디늄 할라이드는 포름아미디늄 이오다이드(formamidinium iodide), 포름아미디늄 클로라이드(formamidinium chloride), 포름아미디늄 브로마이드(formamidinium bromide), 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 제조용 전구체의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 금속 알콕사이드는 알칼리 금속 알콕사이드를 포함하는 것인, 페로브스카이트 제조용 전구체의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 금속 알콕사이드는 소듐 에톡사이드를 포함하는 것인, 페로브스카이트 제조용 전구체의 제조 방법
6 6
삭제
7 7
전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극;상기 제 1 전극에 형성된 재결합 방지층;상기 재결합 방지층에 형성된 광활성층;상기 광활성층에 형성된 정공 전달층; 및,상기 정공 전달층에 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 광활성층은, 하기 화학식 1로서 표시되는 페로브스카이트를 포함하는 페로브스카이트 층을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지로서:[화학식 1] RMX3상기 화학식 1 중,R은 CnH2n+1NH3+(n은 1 내지 9의 정수임), NH4+, HC(NH2)2+, CS+, NF4+, NCl4+, PF4+, PCl4+, CH3PH3+, CH3ASH3+, CH3SbH3+, PH4+, ASH4+, SbH4+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 양이온을 포함하고, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고, X는 할로겐 음이온임;상기 광활성층은 반도체층을 추가 포함하는 것이고,상기 광활성층에 포함된 상기 페로브스카이트 층은, MX2(여기서, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고, X는 할로겐 음이온임)와 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 포름아미디늄 할라이드(formamidinium halide)를 포함하는 페로브스카이트 제조용 전구체와 반응시켜 형성된 상기 화학식 1의 페로브스카이트를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
8 8
삭제
9 9
제 7 항에 있어서,상기 화학식 1의 페로브스카이트는 HC(NH2)2MX3를 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
10 10
삭제
11 11
제 7 항에 있어서,상기 반도체층은 20 nm 내지 500 nm의 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
12 12
제 7 항에 있어서,상기 반도체층은 유기 반도체, 무기 반도체, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
13 13
제 7 항에 있어서,상기 반도체층은 1 ㎛ 이하의 두께를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지
14 14
제 7 항에 있어서,상기 정공 전달층은 단분자 정공 전달 물질 또는 고분자 정공 전달 물질을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지
15 15
전도성 투명 기재를 포함하는 제 1 전극에 재결합 방지층을 형성하고;상기 재결합 방지층에 하기 화학식 1로서 표시되는 페로브스카이트 층을 형성하여 페로브스카이트 층을 포함하는 광활성층을 형성하고;상기 광활성층에 정공 전달층을 형성하고; 및,상기 정공 전달층에 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법으로서:[화학식 1] RMX3상기 화학식 1 중,R은 CnH2n+1NH3+(n은 1 내지 9의 정수임), NH4+, HC(NH2)2+, CS+, NF4+, NCl4+, PF4+, PCl4+, CH3PH3+, CH3ASH3+, CH3SbH3+, PH4+, ASH4+, SbH4+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가의 양이온을 포함하며, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고, X는 할로겐 음이온임;상기 광활성층은 반도체층을 추가 포함하는 것이고,상기 광활성층을 형성하는 것은, MX2(여기서, M은 Pb2+, Sn2+, Ge2+, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 2가의 금속 양이온이고, X는 할로겐 음이온임)와 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 포름아미디늄 할라이드(formamidinium halide)를 포함하는 페로브스카이트 제조용 전구체와 반응시켜 형성된 상기 화학식 1의 페로브스카이트를 포함하는 페로브스카이트의 층을 형성하는 것을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
제 15 항에 있어서,상기 반도체층은 20 nm 내지 500 nm의 기공을 포함하는 다공성 구조를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
19 19
제 15 항에 있어서,상기 반도체층은 유기 반도체, 무기 반도체, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
20 20
제 15 항에 있어서,상기 반도체층은 금속 산화물 반도체 나노입자의 페이스트를 코팅하여 형성되는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
21 21
제 15 항에 있어서,상기 반도체층은 1 ㎛ 이하의 두께를 가지는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
22 22
제 15 항에 있어서,상기 광활성층을 형성한 후, 100℃ 내지 170℃에서 어닐링하는 것을 추가 포함하는 것인, 페로브스카이트 태양전지의 제조 방법
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1 EP03135633 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 WO2015167228 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 EP3135633 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
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1 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 중견연구자 지원사업 (도약연구:도전) 2단계 1/2 (4/5) 유무기 염료 선택 배열 판크로마틱 태양전지 개발
2 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 글로벌 프론티어 연구개발사업 (멀티스케일 에너지 시스템 연구) 전하수집제어 및 극대화 기술