맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법 및 그에 의하여 형성되는 범프(METHOD OF PRODUCING BUMPS FROM COATED METAL POWDERS AND BUMPS PRODUCED BY THE SAME)

  • 기술번호 : KST2015225790
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 적층 패키지를 제조할 때 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법 및 그에 의하여 형성되는 범프에 관한 것으로 미세한 도전성 금속 분말의 표면에 또 다른 도전성 금속으로 형성된 금속코팅층을 형성하는 코팅단계; 상기 코팅단계에서 형성된 코팅된 금속 분말을 제1 반도체의 상부에 도포하는 도포단계; 상기 코팅된 금속 분말이 상기 제1 반도체 상에서 전자기장을 이용하여 정렬되는 정렬단계; 및 상기 코팅된 금속 분말 및 상기 제1 반도체에 열을 가하여 상기 코팅된 금속 분말을 범프로 성형하는 열처리단계;를 포함한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01)
CPC H01L 23/48(2013.01)
출원번호/일자 1020140056787 (2014.05.12)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1586401-0000 (2016.01.12)
공개번호/일자 10-2015-0129968 (2015.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.12)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고용호 대한민국 인천광역시 연수구
2 이창우 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 방정환 대한민국 인천광역시 연수구
4 김상우 대한민국 인천광역시 남구
5 유세훈 대한민국 인천광역시 연수구
6 김준기 대한민국 경기도 군포시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
3 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0445227-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0019176-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0462141-00
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0881692-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0881720-40
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0021959-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 적층 패키지를 제조할 때 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법에 있어서,도전성 금속 분말의 표면에 또 다른 도전성 금속으로 형성된 금속코팅층을 형성하는 코팅단계;상기 코팅단계에서 형성된 코팅된 금속 분말과 범프가 형성되는 제1 반도체 상의 범프 패드에 전자기적 처리를 하는 전처리단계;상기 코팅된 금속 분말을 상기 제1 반도체의 상부에 도포하는 도포단계;상기 코팅된 금속 분말이 상기 제1 반도체 상에서 전자기장을 이용하여 상기 범프 패드에 결합하며 자가 정렬되는 정렬단계; 및상기 코팅된 금속 분말 및 상기 제1 반도체에 열을 가하여 상기 코팅된 금속 분말을 범프로 성형하는 열처리단계;를 포함하되,상기 전처리단계에서 상기 코팅된 금속 분말 및 상기 범프 패드는 서로 다른 전하를 띄도록 처리되는 것을 특징으로 하는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전처리단계는,상기 금속코팅층에 음전하를 입히는 과정을 포함하고, 상기 제1 반도체 상부의 범프 패드가 양극을 띄도록 처리하는 과정을 포함하는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 전처리단계는,상기 제1 반도체 상부의 범프가 형성되는 위치에 자성플럭스를 도포하는 과정을 포함하는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 금속코팅층은,자성을 가지는 금속으로 형성되는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전처리단계는,상기 제1 반도체의 상부에 형성되는 범프의 사이를 상호 차단하는 차단틀을 상기 제1 반도체의 상부에 위치시키는 과정을 포함하는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 코팅단계는,무전해방식을 이용하여 상기 금속 분말의 표면에 상기 금속코팅층을 형성하는 과정을 포함하는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 코팅단계는,볼 밀링 방식을 이용하여 상기 금속 분말의 표면에 상기 금속코팅층을 형성하는 과정을 포함하는 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서의 금속분말 코팅을 활용한 범프 형성 방법으로 형성되는 범프로서,적층되는 제1 반도체 및 제2 반도체의 사이에 형성되며, 상기 제1 반도체와 상기 제2 반도체가 상호 전기적으로 접속할 수 있도록 마련되는 돌기인 범프
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.