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제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 및 제2 전극 사이에 구비된 광활성층(photoactive layer); 및 상기 제2 전극의 일면에 구비된 강유전층(ferroelectric layer);을 포함하는 광전자소자(optoelectronic device)
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제 1 항에 있어서, 기판 상에 상기 제1 전극, 상기 광활성층, 상기 제2 전극 및 상기 강유전층이 순차로 구비된 광전자소자
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3
제 1 항에 있어서, 기판 상에 상기 강유전층, 상기 제2 전극, 상기 광활성층 및 상기 제1 전극이 순차로 구비된 광전자소자
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4
제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극 중 적어도 하나는 그래핀을 포함하고, 상기 광활성층은 이차원 반도체를 포함하는 광전자소자
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제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 강유전층은 강유전성 폴리머를 포함하는 광전자소자
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제 1 항에 있어서, 상기 강유전층은 상기 제2 전극에 인접한 면에 양(+)의 분극 또는 음(-)의 분극을 갖고, 상기 강유전층은 상기 제2 전극과 상기 광활성층 사이의 에너지 베리어(energy barrier)의 높이를 조절하도록 구성된 광전자소자
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7
제 1 항에 있어서, 상기 광전자소자는 광검출기(photodetector) 또는 광전소자(photovoltaic device)인 광전자소자
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제 7 항에 있어서, 상기 광검출기는 자가발전형(self-powered) 광검출기인 광전자소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제2 전극과 이격된 제3 전극을 더 포함하고, 상기 강유전층은 상기 제2 및 제3 전극 사이에 구비된 광전자소자
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10
제 9 항에 있어서, 기판 상에 상기 제1 전극, 상기 광활성층, 상기 제2 전극, 상기 강유전층 및 상기 제3 전극이 순차로 구비된 광전자소자
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11
제 9 항에 있어서, 기판 상에 상기 제3 전극, 상기 강유전층, 상기 제2 전극, 상기 광활성층 및 상기 제1 전극이 순차로 구비된 광전자소자
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12
제 9 항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 전극 중 적어도 하나는 그래핀을 포함하고, 상기 광활성층은 이차원 반도체를 포함하는 광전자소자
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13
제 9 항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 강유전층 사이에 구비된 확산방지층을 더 포함하는 광전자소자
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제 13 항에 있어서, 상기 확산방지층은 이차원 절연층을 포함하고, 상기 확산방지층은 5 nm 이하의 두께를 갖는 광전자소자
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15
제 9 항에 있어서, 상기 제2 전극, 상기 강유전층 및 상기 제3 전극은 압전 나노발전기(piezoelectric nanogenerator)를 구성하고, 상기 압전 나노발전기(piezoelectric nanogenerator)는 진동에 의해 전기를 발생하도록 구성된 광전자소자
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제 9 항 또는 제 15 항에 있어서, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극에 연결된 전기저장장치를 더 포함하는 광전자소자
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17
광활성층을 포함하는 광전자요소(optoelectronic element); 상기 광전자요소와 연결된 것으로, 강유전체를 포함하는 나노발전기(nanogenerator); 및 상기 광전자요소 및 상기 나노발전기에 연결된 전기저장장치;를 포함하는 광전자장치(optoelectronic apparatus)
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18
제 17 항에 있어서, 상기 광전자장치는 제1 그래핀층, 제2 그래핀층 및 제3 그래핀층을 포함하고, 상기 제1 그래핀층과 제2 그래핀층 사이에 상기 광활성층을 포함하며, 상기 제2 그래핀층과 제3 그래핀층 사이에 상기 강유전체를 포함하는 광전자장치
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19
제 18 항에 있어서, 상기 광전자장치는 상기 제2 그래핀층과 상기 강유전체 사이에 구비된 확산방지층을 더 포함하는 광전자장치
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20
제 17 내지 19 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광활성층은 이차원 반도체를 포함하는 광전자장치
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