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트리메틸아민 가스에 대한 감도특성이 우수한 트리메틸아민 가스센서로서,히터, 온도센서, 전극을 포함하며, 트리메틸아민 가스에 반응하는 감지막이 형성되되, 상기 감지막은 ZnO 를 주 물질로하여 촉매제로 Al2O3, TiO2 및 V2O5 가 첨가되는 것이고, 작동온도가 300℃ 이며,상기 ZnO 는 94
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트리메틸아민 가스에 대한 감도특성이 우수한 트리메틸아민 가스센서로서,히터, 온도센서, 전극을 포함하며, 트리메틸아민 가스에 반응하는 감지막이 형성되되, 상기 감지막은 ZnO 를 주 물질로하여 촉매제로 Al2O3, TiO2 및 In2O3가 첨가되는 것이고, 작동온도가 300℃ 이며,상기 ZnO 는 94 wt% 이고, Al2O3 는 4 wt% 이고, TiO2 는 1 wt% 이고, In2O3 는 1 wt% 인 것을 특징으로 하는 트리메틸아민 가스센서
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제 2 항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 트리메틸아민 가스센서는,실리콘 기판;상기 실리콘 기판 상면에 형성되는 Si3N4/SiO2/Si3N4 로 이루어지는 다이아프램층;상기 다이아프램층 위에 마련되는 온도센서;상기 온도센서를 덮으면서 상기 다이아프램층에 결합되는 제1절연층;상기 제1절연층 위에 마련되는 히터;상기 히터를 덮으면서 상기 제1절연층과 결합되는 제2절연층;상기 제2절연층 위에 마련되는 감지막;상기 감지막 위에 마련되는 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 트리메틸아민 가스센서
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트리메틸아민 가스센서의 제조방법으로서,실리콘 기판에 Si3N4/SiO2/Si3N4 다이아프램층을 형성시키는 제1단계;상기 다이아프램층 위에 Pt 온도센서를 형성시키는 제2단계;상기 Pt 온도센서를 덮으면서 상기 다이아프램층과 결합되는 제1절연층을 형성시키는 제3단계;상기 제1절연층 위에 Pt 히터를 형성시키는 제4단계;상기 Pt 히터를 덮으면서 상기 제1절연층과 결합되는 제2절연층을 형성시키는 제5단계;상기 제2절연층 위에 감지막을 형성시키되, 상기 감지막은 ZnO 를 주 물질로하여 촉매제로 Al2O3, TiO2 및 V2O5 가 첨가되되 상기 ZnO 는 94
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트리메틸아민 가스센서의 제조방법으로서,실리콘 기판에 Si3N4/SiO2/Si3N4 다이아프램층을 형성시키는 제1단계;상기 다이아프램층 위에 Pt 온도센서를 형성시키는 제2단계;상기 Pt 온도센서를 덮으면서 상기 다이아프램층과 결합되는 제1절연층을 형성시키는 제3단계;상기 제1절연층 위에 Pt 히터를 형성시키는 제4단계;상기 Pt 히터를 덮으면서 상기 제1절연층과 결합되는 제2절연층을 형성시키는 제5단계;상기 제2절연층 위에 감지막을 형성시키되, 상기 감지막은 ZnO 를 주 물질로하여 촉매제로 Al2O3, TiO2 및 In2O3가 첨가되되 상기 ZnO 는 94 wt% 이고, Al2O3 는 4 wt% 이고, TiO2 는 1 wt% 이고, In2O3 는 1 wt% 이며, 산소분위기에서 RF 마그네트론 스펏트링 방법으로 성장시키도록 하는 제6단계;상기 감지막 위에 전극을 형성시키는 제7단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 트리메틸아민 가스센서의 제조방법
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제 6 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 감지막의 두께는 100 ~ 120 nm 인 것을 특징으로 하는 트리메틸아민 가스센서의 제조방법
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제 6 항 내지 제 7 항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 감지막에 대한 열처리는 700℃에서 60분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 트리메틸아민 가스센서의 제조방법
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