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표면에서 일정깊이에 절연층이 형성된 SOI 웨이퍼가 준비되는 단계;
상기 준비된 SOI웨이퍼를 하부의 일정영역으로부터 상기 절연층까지 식각함으로써 상기 일정깊이와 같은 두께를 가진 활성영역을 형성하는 단계;
상기 활성영역이 형성된 상기 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성하는 단계;
상기 활성영역의 절연막 상에 히터를 형성하는 단계;
상기 활성영역의 절연막 상에 감지막의 모(母)재료 박막과 촉매제 박막을 적층하는 단계;
상기 활성영역의 양쪽 외곽을 따라 천공부를 형성하는 단계;
상기 적층된 주석 박막 및 촉매제 박막을 열산화하여 감지막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 모재료는 주석(Sn)인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모재료 박막과 촉매제 박막을 적층하는 단계는 다수의 모재료 박막상에 각각 다른 종류의 촉매제 박막을 적층하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모재료 박막과 촉매제박막을 적층하는 단계는 상기 모재료 박막과 촉매제 박막을 다수번 교번하여 적층하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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제3항에 있어서, 상기 적층된 주석 박막 및 촉매제 박막을 열산화하여 감지막을 형성하는 단계는 모든 박막을 한번에 열산화하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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제4항에 있어서, 상기 적층된 주석 박막 및 촉매제 박막을 열산화하여 감지막을 형성하는 단계는 모든 박막을 한번에 열산화하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 촉매제 박막은 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag) 및 티타늄(Ti) 중 선택된 하나의 촉매제로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성영역의 절연막 상에 히터를 형성하는 단계에서는 상기 활성영역의 외부에 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 어레이 형성방법
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9
기판 상에 히터 및 감지막을 구비하는 반도체식 가스센서에 있어서,
기판의 다른 영역보다 얇은 두께를 가진 활성영역;
상기 활성영역의 절연막 상에 형성된 히터 및 감지막;
상기 활성영역의 양쪽 외곽을 따라 상기 기판이 천공된 천공부;를 포함하는 반도체식 가스센서
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제9항에 있어서, 상기 기판은 SOI웨이퍼이고 상기 활성영역의 얇은 두께는 상기 SOI웨이퍼의 내부 절연층이 위치하는 깊이인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서
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11
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 감지막은 두 개 이상이 형성되고, 상기 두 개 이상의 감지막은 서로 다른 촉매제로 형성된 감지막들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서
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12
제11항에 있어서, 상기 각 감지막은 구리(Cu), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag) 및 티타늄(Ti) 중 선택된 어느 하나의 촉매제로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서
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