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질소 도핑된 광촉매 표면에 실리콘 유기 고분자로 발수성 코팅층을 형성한 후 진공상태에서 열처리하여, 광촉매 격자 내에 형성된 산소 빈자리에 질소가 도핑되고, 실리콘 유기 고분자 산화에 의해 발수성 표면을 친수성 표면으로 개질시킨 광촉매로서,물 분자가 상기 개질된 광촉매 표면에 흡착한 뒤 정공과 반응하여 하이드록시 라디칼을 형성하는 것이 특징인, 개질된 광촉매
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제1항에 있어서, 질소 도핑에 의해 400 nm ~ 800 nm 미만의 가시광 범위, 800 nm 이상의 적외선 영역, 또는 둘 다의 광을 흡수하는 것이 특징인, 개질된 광촉매
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제1항에 있어서, 질소 도핑에 의해 녹색, 청색 또는 청록색을 띠는 것이 특징인, 개질된 광촉매
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제1항에 있어서, 산소 자리에 질소 이온이 치환된 이산화티타늄을 폴리디메틸실록산 코팅 후, 진공상태에서 가열하여 이산화티타늄 격자 내에 산소 빈자리가 형성되고, 폴리디메틸실록산의 메틸기가 카르복실기로 변환된 것이 특징인, 개질된 광촉매
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고순도의 암모니아 가스를 이용한 기체소성법을 통해 질소 도핑된 광촉매를 제조하는 방법에 있어서,암모니아 가스의 유량속도를 50 cm3/min 이상으로 조절하여,암모니아 가스의 유량속도 50 cm3/min에서 제조된 질소 도핑 광촉매 보다 400 nm ~ 800 nm 미만의 가시광 범위 또는 800 nm 이상의 적외선 영역에서 향상된 광 흡수율을 갖는 질소 도핑 광촉매를 형성시키는 것이 특징인 광촉매 제조방법
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제5항에 있어서, 암모니아 가스의 유량속도를 조절하여 청색 계열의 질소 도핑 광촉매를 형성시키는 것이 특징인 광촉매 제조방법
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제5항에 있어서, 광촉매는 TiO2, ZnO, Nb2O5, WO3 또는 이들의 혼합물인 것이 특징인 광촉매 제조방법
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제5항에 있어서, 암모니아 가스의 유량속도는 100 ~ 200 cm3/min인 것이 특징인 광촉매 제조방법
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제5항에 있어서, 광촉매는 평균입경이 1 nm 내지 100 nm인 나노입자, 또는 필름 형태인 것이 특징인 광촉매 제조 방법
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제5항에 있어서, 소성온도는 500~1000℃인 것이 특징인 광촉매 제조 방법
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제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조되고 향상된 광 흡수율을 갖는 질소 도핑 광촉매
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광촉매를 함유하는 태양광 노출용 코팅 조성물
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광촉매를 함유하는 태양광 노출용 성형체
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광촉매에 유기 오염물질을 흡착시키는 단계 및 광조사하여 유기 오염물질을 분해하는 단계를 포함하는, 광촉매를 이용하여 유기 오염물질을 제거하는 방법
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제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 광촉매를 이용하여 수중(水中) 오염물질을 제거하는 단계를 포함하는, 정제수의 제조방법
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