맞춤기술찾기

이전대상기술

위상 고정 루프 및 그 인젝션 락킹 방법(PHASE LOCKED LOOP AND INJECTION LOCKING METHOD FOR THE SAME)

  • 기술번호 : KST2015231109
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 위상 고정 루프는 기준 주파수 신호와 피드백 된 지연고정루프 주파수 신호에 기초하여 다중 위상신호를 발생하고, 상기 발생된 다중 위상신호에 대응되는 적어도 하나의 펄스를 생성하는 인젝션 락킹부; 및 상기 기준 주파수 신호와 피드백 된 위상고정루프 주파수 신호 사이의 위상 차이에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호를 제어하는 위상 고정 루프부를 포함하고, 상기 위상 고정 루프부는 상기 적어도 하나의 펄스에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호의 위상을 제어할 수 있다.
Int. CL H03L 7/081 (2006.01) H03L 7/08 (2006.01)
CPC H03L 7/07(2013.01) H03L 7/07(2013.01) H03L 7/07(2013.01) H03L 7/07(2013.01) H03L 7/07(2013.01) H03L 7/07(2013.01) H03L 7/07(2013.01)
출원번호/일자 1020140075912 (2014.06.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1621382-0000 (2016.05.10)
공개번호/일자 10-2015-0146063 (2015.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20160517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.20)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김철우 대한민국 서울특별시 성북구
2 최창성 대한민국 서울특별시 용산구
3 황세욱 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0579554-71
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0649539-61
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0073039-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0783128-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0033613-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0033583-14
8 등록결정서
Decision to grant
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315303-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기준 주파수 신호와 피드백 된 지연고정루프 주파수 신호에 기초하여 다중 위상신호를 발생하는 지연 고정 루프부, 및 상기 발생된 다중 위상신호에 대응되는 적어도 하나의 펄스를 생성하는 펄스 생성부를 포함하는 인젝션 락킹부; 및상기 기준 주파수 신호와 피드백 된 위상고정루프 주파수 신호 사이의 위상 차이에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호를 제어하는 위상 고정 루프부를 포함하고,상기 펄스 생성부는소스 및 드레인이 각각 VDD 전원 및 NMOS에 연결되고, 게이트 전압으로 기준 주파수를 입력받아 동작하는 PMOS;상기 기준 주파수와 상기 PMOS의 출력 신호를 논리곱 연산하여 출력하는 AND 게이트;상기 AND 게이트의 출력 신호를 임시 저장하는 버퍼; 및소스 및 드레인이 각각 그라운드 및 상기 PMOS에 연결되고, 게이트 전압으로 상기 AND 게이트의 출력 신호를 입력받아 동작하는 NMOS를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
2 2
제1항에 있어서,상기 위상 고정 루프부는상기 기준 주파수 신호와 상기 피드백 된 위상고정루프 주파수 신호 사이의 위상 차이, 및 상기 적어도 하나의 펄스에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호의 위상을 변화시키는 전압 제어 발진기를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
3 3
제2항에 있어서,상기 전압 제어 발진기는포지티브 노드와 네거티브 노드 사이에 형성된 NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor)를 통해 상기 인젝션 락킹부로부터 상기 펄스를 입력받아 상기 NMOS를 온 또는 오프시키는 딜레이 셀(delay cell) 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 지연 고정 루프부는상기 지연고정루프 주파수 신호를 출력하는 전압 제어 지연 라인;상기 기준 주파수 신호 및 상기 전압 제어 지연 라인으로부터 피드백 된 지연고정루프 주파수 신호를 입력받고, 입력된 두 신호의 위상 및 주파수를 비교하여 차이를 검출하는 위상 주파수 검출기; 및상기 위상 주파수 검출기에 의해 검출된 위상 및 주파수의 차이에 기초하여 상기 전압 제어 지연 라인의 제어 전압을 생성하는 전하 펌프를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
6 6
제5항에 있어서,상기 지연 고정 루프부는상기 전하 펌프에 의해 생성된 상기 제어 전압을 필터링하는 로우 패스 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
7 7
제5항에 있어서,상기 지연 고정 루프부는상기 전압 제어 지연 라인과 상기 펄스 생성부 사이의 접속 라인들을 스위칭하여 상기 전압 제어 발진기에 주입되는, 펄스 형태의 위상 신호의 개수를 조절하는 복수의 스위치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
8 8
기준 주파수 신호와 피드백 된 지연고정루프 주파수 신호에 기초하여 다중 위상신호를 발생하는 지연 고정 루프부;상기 다중 위상신호에 대응되는 적어도 하나의 펄스를 생성하는 펄스 생성부; 및상기 기준 주파수 신호와 피드백 된 위상고정루프 주파수 신호 사이의 위상 차이에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호를 제어하는 위상 고정 루프부를 포함하고,상기 펄스 생성부는소스 및 드레인이 각각 VDD 전원 및 NMOS에 연결되고, 게이트 전압으로 기준 주파수를 입력받아 동작하는 PMOS;상기 기준 주파수와 상기 PMOS의 출력 신호를 논리곱 연산하여 출력하는 AND 게이트;상기 AND 게이트의 출력 신호를 임시 저장하는 버퍼; 및소스 및 드레인이 각각 그라운드 및 상기 PMOS에 연결되고, 게이트 전압으로 상기 AND 게이트의 출력 신호를 입력받아 동작하는 NMOS를 포함하고,상기 위상 고정 루프부는상기 적어도 하나의 펄스에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호의 위상을 제어하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프
9 9
위상 고정 루프의 지연 고정 루프부에서, 기준 주파수 신호와 피드백 된 지연고정루프 주파수 신호에 기초하여 다중 위상신호를 발생하는 단계;상기 위상 고정 루프의 펄스 생성부에서, 상기 다중 위상신호에 대응되는 적어도 하나의 펄스를 생성하는 단계; 및상기 위상 고정 루프의 위상 고정 루프부에서, 상기 기준 주파수 신호와 피드백 된 위상고정루프 주파수 신호 사이의 위상 차이, 및 상기 적어도 하나의 펄스에 기초하여 상기 위상고정루프 주파수 신호의 주파수 및 위상을 제어하는 단계를 포함하고,상기 펄스 생성부는소스 및 드레인이 각각 VDD 전원 및 NMOS에 연결되고, 게이트 전압으로 기준 주파수를 입력받아 동작하는 PMOS;상기 기준 주파수와 상기 PMOS의 출력 신호를 논리곱 연산하여 출력하는 AND 게이트;상기 AND 게이트의 출력 신호를 임시 저장하는 버퍼; 및소스 및 드레인이 각각 그라운드 및 상기 PMOS에 연결되고, 게이트 전압으로 상기 AND 게이트의 출력 신호를 입력받아 동작하는 NMOS를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프의 인젝션 락킹 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 위상고정루프 주파수 신호의 주파수 및 위상을 제어하는 단계는상기 위상 고정 루프부의 전압 제어 발진기에서, 포지티브 노드와 네거티브 노드 사이에 형성된 NMOS를 통해 상기 펄스 생성부로부터 상기 펄스를 입력받아 상기 NMOS를 온 또는 오프시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프의 인젝션 락킹 방법
11 11
제9항에 있어서,상기 다중 위상신호를 발생하는 단계는상기 지연 고정 루프부의 전압 제어 지연 라인에서, 상기 지연고정루프 주파수 신호를 출력하는 단계;상기 지연 고정 루프부의 위상 주파수 검출기에서, 상기 기준 주파수 신호 및 상기 전압 제어 지연 라인으로부터 피드백 된 지연고정루프 주파수 신호를 입력받고, 입력된 두 신호의 위상 및 주파수를 비교하여 차이를 검출하는 단계; 및상기 지연 고정 루프부의 전하 펌프에서, 상기 위상 주파수 검출기에 의해 검출된 위상 및 주파수의 차이에 기초하여 상기 전압 제어 지연 라인의 제어 전압을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프의 인젝션 락킹 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 다중 위상신호를 발생하는 단계는상기 지연 고정 루프부의 로우 패스 필터에서, 상기 전하 펌프에 의해 생성된 상기 제어 전압을 필터링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프의 인젝션 락킹 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 다중 위상신호를 발생하는 단계는상기 지연 고정 루프부의 복수의 스위치에서, 상기 전압 제어 지연 라인과 상기 펄스 생성부 사이의 접속 라인들을 스위칭하여 상기 전압 제어 발진기에 주입되는, 펄스 형태의 위상 신호의 개수를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 고정 루프의 인젝션 락킹 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.