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실리콘 기판 표면에 나노 포어를 형성한 뒤에 무전해 도금 방식으로 금속 시드층을 형성하는 단계(단계 1);상기 시드층 위에 전해 증착 방식으로 금속 스트레스층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의해 상기 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계(단계 3)을 포함하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 1은 NiSO4·6H20, Na3C6H507·2H20, (CH3)2NHBH3 및 H3BO3를 포함하는 도금욕을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 2는 NiCl2 및 Na3C6H5O7를 포함하는 도금욕을 이용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 2는 전해 증착시 전류 밀도가 5 내지 15 mA/㎠인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 2는 상기 시드층 위에 금속 버퍼층을 형성한 다음 상기 버퍼층 위에 상기 스트레스층을 형성하고,상기 버퍼층에 잔류하는 전해 증착 응력이 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력보다 작은 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 5에 있어서,상기 버퍼층은 두께가 5㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1에 있어서,상기 나노 포어는 상기 실리콘 기판 표면에 은 입자를 부착한 다음 불산 및 과산화수소를 포함하는 혼산 용액에 침지하여 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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청구항 1 내지 청구항 6 및 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,상기 금속은 니켈, 코발트 또는 철 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 표면 박리 방법
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