맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

다중 활성층과 금속 나노입자를 이용한 발광다이오드 구조

  • 기술번호 : KST2016000269
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광다이오드의 출력효율 향상을 위해 다중 활성층과 금속 나노입자를 이용하여 발광다이오드 내부의 구조적 설계를 개선함으로써 발광다이오드의 효율을 증대시킨 새로운 발광다이오드의 구조에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 종래의 발광다이오드가 가지는 활성층 구조를 중간에 유격을 가진 다층형 활성층 구조로 변경하고, 그러한 유격 내에 금속 나노입자를 산포함으로써, 광 가둠에 의한 소산장의 이득 면적을 최대화하여 전기적 발광에서도 높은 이득을 얻을 수 있는 새로운 발광다이오드의 구조가 제공되며, 그것에 의해, 간단한 구조적 개선만으로 금속 나노입자의 공진효과를 통하여 종래에 비해 발광다이오드의 효율을 개선할 수 있다.
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/18 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01)H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100073517 (2010.07.29)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1206405-0000 (2012.11.23)
공개번호/일자 10-2012-0011965 (2012.02.09) 문서열기
공고번호/일자 (20121129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.29)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오범환 대한민국 인천광역시 연수구
2 이민우 대한민국 인천광역시 부평구
3 성준호 대한민국 인천광역시 남구
4 최철현 대한민국 인천광역시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0492360-10
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0665477-36
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0002290-77
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0002292-68
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0298111-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0550246-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0550245-86
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0703740-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 도전기판 위에 적층되는 nGaN층; 상기 nGaN층 상부에 적층되어 전기 발광효과를 얻기 위한 활성층; 및 상기 활성층 상부에 적층되는 pGaN층을 포함하여 구성되고, 상기 활성층은, 하부 활성층과 상부 활성층; 및 상기 하부 활성층과 상부 활성층의 사이에 형성되는 적어도 하나의 활성층 유격을 포함하며, 상기 활성층 유격은 상기 활성층 유격 내에 산포되어 배치되는 금속 나노입자를 포함하여 상기 금속 나노입자에 의한 소산장 영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자의 공진 중심파장과 상기 활성층의 발광파장이 일치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조
3 3
제 1 항에 있어서,상기 금속 나노입자에 의한 상기 소산장의 영역은, 상기 금속 나노입자의 경계 부분으로부터 100nm 이내의 영역에 걸쳐 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조
4 4
제 1 항에 있어서,상기 적어도 하나의 활성층 유격이 2 이상인 경우,각각의 활성층 유격 사이에는 중간 활성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국과학재단 우수연구센터(ERC)사업 집적형 광자기술 연구