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고전기전도성 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2016000659
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고전기전도성 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 고전기전도성 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체는, 집전체 용도의 알루미늄 박의 표면에 형성된 산화층과; 상기 산화층을 금속 이온을 포함하는 액에 함침한 후 상기 금속 이온을 촉매로 하여 상기 알루미늄 박 표면에 성장 형성된 탄소나노튜브, 또는 탄소나노튜브를 포함하는 탄소층;을 포함하며, 상기 산화층은 상기 알루미늄 박의 표면을 전처리하고 열수처리를 행하여 상기 알루미늄 박에 평탄하지 않고 오목한 구조물을 포함하는 거친 표면을 갖는 산화물 또는 수산화물을 포함하는 것을 특징을 특징으로 한다.이에, 알루미늄 박과 활물질 층의 밀착성을 높이고 우수한 전기전도성을 가지면서도, 제조하는 과정에서도 전기화학적인 에칭 과정이 없는 보다 간단한 공정과 탄화수소 분위기에서의 가열 시간을 단축함으로써 에너지 소비가 적어 경제성과 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01M 4/66 (2006.01) C23C 28/00 (2006.01) H01G 9/042 (2006.01) B32B 15/04 (2006.01)
CPC H01M 4/663(2013.01) H01M 4/663(2013.01) H01M 4/663(2013.01) H01M 4/663(2013.01) H01M 4/663(2013.01) H01M 4/663(2013.01)
출원번호/일자 1020120043431 (2012.04.25)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1392932-0000 (2014.04.30)
공개번호/일자 10-2013-0120290 (2013.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140508) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.25)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종휘 대한민국 대전 유성구
2 김용일 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정무석 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 ***, ***호(서초동,수복빌딩)(송연국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0331702-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037890-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0664612-16
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-1075964-99
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1087149-20
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-1087150-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
9 등록결정서
Decision to grant
2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0295894-42
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집전체 용도의 알루미늄 박의 표면에 형성된 산화층과;상기 산화층을 금속 이온을 포함하는 액에 함침한 후 상기 금속 이온을 촉매로 하여 상기 알루미늄 박 표면에 성장 형성된 탄소나노튜브, 또는 탄소나노튜브를 포함하는 탄소층;을 포함하며,상기 산화층은 상기 알루미늄 박의 표면을 전처리하고 열수처리를 행하여 상기 알루미늄 박에 평탄하지 않고 오목한 구조물을 포함하는 거친 표면을 갖는 산화물 또는 수산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체
2 2
제1항에 있어서,열수처리에 의하여 형성된 상기 산화층은 화학적으로 연마되어 부분적으로 제거되는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체
3 3
제2항에 있어서,상기 화학적 연마를 마친 상기 산화층에서 상기 화학적 연마 과정에서 발생된 환원성 금속염을 제거하는 산처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체
4 4
제3항에 있어서,상기 산화층이 산처리된 이후에 상기 탄소층을 성장시키기 위한 촉매로 사용되는 금속원소 또는 금속화합물을 포함하는 입자를 무전해 방법으로 상기 산화층에 분산 점착시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체
5 5
제4항에 있어서,상기 입자가 분산 점착된 상기 산화층을 갖는 상기 알루미늄 박을 화학적기상증착 방법에 의하여 상기 탄소층으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체
6 6
(a) 집전체로 사용되는 알루미늄 박을 탈지하는 단계와;(b) 상기 알루미늄 박의 표면을 탈지한 후 열수처리를 행하여 상기 알루미늄 박에 평탄하지 않고 오목한 구조물을 포함하는 거친 표면을 갖는 산화물 또는 수산화물을 포함하는 산화층을 형성하는 단계와;(c) 상기 산화층을 금속 이온을 포함하는 액에 함침시킨 후 상기 금속 이온을 촉매로 하여 상기 알루미늄 박 표면에 성장 형성된 탄소나노튜브, 또는 탄소나노튜브를 포함하는 탄소층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 (b) 단계의 열수처리에 의하여 형성된 산화층은 화학적으로 연마되어 부분적으로 제거되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,화학적으로 연마하는 단계에서는 수산화나트륨, 수산화칼륨을 포함하는 수용액으로 상기 산화층을 연마하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
9 9
제7항에 있어서,화학적으로 연마된 상기 산화층의 화학적 연마 과정에서 발생 가능한 환원성 금속염을 제거하는 산처리 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
10 10
제6항에 있어서,상기 (c)단계에서는 금속염, 착화제, 환원제를 포함하는 금속 이온 용액을 가열하여 가열된 상태에서 상기 산화층을 함침시켜 금속 입자를 상기 산화층에 분산 침착시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 금속 이온 용액은 3차 증류수 100ml에 NiSO4·6H2O(0
12 12
제10항에 있어서,상기 산화층을 함침시키는 과정 이후에 화학기상증착 방법으로 상기 산화층에 함침된 금속원소 또는 금속화합물을 촉매로 하여 상기 탄소나노튜브, 또는 상기 탄소나노튜브를 포함하는 탄소층을 성장시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 금속원소 또는 상기 금속화합물은 구리, 니켈, 코발트, 철, 망간, 크롬, 바나듐, 카드뮴, 몰리브덴을 포함하는 전이금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
14 14
제6항에 있어서,상기 (a)단계, (b)단계 및 (c)단계 이후에 각각 세척하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 탄소층 일체형 알루미늄 박 집전체 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지경부 한국기계연구원 협동연구사업 박형 슈퍼커패시터 소자 기술 개발