맞춤기술찾기

이전대상기술

저온분사코팅을 이용한 다이캐스팅 금형 보호 방법

  • 기술번호 : KST2016001249
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저온분사코팅을 이용한 다이캐스팅 금형 보호 방법으로서, 보다 상세하게는 다이캐스팅 금형이 용융되거나 소착을 일으키는 것을 방지하기 위해 코팅층을 형성할 때 상기 코팅층과 금형과의 결합강도가 높아 금형의 보호에 적합한 코팅방법을 적용함으로써 다이캐스팅 금형 보호에 적합하도록 하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 코팅방법은 다이캐스팅용 금형을 준비하는 단계; 및 상기 다이캐스팅용 금형에 코발트 분말을 저온분사코팅하는 단계를 포함한다. 저온분사, 다이캐스팅, 금형 보호, 코발트, 결합강도
Int. CL C23C 26/00 (2006.01.01) C23C 4/06 (2016.01.01) B21B 45/02 (2006.01.01) C22C 19/07 (2006.01.01)
CPC C23C 26/00(2013.01) C23C 26/00(2013.01) C23C 26/00(2013.01) C23C 26/00(2013.01) C23C 26/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080001149 (2008.01.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0951652-0000 (2010.03.31)
공개번호/일자 10-2009-0075329 (2009.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20100407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.01.04)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울 송파구
2 윤상훈 대한민국 서울 성북구
3 문준오 대한민국 광주광역시 북구
4 강기철 대한민국 경남 마산시 구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0006638-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0022561-74
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0427442-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0778789-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0778788-42
8 등록결정서
Decision to grant
2010.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0130864-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다이캐스팅용 금형을 준비하는 단계; 및 상기 다이캐스팅용 금형에 코발트 합금을 저온분사코팅하는 단계를 포함하며, 상기 저온분사코팅 단계에서 사용되는 코발트 분말의 직경을 5∼200㎛로 하고, 공정 가스의 온도를 500∼550℃, 압력을 2
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 저온분사 코팅 단계의 금형과 노즐 사이의 거리인 분사 거리는 10∼40mm로 설정하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 금형의 보호 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 저온분사코팅 단계의 노즐의 이동속도는 60∼120mm/s인 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 금형의 보호 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 저온분사코팅 단계 이전에 금형의 표면을 전처리하여 표면의 조도를 증가시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이캐스팅 금형의 보호 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 코발트 합금 분말은 40∼60wt% Co -25∼28
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국과학재단 국가지정연구실 사업 Kinetic spray 코팅기술의 과학적 이론기반 구축 및응용기술개발