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양자점 감응형 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016001784
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요약 본 발명은 CdS 양자점 감응형 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 (a) 투명 전도성 기판 상부에 형성된 다공성 이산화티탄(TiO2)층을 약 400-450℃로 유지된 열판위에서 카드뮴 전구체, 황 전구체 및 물을 함유하는 전구체 용액을 분무 열분해(spray pyrolysis)시켜 양자점 CdS를 형성하는 단계; (b) 상기 양자점 CdS가 형성된 다공성 이산화티탄 층을 사염화티탄(TiCl4) 용액에 함침시킨 후, 열처리하여 TiO2가 부분 코팅된 광 흡수층을 얻는 단계; 및 (c) 상기 광 흡수층이 포함된 다공성 광음극과 마주하도록 양극(cathod)을 위치시킨 후, 전해질을 주입하고 밀봉(sealing)하는 단계;를 포함하여 수행되는 특징이 있다. 본 발명에서 기술한 TiCl4 후처리를 이용하여 제작한 CdS 양자점 감응형 태양전지는 단순히 CdS를 분무 열해법으로 제조한 태양전지에 비해 매우 우수한 광전효율을 가지는 장점이 있다. CdS 양자점, 양자점 감응 태양 전지, 사염화티탄, 분무 열분해법
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01) H01G 9/2054(2013.01)
출원번호/일자 1020080050097 (2008.05.29)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0956695-0000 (2010.04.29)
공개번호/일자 10-2009-0124094 (2009.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100510) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석상일 대한민국 대전시 유성구
2 황재열 대한민국 부산 금정구
3 백인찬 대한민국 경남 진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 채종현 경기도 남양주시 호평로
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0384899-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0508161-73
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0776160-44
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2009-0776151-33
6 등록결정서
Decision to grant
2010.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0172960-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
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번호 청구항
1 1
(a) 투명 전도성 기판 상부에 형성된 다공성 이산화티탄(TiO2)층에 카드뮴 전구체, 황 전구체 및 물을 함유하는 전구체 용액을 분무 열분해(spray pyrolysis)시켜 양자점 CdS를 형성하는 단계; (b) 상기 양자점 CdS가 형성된 기판을 사염화티탄(TiCl4) 용액에 함침시킨 후, 열처리하여 광음극(photo anode)을 얻는 단계; 및 (c) 상기 광음극과 마주하도록 양극(cathod)을 위치시킨 후, 전해질을 주입하고 밀봉(sealing)하는 단계; 를 포함하는 양자점 감응형 태양전지의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, (a)단계의 상기 카드뮴 전구체는 염화카드뮴(CdCl2)이며, 상기 황 전구체는 티오우레아((NH2)2CS)인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, (a)단계의 상기 전구체 용액은 0
4 4
제 1항 또는 제 3항에 있어서, (a)단계의 상기 분무 열분해는 400℃ 내지 450℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, (b)단계의 상기 사염화티탄(TiCl4) 용액은 40mM 내지 60mM 농도인 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 (b)단계는 (b1) 70℃ 내지 90℃의 온도를 유지하며 상기 양자점 CdS가 형성된 기판을 사염화티탄(TiCl4) 용액에 함침한 후, 상기 기판을 분리 회수하는 단계; (b2) 물 및 알코올을 이용하여 상기 회수된 기판을 세척하는 단계; 및 (b3) 상기 세척된 기판을 450℃ 내지 500℃의 온도로 열처리 하는 단계; 를 포함하여 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 감응형 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국화학연구원 나노구조 무/유기 하이브리드 소재를 이용한 고효율태양전지 기술개발 나노구조 무/유기 하이브리드 소재를 이용한 고효율태양전지 기술개발