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a) 투명 기재의 일 표면에 구 형상을 가지는 복수개의 비드를 단일 층으로 배열하는 단계;c) 상기 비드를 에칭 마스크(etching mask)로 하여, 상기 기재를 CF4, SF6 및 HF에서 하나 이상 선택된 에칭가스, 산소 및 수소를 함유하는 혼합 가스 플라즈마로 식각하는 단계; 및d) 산소 플라즈마로 상기 비드를 제거하여 원뿔형상의 끝단을 갖는 원기둥을 형성하거나, 곡률진 팁 형상의 끝단을 갖는 테이퍼된 원기둥 또는 원뿔을 형성하는 방법, 습식 에칭으로 상기 기재위의 반응 잔재물을 제거하여 테이퍼된 원기둥을 형성하는 방법, 및습식 에칭으로 상기 비드를 제거하여 원뿔 또는 원기둥을 형성하는 방법, 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 나노기둥 구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 기능성 표면의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 나노기둥 구조체의 형상에 의해 상기 기재의 반사율을 제어하는 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 2항에 있어서,최인접 비드간 이격거리에 의해 테이퍼된 기둥형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 1항에 있어서,d) 단계는 산소 플라즈마로 상기 비드를 제거하여 원뿔형상의 끝단을 갖는 원기둥 형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 1항에 있어서,a) 및 c) 단계 사이에 b) 상기 복수개의 비드를 산소 플라즈마로 식각하여 각 비드의 크기를 감소시켜 비드간 일정 이격거리를 형성하는 단계;를 더 포함하며,d) 단계는 산소 플라즈마로 상기 비드를 제거하여 곡률진 팁 형상의 끝단을 갖는 테이퍼된 원기둥 형상 또는 원뿔 형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 1항에 있어서,a) 및 c) 단계 사이에 b) 상기 복수개의 비드를 산소 플라즈마로 식각하여 각 비드의 크기를 감소시켜 비드간 일정 이격거리를 형성하는 단계;를 더 포함하며,d) 단계는 습식 에칭으로 상기 기재 위의 반응 잔재물을 제거하여 테이퍼된 원기둥 형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 1항에 있어서,a) 및 c) 단계 사이에 b) 상기 복수개의 비드를 산소 플라즈마로 식각하여 각 비드의 크기를 감소시켜 비드간 일정 이격거리를 형성하는 단계;를 더 포함하며,d) 단계는 습식 에칭으로 상기 비드를 제거하여 원뿔 형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 1항에 있어서,d) 단계는 습식 에칭으로 상기 비드를 제거하여 원기둥 형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 6항에 있어서,상기 a) 단계에서 비드의 직경은 180 내지 220 nm이고, 비드간 이격거리는 0 nm이며, d) 단계의 산소 플라즈마 파워는 150 내지 200 W인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 7항에 있어서,d) 단계의 나노기둥 구조체는 곡률진 팁 형상의 끝단을 갖는 테이퍼된 원기둥 형상이며, 상기 b) 단계에서 식각된 비드의 직경은 130 내지 150 nm이고, 비드간 이격거리는 30 내지 90 nm이며, d) 단계의 산소 플라즈마 파워는 150 내지 200 W인 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 8항에 있어서,d) 단계의 나노기둥 구조체는 원뿔 형상이며, 상기 b) 단계에서 식각된 비드의 직경은 80 내지 100 nm이고, 비드간 이격거리는 80 내지 140 nm이며, d) 습식 에칭으로 상기 기재 위의 반응 잔재물을 제거하여 원뿔 형상의 나노기둥 구조체를 제조하는 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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제 8항 내지 10항에서 선택되는 어느 한 항에 있어서,d) 단계의 습식 에칭은 황산 피라나 용액을 이용하여 150 내지 170℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기능성 표면의 제조방법
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