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나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2016004034
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 임프린트용 스탬프 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 스탬프 표면에 그래핀 박막층을 형성시켜 레진과의 이형 특성이 향상된 나노 임프린트용 스탬프를 제작하는 나노 임프린트용 스탬프 및 이 나노 임프린트용 스탬프의 제조 방법에 대한 것이다. 본 발명에 따르면, 그래핀 박막층을 사용함으로써 이형 특성이 우수하고 저렴한 비용의 나노임프린트 리소그래피용 스탬프 제조가 가능하다. 또한, 본 발명의 다른 효과로서는 소정 두께의 그래핀 박막층을 스탬프 표면에 코팅함으로써 패터닝 공정 및/또는 2회 증착 공정이 필요하지 않다는 점을 들 수 있다.
Int. CL B29C 33/42 (2006.01) B29C 33/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B29C 33/424(2013.01) B29C 33/424(2013.01) B29C 33/424(2013.01) B29C 33/424(2013.01) B29C 33/424(2013.01) B29C 33/424(2013.01) B29C 33/424(2013.01)
출원번호/일자 1020100133924 (2010.12.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1063409-0000 (2011.09.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광섭 대한민국 대전광역시 유성구
2 김재현 대한민국 대전광역시 유성구
3 이학주 대한민국 대전광역시 서구
4 장호욱 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 안종현 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0853975-91
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0032687-02
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0180911-64
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0389459-71
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0446040-26
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0446048-91
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0447034-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
다수의 요철(221,222,510,511)이 표면에 형성된 스탬프 몸체(220,500); 및 상기 다수의 요철(221,222,510,511) 표면에 형성된 그래핀 박막층(223,512)을 포함하되, 상기 그래핀 박막층(223,512)은 적어도 하나 이상의 층으로 적층되어 구성되며, 상기 다수의 요철(221,222,510,511) 표면에 직접 증착시켜 코팅하거나, 또는 미리 증착시켜 일정 두께로 형성시킨 후 접착제를 이용하여 부착 코팅시키는 나노 임프린트용 스탬프
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 스탬프 몸체(220,500)는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V 및 Zr, Si, SiC, SOI(silicon on insulator), a-Si(amorphous-Si), poly-Si, SiO2, Ge, GeC, SiCN, SiNx, SiOCF, SiBN 중 적어도 어느 하나로 형성되는 나노 임프린트용 스탬프
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 박막층(223,512)은 상기 다수의 요철(223,512)의 모든 표면을 덮는 나노 임프린트용 스탬프
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 그래핀 박막층(223,512)은 상기 다수의 요철(223,512) 중 요부 또는 철부만을 덮는 나노 임프린트용 스탬프
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀 박막의 두께는 상기 다수의 요철(221,222,510,511)의 패턴 크기또는 간극에 따라 1층 내지 100층(0
7 7
다수의 요철(210,211)을 갖는 스탬프 마스터(200)를 생성하는 단계;상기 스탬프 마스터(200)를 이용하여 상기 다수의 요철(210,211)과 정합하는 스탬프 몸체(220,500)를 생성하는 단계;상기 스탬프 마스터(200)로부터 상기 스탬프 몸체(220,500)를 분리하는 단계; 및 상기 스탬프 몸체(220,500)의 표면에 형성된 다수의 요철(221,222) 표면에 그래핀 박막층(223,512)을 형성시키는 단계를 포함하되, 상기 그래핀 박막층(223,512)은 적어도 하나 이상의 층으로 적층되어 구성되며, 상기 다수의 요철(221,222,510,511) 표면에 직접 증착시켜 코팅하거나, 또는 미리 증착시켜 일정 두께로 형성시킨 후 접착제를 이용하여 부착 코팅시키는 나노 임프린트용 스탬프 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 스탬프 몸체(220,500)는 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V 및 Zr, Si, SiC, SOI(silicon on insulator), a-Si(amorphous-Si), poly-Si, SiO2, Ge, GeC, SiCN, SiNx, SiOCF, SiBN 중 적어도 어느 하나로 형성되는 나노 임프린트용 스탬프 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 그래핀 박막층(223,512)은 상기 다수의 요철(210,211)의 모든 표면을 덮는 나노 임프린트용 스탬프 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 그래핀 박막층(223,512)은 상기 다수의 요철(210,211) 중 요부 또는 철부만을 덮는 나노 임프린트용 스탬프 제조 방법
12 12
제 7 항에 있어서, 상기 그래핀 박막의 두께는 상기 다수의 요철(221,222,510,511)의 패턴 크기또는 간극에 따라 1층 내지 100층(0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국기계연구원 교과부-국가연구개발사업(II) 10nm급 측정 원천기술개발(3/4)