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태양전지 표면의 택스처링 방법(TEXTURING METHOD OF SOLAR CELL SURFACE)

  • 기술번호 : KST2016005163
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 표면의 택스처링 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/036 (2006.01)
CPC H01L 31/0236(2013.01) H01L 31/0236(2013.01) H01L 31/0236(2013.01)
출원번호/일자 1020140079976 (2014.06.27)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1652342-0000 (2016.08.24)
공개번호/일자 10-2016-0001437 (2016.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시 강남구
2 정대균 대한민국 서울특별시 성북구
3 이치영 대한민국 서울특별시 강북구
4 이택경 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0607640-02
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0559812-22
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0559810-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079482-86
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0144234-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0391712-15
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0391728-34
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0607539-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재에 포토레지스트를 도포하는 단계;반복된 구조의 패턴을 갖는 몰드를 이용하여 상기 기재에 도포된 상기 포토 레지스트 상에 패턴을 형성한 후 경화하는 단계; 및,상기 기재를 식각하는 단계를 포함하며,상기 기재를 식각하는 것은,불화수소 100 중량부에 대하여, 질산 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기재는 단결정질, 미세결정질, 다결정질, 비결정질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 반복된 구조의 패턴은 육각 밀집 구조를 포함하는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 반복된 구조의 패턴은 100 nm 내지 10 ㎛의 크기를 가지는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반복된 구조의 패턴은 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 간격을 가지는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서,상기 패턴 내부에 형성된 미세 택스처링은 10 nm 내지 1 ㎛의 크기를 가지는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기재 상에 상기 패턴을 형성하는 것은 임프린팅, 리소그래피, 그라비아 인쇄법, 롤투롤 인쇄법, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 방법에 의해 수행되는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제 1 항에 있어서,상기 식각은 2 분 내지 60 분 동안 수행되는 것인, 태양전지 표면의 택스처링 방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 기재를 식각하는 단계 전에, 잔막을 제거하는 단계를 추가 포함하는, 태양전지 표면의 택스처링 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국민대학교 산학협력단 해외우수연구기관 유치사업 국민대-달라스대 국제 미래재료혁신 연구소
2 미래창조과학부 국민대학교 산학협력단 선도연구센터 육성산업 자기조립소재공정연구센터