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유기실란 전구체 및 산소를 이용하여 기재 상에 SiOx 박막을 PECVD에 의해 형성하는 단계;유기실란 전구체를 이용하여 상기 SiOx 박막 상에 소수성 1 차 박막을 PECVD에 의해 형성하는 단계; 및,불화탄소계 가스 전구체를 이용하여 상기 1 차 박막 상에 기름 접촉각이 80° 이상인 소유성 2 차 박막을 10 kHz 이상 내지 100 kHz 미만의 MF 파워를 이용한 PECVD에 의해 형성하는 단계를 포함하며,상기 10 kHz 이상 내지 100 kHz 미만의 MF 파워를 이용함으로써 상기 불화탄소계 가스 전구체의 해리를 방지하여 불소의 생성을 방지하는 것인,내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 SiOx 박막을 형성한 후, 플라즈마 처리하는 것을 추가 수행하는 것인, 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 SiOx 박막을 플라즈마 처리하는 것은 O2 플라즈마 또는 Ar 플라즈마에 의해 수행되는 것인, 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기실란 전구체는 SixCyHz (x는 1 내지 4이고, y는 3 내지 8이며, 및 z는 10 내지 24임)를 포함하는 것인, 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 불화탄소계 가스 전구체는 CxFy (x는 1 내지 3, y는 4 내지 8임)를 포함하는 것인, 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 1 차 박막은 5 MHz 내지 30 MHz의 RF 파워를 이용한 PECVD에 의해 형성되는 것인, 내마모성, 소수성 및 소유성을 갖는 코팅막의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되고, 내마모성, 소수성 및 기름 접촉각 80° 이상의 소유성을 가지는, 코팅막
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8
제 7 항에 있어서,물 접촉각이 110° 이상이고, 연필경도는 7 H 이상인 것인, 코팅막
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