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징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법(Method of ZnO microwire)

  • 기술번호 : KST2016005311
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 챔버 내에 기판, 비소 포함 고체 촉매, 및 ZnO 소스를 배치하는 단계와, 상기 챔버의 일측으로부터 캐리어 개스를 상기 챔버로 공급하면서 상기 고체 촉매를 기화시켜서 상기 기판 상으로 상기 비소를 포함하는 산화물로 이루어진 중간층을 형성하는 단계와, 상기 중간층의 비소를 상기 ZnO 소스의 Zn으로 치환하여 상기 기판 상에 ZnO 시드층을 형성하는 단계와 상기 시드층으로부터 징크 옥사이드 마이크로 와이어를 성장시키는 단계를 포함한다.
Int. CL C01G 9/02 (2006.01.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020140083235 (2014.07.03)
출원인 삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0004643 (2016.01.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.06.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주원제 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 강대준 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 최준혁 대한민국 경기도 화성

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0629644-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-0666089-43
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0079255-52
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0416426-56
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0831924-50
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번호 청구항
1 1
챔버 내에 기판, 비소 포함 고체 촉매, 및 ZnO 소스를 배치하는 단계;상기 챔버의 일측으로부터 캐리어 개스를 상기 챔버로 공급하면서 상기 고체 촉매를 기화시켜서 상기 기판 상으로 상기 비소를 포함하는 산화물로 이루어진 중간층을 형성하는 단계;상기 중간층의 비소를 상기 ZnO 소스의 Zn으로 치환하여 상기 기판 상에 ZnO 시드층을 형성하는 단계: 및상기 시드층으로부터 징크 옥사이드 마이크로 와이어를 성장시키는 단계;를 구비하는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 중간층 및 상기 시드층 형성단계는 제1온도에서 수행되며, 상기 마이크로 와이어 성장단계는 상기 제1온도 보다 높은 제2온도에서 수행되는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 제1온도는 대략 800℃ - 850℃인 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 제1온도는 대략 10분 ~ 80분 유지되며, 상기 제1온도 유지시간의 제어로 상기 마이크로 나노와이어의 직경의 크기가 제어되는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 비소포함 촉매는 삼산화 비소 또는 GaAs 파우더인 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 중간층은 삼산화 비소로 이루어진 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 고체 촉매는 상기 챔버내에서 상기 캐리어 개스의 흐름 상에서 상기 기판의 상류에 배치되며 상기 기판 보다 낮은 온도로 제어되는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 ZnO 소스는 상기 챔버내에서 상기 캐리어 개스의 흐름 상에서 상기 기판의 하류에 배치되는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 시드층은 1nm~10nm 두께를 가지는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 시드층은 복수의 ZnO 도트를 포함하며, 상기 ZnO 도트로부터 상기 마이크로 와이어가 성장되는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 제2온도는 대략 900℃ - 1000℃ 이며, 상기 제2온도가 상승함에 따라 상기 마이크로 와이어의 단면 형상이 달라지는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 마이크로 와이어의 단면 형상은 마름모, 비등변 육각형 및 등변 육각형을 포함하는 징크 옥사이드 마이크로 와이어의 제조방법
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 마이크로 와이어는 대략 1-10㎛ 직경, 대략 0
14 14
제 1 항 내지 제 13 항의 제조방법에 의해 제조된 징크 옥사이드 마이크로 와이어
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.