요약 | 본 발명은 용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법에 관한 것으로서, 제1 바이알 내부에 기판을 배치하고, 상온에서 바이알 내부에 아연함유 유기금속, 반응활성화제 및 용매제를 투입하는 S1 단계; 제1 바이알을 실링하는 S2 단계; 오븐에서 제1 바이알의 내부용액의 온도를 기준온도대로 상승 및 유지시키며 ZnO 나노막대를 성장시키는 S3 단계; 상기 S1 단계를 거친 제2 바이알을 상기 오븐에 넣고, 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액의 온도를 교체대상인 제1 바이알의 내부 용액의 온도로 상승시키고 에이징을 하는 S4 단계; 및 제1 바이알의 교체대상 용액에서 상기 기판을 꺼내고 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액에 배치하면서 기판을 제2 바이알에 배치한 후 제2 바이알을 실링하는 S5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 교체시 교체 용액의 온도를 기준온도로 유지하여 ZnO 나노막대를 수직방향으로 성장시키는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면 성장온도를 유지하는 교체될 용액이 투입됨에 따라 ZnO 나노막대의 가로세로비가 향상되어 나노막대의 직경이 축소되는 효과가 있고, 용액교체시에 교체될 용액의 온도를 교체할 용액의 온도로 유지시켜 기판상에 증착된 씨앗층의 분리의 발생이 최소화되는 효과가 있다.수열합성법, ZnO, 나노막대, 용액교체, 에이징 |
---|---|
Int. CL | C01G 9/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
CPC | C01G 9/02(2013.01)C01G 9/02(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020090134305 (2009.12.30) |
출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1155769-0000 (2012.06.05) |
공개번호/일자 | 10-2011-0077667 (2011.07.07) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20120612) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2009.12.30) |
심사청구항수 | 12 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 조형균 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
2 | 배영숙 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
3 | 김동찬 | 대한민국 | 부산광역시 사하구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김인철 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 성균관대학교산학협력단 | 경기도 수원시 장안구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0817378-96 |
2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.01.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0038337-32 |
3 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2010.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0360275-19 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0543224-75 |
5 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2011.11.11 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2011-0890726-86 |
6 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2011.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0105440-15 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.11.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0923428-48 |
8 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0950516-91 |
9 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2011.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0117891-18 |
10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-1021878-92 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1021879-37 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
13 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0317559-09 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
16 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0038508-57 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 기판상에 ZnO 씨앗층이 이미 형성된 기판을 수열합성법을 이용하여 ZnO 나노막대를 성장시키는 방법에 있어서,제1 바이알 내부에 상기 기판을 배치하고, 상온에서 바이알 내부에 아연함유 유기금속, 반응활성화제 및 용매제를 투입하는 S1 단계;제1 바이알을 실링하는 S2 단계;오븐에서 제1 바이알의 내부용액의 온도를 기준온도대로 상승 및 유지시키며 ZnO 나노막대를 성장시키는 S3 단계;상온에서 바이알 내부에 아연함유 유기금속, 반응활성화제 및 용매제가 투입된 제2 바이알을 상기 오븐에 넣고, 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액의 온도를 교체대상인 제1 바이알의 내부 용액의 온도로 상승시키고 에이징을 하는 S4 단계; 및제1 바이알의 교체대상 용액에서 상기 기판을 꺼내고 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액에 배치하면서 기판을 제2 바이알에 배치한 후 제2 바이알을 실링하는 S5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 S1 단계의 경우, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 유리 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 S1 단계의 경우, 투입되는 상기 아연함유 유기금속은 아연 나이트라이트헥사하이드라이트(Zn(No3)26H2O), 아연클로라이드(ZnCl2) 및 아연 아세테이트 디하이드라이트(Zn(OOCCH3)22H2O) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
4 |
4 제1항에 있어서,상기 S1 단계의 경우, 투입되는 상기 반응활성화제는 HMT((CH2)6N4), NaOH 및 KOH 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 S1 단계의 경우, 투입되는 상기 용매제는 2차 증류수(H2O), 메탄올(methanol) 및 이메톡시에탄올(2-methoxyethanol) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
6 |
6 삭제 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 S3 단계의 경우, 상기 내부 용액의 기준 온도대는 91℃~98℃인 것을 특징으로 하는 용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
9 |
9 제8항에 있어서,상기 S3 단계의 경우, 상기 내부 용액의 기준 온도대는 95℃인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
10 |
10 제1항에 있어서,상기 S4 단계의 경우, 제2 바이알은 제1 바이알의 내부 용액 중 Zn 소스가 소진되기 전에 오븐에 투입되어 에이징되는 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
11 |
11 제10항에 있어서,상기 S4 단계의 에이징 시간은 20분~40분인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
12 |
12 제11항에 있어서,상기 S4 단계의 에이징 시간은 30분인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
13 |
13 제1항에 있어서,상기 S5 단계의 경우, 제1 바이알에서 기판을 꺼내는 시간은 S3 단계의 기준온도가 6시간 이상 유지된 후인 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
14 |
14 제1항에 있어서,상기 S5 단계 후에는 상온에서 바이알 내부에 상온에서 아연함유 유기금속, 반응활성화제 및 용매제가 투입된 다른 교체투입용 바이알을 상기 오븐에 넣고, 상기 교체투입용 다른 바이알의 내부 용액의 온도를 교체대상인 바이알의 내부 용액의 온도로 상승시키고 에이징을 하는 S4 단계;교체대상인 바이알의 교체대상 용액에서 상기 기판을 꺼내고 교체투입용 바이알의 내부 용액에 배치하면서 기판을 교체투입용 바이알에 배치한 후 교체투입용 바이알을 실링하는 S5 단계; 및오븐에서 교체투입용 바이알의 내부용액의 온도를 기준온도대로 유지시키며 ZnO 나노막대를 성장시키는 S3 단계를 순차적으로 적어도 1회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 산학협력단 | 일반연구자지원 | 나누구조를 이용한 color tunable 수,발광소자 구현 |
2 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 | 핵심연구지원사업 | 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구 |
특허 등록번호 | 10-1155769-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20091230 출원 번호 : 1020090134305 공고 연월일 : 20120612 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120531 청구범위의 항수 : 12 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법 존속기간(예정)만료일 : 20170606 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2012년 06월 05일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2015년 04월 07일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2016년 03월 28일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0817378-96 |
2 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.01.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0038337-32 |
3 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0360275-19 |
4 | 의견제출통지서 | 2011.09.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0543224-75 |
5 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.11.11 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2011-0890726-86 |
6 | 서류반려이유통지서 | 2011.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0105440-15 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.11.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0923428-48 |
8 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0950516-91 |
9 | 서류반려통지서 | 2011.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0117891-18 |
10 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-1021878-92 |
11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1021879-37 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
13 | 등록결정서 | 2012.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0317559-09 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
16 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0038508-57 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
기술번호 | KST2014035933 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 성균관대학교 |
기술명 | 기판 교체시 교체 용액의 온도를 기준온도로 유지하여 ZnO 나노로드를 수직방향으로 성장시키 |
기술개요 |
본 발명은 용액 온도 유지를 통한 큰 가로세로비(high aspect ratio)를 갖는 산화아연 나노막대의 수열 합성법에 관한 것으로서, 제1 바이알 내부에 기판을 배치하고, 상온에서 바이알 내부에 아연함유 유기금속, 반응활성화제 및 용매제를 투입하는 S1 단계; 제1 바이알을 실링하는 S2 단계; 오븐에서 제1 바이알의 내부용액의 온도를 기준온도대로 상승 및 유지시키며 ZnO 나노막대를 성장시키는 S3 단계; 상기 S1 단계를 거친 제2 바이알을 상기 오븐에 넣고, 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액의 온도를 교체대상인 제1 바이알의 내부 용액의 온도로 상승시키고 에이징을 하는 S4 단계; 및 제1 바이알의 교체대상 용액에서 상기 기판을 꺼내고 교체투입용 제2 바이알의 내부 용액에 배치하면서 기판을 제2 바이알에 배치한 후 제2 바이알을 실링하는 S5 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 교체시 교체 용액의 온도를 기준온도로 유지하여 ZnO 나노막대를 수직방향으로 성장시키는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면 성장온도를 유지하는 교체될 용액이 투입됨에 따라 ZnO 나노막대의 가로세로비가 향상되어 나노막대의 직경이 축소되는 효과가 있고, 용액교체시에 교체될 용액의 온도를 교체할 용액의 온도로 유지시켜 기판상에 증착된 씨앗층의 분리의 발생이 최소화되는 효과가 있다.수열합성법, ZnO, 나노막대, 용액교체, 에이징 |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 산화아연 나노막대 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345078617 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-521-D00191 |
연구과제명 | 나노선어레이를이용한폴리머/금속산화물하이브리드태양전지개발연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200708~200907 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345099030 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0083009 |
연구과제명 | 고효율와이어태양전지제작을위한신공정연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200907~201502 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345100629 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0078876 |
연구과제명 | 친환경열전소자응용을위한다성분계신산화물열전소재개발연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200905~201202 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1355049820 |
---|---|
세부과제번호 | R01-2006-000-10027-0 |
연구과제명 | UVLED개발을위한ZnO/GaN하이브리드반도체성장및소자제작연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2007 |
연구기간 | 200603~200902 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415099408 |
---|---|
세부과제번호 | KI002182 |
연구과제명 | 차세대디스플레이용TFT백플레인기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한국디스플레이연구조합 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200903~201302 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415104760 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-A08-005 |
연구과제명 | 반도체인력양성사업 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 성균관대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200809~201308 |
기여율 | 0.16666667 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345176588 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-0009494 |
연구과제명 | 나노구조를 이용한 color tunable 수·발광소자 구현 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교(자연과학캠퍼스) |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201105~201404 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345190421 |
---|---|
세부과제번호 | 2012R1A2A4A01003849 |
연구과제명 | 친환경 열전소자 응용을 위한 다성분계 신산화물 열전소재 개발 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 성균관대학교(자연과학캠퍼스) |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201205~201504 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
[1020120116531] | 용액 공정법을 적용한 초격자 나노 입자 제작 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020120024853] | 스퍼터링을 이용한 광소자의 박막형 투명 상부전극 형성방법 | 새창보기 |
[1020110051443] | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110051436] | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110026564] | 금속산화물 나노구조체를 구비한 자외선 센서 및 이를 응용한 화재경보장치 | 새창보기 |
[1020110026124] | 금속산화물 나노구조체를 구비한 투명 자외선 센서 및 이를 응용한 화재경보장치 | 새창보기 |
[1020100121567] | 플라즈마 소스 및 이를 구비하는 플라즈마 발생장치 | 새창보기 |
[1020100066149] | 그라핀을 이용하는 태양전지 및 이의제조방법 | 새창보기 |
[1020100043227] | 이온 주입 방법에 의한 반도체 소자의 배선 형성방법 | 새창보기 |
[1020100043226] | 순환적 증착을 이용한 구리합금 형성방법 | 새창보기 |
[1020100043224] | 플라즈마 향상 화학 기상 증착을 이용한 구리합금 형성 방법 | 새창보기 |
[1020100035367] | 그라핀 시트를 포함하는 가요성 투명 전도층을 구비하는 유기전자 소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020100017932] | 중성빔 식각 장치를 이용한 원자층 식각 방법 | 새창보기 |
[1020100017864] | 중성빔을 이용한 고품위 Si 저온 증착 방법 | 새창보기 |
[1020100017829] | 중성빔을 이용한 표면 처리 방법 | 새창보기 |
[1020100017816] | 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치 | 새창보기 |
[1020100017680] | MRAM의 TMR 소자 식각 방법 | 새창보기 |
[1020100016899] | 원자층 식각 장치 | 새창보기 |
[1020100011929] | 원자층 식각에서의 반응성 Radical을 이용한 개선된 표면 흡착 방식 | 새창보기 |
[1020090134305] | 기판 교체시 교체 용액의 온도를 기준온도로 유지하여 ZnO 나노로드를 수직방향으로 성장시키 | 새창보기 |
[1020090133538] | 상부 및 하부 게이트 구조를 이용한 박막 트랜지스터 인버터 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020090128764] | 상호 도핑된 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090126122] | 듀얼 전극 구조를 적용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090122598] | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 동작 방법 | 새창보기 |
[1020090121015] | 비대칭 전극 구조를 적용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090120106] | 등기구용 유기발광다이오드 조명소자의 제조방법과 이 방법으로 제조된 조명소자 | 새창보기 |
[1020090117398] | 양자점 형성방법 | 새창보기 |
[1020090117397] | 균일한 대면적 마이크로웨이브 플라즈마 발생원을 위한 영구자석 장착형 안테나 | 새창보기 |
[1020090105417] | 매설층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090080550] | 발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[1020090078460] | 금속산화물 나노구조체의 제조방법 및 금속산화물 나노구조체가 구비된 전자소자 | 새창보기 |
[1020090068689] | 나노월을 포함하는 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 산화 | 새창보기 |
[1020090049083] | 차량용 투명 안테나 | 새창보기 |
[1020090048891] | 고온 공정에서 버퍼층을 이용한 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 및 이를 이용하는 전자 | 새창보기 |
[1020090048890] | 단결정 구조를 갖는 반도체 박막의 제조 방법 및 이를 이용하는 광전 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020090030011] | 기판처리장치 및 기판처리방법 | 새창보기 |
[1020080106533] | 금속 산화물 나노 구조체를 갖는 전자 소자, 이의 제조방법 및 이를 구비하는 전자 장치 | 새창보기 |
[1020080081669] | 반도체 나노 막대, 반도체 나노 막대의 제조방법, 반도체 나노 막대를 포함하는 태양 전지~ | 새창보기 |
[KST2015012247][성균관대학교] | 생체모방물질을 이용한 칼슘포스페이트 나노입자 제제 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2015143601][성균관대학교] | 코어-셸 구조의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어, ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 그 형성방법 및 ZnSnO3/ZnO 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자와, ZnSnO3 나노와이어의 그 형성방법 및 ZnSnO3 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자 | 새창보기 |
[KST2014035637][성균관대학교] | 그라핀 산화물 / 생분해성 고분자 나노섬유 복합체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015143687][성균관대학교] | 그래핀상의 하이브리드 나노구조체 형성 방법 | 새창보기 |
[KST2014056681][성균관대학교] | AZO버퍼층이 형성된 나노 구조체 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015143215][성균관대학교] | 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015143155][성균관대학교] | 나노와이어와 나노도트의 복합체 및 이를 구비하는 광소자 | 새창보기 |
[KST2014035672][성균관대학교] | 금속산화물 나노구조체의 제조방법 및 금속산화물 나노구조체가 구비된 전자소자 | 새창보기 |
[KST2015143341][성균관대학교] | 비활성 나노입자의 촉매 활성 증가 방법 | 새창보기 |
[KST2015144613][성균관대학교] | 전계방출특성이 향상된 루테늄 나노입자가 결합된 탄소나노튜브 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015144039][성균관대학교] | 그래핀 나노시트를 이용한 실리콘/전이금속 나노 혼성체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 그래핀 나노시트를 이용한 실리콘/전이금속 나노 혼성체 | 새창보기 |
[KST2014053845][성균관대학교] | 덱스트란 설페이트를 포함하는 블록공중합체로 도포된 산화철 복합 나노입자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 동맥경화 진단용 조영제 | 새창보기 |
[KST2014059685][성균관대학교] | 고분자/금속 혼성박막의 표면주름 현상을 이용한 계층 구조를 갖는 초소수성 표면의 형성 방법 | 새창보기 |
[KST2016001246][성균관대학교] | 금속-탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015144442][성균관대학교] | 다공성 나노 구조체 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014059691][성균관대학교] | 항산화성 미셀을 주형으로 하는 수지상 금 나노 입자의 제조 | 새창보기 |
[KST2014040015][성균관대학교] | 나노월을 포함하는 산화아연계 2차원 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 산화 | 새창보기 |
[KST2014035938][성균관대학교] | 산소 플라즈마를 이용하여 초친수성 표면개질된 산화티타늄 나노구조물 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015144427][성균관대학교] | 전기 폭발법을 이용한 다중층 그래핀이 코팅된 복합체 분말의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015143750][성균관대학교] | 복합 담체, 이의 제조 방법, 이를 포함한 전극 촉매 및 상기 전극 촉매를 포함한 막-전극 접합체 및 연료 전지 | 새창보기 |
[KST2016001245][성균관대학교] | 탄소나노튜브의 분산방법, 탄소나노튜브 분산장치 및 이에 의하여 얻어진 탄소나노튜브 분산체 | 새창보기 |
[KST2015143016][성균관대학교] | 나노입자 제조방법, 나노입자 및 이를 포함한 전극을구비한 리튬 전지 | 새창보기 |
[KST2015144557][성균관대학교] | 탄소나노튜브 소자 어레이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014030879][성균관대학교] | 나노소자 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015143571][성균관대학교] | 고온볼밀을 이용한 금속/탄소나노튜브 복합체 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014027884][성균관대학교] | 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선 | 새창보기 |
[KST2014027872][성균관대학교] | 자성 나노 입자 배열, 이의 제조방법 및 이를 이용한 자기 저장매체 | 새창보기 |
[KST2015144331][성균관대학교] | 액상 증착 기술을 이용한 나노구조체의 제조방법 및 그에의해 제조된 나노구조체 | 새창보기 |
[KST2021004060][성균관대학교] | 단분자 나노 박막 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015143208][성균관대학교] | 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|