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2차원 템플레이트, 이의 제조 방법, 다공성 나노 시트, 이의 제조 방법 및 전극 구조체(TWO-DIMENSIONAL TEMPLATE, METHOD OF MANUFACTURING THE TEMPLATE, POROUS NANOSHEET, METHOD OF MANUFACTURING THE NANOSHEET, AND ELECTRODE STRUCTURE)

  • 기술번호 : KST2016005726
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 2차원 템플레이트, 이의 제조 방법, 다공성 나노 시트, 이의 제조 방법 및 전극 구조체에서, 2차원 템플레이트는 2차원 탄소층 및 2차원 탄소층 상에 형성되고, 지르코늄(Zr) 및 실리콘(Si)을 포함하는 2원계 복합 산화물로 이루어진 다공성층을 포함한다.
Int. CL B01J 20/02 (2006.01) C01G 41/02 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01) B01J 35/10 (2006.01) C01B 33/113 (2006.01) C01G 25/02 (2006.01) B01J 20/30 (2006.01)
CPC B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01) B01J 35/10(2013.01)
출원번호/일자 1020140094858 (2014.07.25)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1601454-0000 (2016.03.02)
공개번호/일자 10-2016-0012750 (2016.02.03) 문서열기
공고번호/일자 (20160308) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창구 대한민국 서울특별시 강동구
2 이혜민 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 정경화 대한민국 부산광역시 사상구
4 이희웅 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 김상욱 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0704579-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0099131-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0574556-82
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1034880-26
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1112813-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1112845-46
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0149462-76
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
2차원 평면형의 2차원 탄소층 상에, 지르코늄(Zr) 및 실리콘(Si)을 포함하는 2원계 복합 산화물을 포함하는 다공성층이 형성된 2차원 템플레이트를 형성하는 단계;상기 2차원 템플레이트에, 산화 텅스텐 전구체 용액을 흡수시키는 단계; 및산화 텅스텐 전구체 용액을 흡수한 2차원 템플레이트를 하소시켜 상기 2차원 템플레이트의 공극보다 작은 부피의 공극을 형성하는 금속 산화물을 상기 다공성층의 공극 내에 형성하는 동시에 상기 2차원 탄소층을 제거하는 단계를 포함하는, 다공성 나노 시트의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 2차원 탄소층을 제거하는 단계는질소 가스 및 산소 가스 분위기 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는,다공성 나노 시트의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 2차원 탄소층은산화 그래핀 박막, 그래핀 박막 또는 그래파이트 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는,다공성 나노 시트의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 2차원 템플레이트를 형성하는 단계에서 상기 다공성층이 갖는 공극의 크기는 5 nm 내지 20 nm인 공극을 포함하는 것을 특징으로 하는,다공성 나노 시트의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 2차원 템플레이트를 형성하는 단계는2차원 탄소층 및 비이온성 계면활성제를 포함하는 분산액을 준비하는 단계;상기 분산액에, 실리카 전구체와 지르코니아 전구체를 혼합하는 단계; 및상기 실리카 전구체와 상기 지르코니아 전구체가 반응하여, 상기 2차원 탄소층 표면에 지르코늄(Zr) 및 실리콘(Si)을 포함하는 2원계 복합 산화물로 이루어진 다공성층을 형성하는 단계를 포함하는,다공성 나노 시트의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 2차원 템플레이트를 형성하는 단계는상기 실리카 전구체와 상기 지르코니아 전구체의 반응으로 2원계 복합 산화물을 형성한 후, 상기 계면활성제를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는,다공성 나노 시트의 제조 방법
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금속 박막; 및상기 금속 박막 상에 형성되고, 청구항 1의 제조 방법에 따라 제조된 다공성 나노 시트 및 바인더 수지를 포함하는 전극층을 갖는 것을 특징으로 하는,전극 구조체
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청구항 1의 제조 방법에 따라 제조된 다공성 나노 시트
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