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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 광자결정 박막을 형성하는 단계;상기 광자결정 박막 상에 고체 고분자 전해질을 이용하여, 고체 고분자 박막을 형성하는 단계;상기 고체 고분자 박막 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 고체 고분자 박막은, 고분자 모체와 이온성 액체와 용매를 포함하는 고체 고분자 전해질 용액을 상기 광자결정 박막에 적하하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 광자결정 박막은 블록공중합체를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 블록공중합체로서 PS-b-P2VP(polystyrene-b-poly(2-vinylpyridine)(Ps-b-P2VP)를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결졍 소자 제조 방법
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청구항 2에 있어서, 상기 광자결정박막은 상기 블록공중합체를 용매에 녹여 형성한 용액을 상기 기판 상에 블록공중합체 박막 형태로 형성하고, 상기 블록공중합체 박막에 대해 어닐링 처리한 후 4차화 반응을 적용하는 과정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고분자 모체로서 소수성 특성을 갖는 고분자를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고분자 모체로서 PVDF-TrFE를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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8
청구항 6에 있어서, 상기 이온성 액체로서 상기 광자결정 박막 중으로 침투가능한 이온을 갖는 이온성 액체를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 이온성 액체로서 친수성 특성을 갖는 이온성 액체를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 이온성 액체로서 Bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium(LiTFSI)를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 고체 고분자 전해질 용액 중의 이온성 액체의 농도에 따라 상기 광자결정 박막의 광밴드갭이 변동하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자 제조 방법
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기판과;상기 기판 상에 형성된 광자결정 박막과;상기 광자결정 박막 상에 고체 고분자 전해질을 이용하여 형성된 고체 고분자 박막과;상기 고체 고분자 박막 상에 형성된 전극을 포함하고, 상기 고체 고분자 박막은, 고분자 모체와 이온성 액체와 용매를 포함하는 고체 고분자 전해질 용액을 상기 광자결정 박막에 적하하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 12에 있어서, 상기 광자결정 박막은 블록공중합체를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 13에 있어서, 상기 블록공중합체로서 PS-b-P2VP(polystyrene-b-poly(2-vinylpyridine)(Ps-b-P2VP)를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결졍 소자
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청구항 13에 있어서, 상기 광자결정박막은 상기 블록공중합체를 용매에 녹여 형성한 용액을 상기 기판 상에 블록공중합체 박막 형태로 형성하고, 상기 블록공중합체 박막에 대해 어닐링 처리한 후 4차화 반응을 적용하는 과정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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삭제
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청구항 12에 있어서, 상기 고분자 모체는 소수성 특성을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 17에 있어서, 상기 고분자 모체는 PVDF-TrFE인 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 17에 있어서, 상기 이온성 액체는 상기 광자결정 박막 중으로 침투가능한 이온을 갖는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 19에 있어서, 상기 이온성 액체는 친수성 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 20에 있어서, 상기 이온성 액체로서 Bis(trifluoromethane)sulfonimide lithium(LiTFSI)를 이용하는 것을 특징으로 하는 광자결정 소자
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청구항 12에 따른 광자결정 소자를 포함하는 반사형 디스플레이 장치
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