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고출력 전압 자기저항 소자(HIGH SENSING-VOLTAGE MAGENTO-RESISTANCE DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016007135
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고출력 전압 자기저항 소자가 개시된다. 이는 고정층과, 자유층과, 고정층과 자유층 사이에 개재된 비자성체층을 포함하는 자기터널 접합 구조를 포함하고, 자기터널 접합 구조는 길이방향을 따라 하나 이상의 절곡부위를 포함하여 고정층과 자유층의 자화방향이 평행 또는 반평행 부위와 교차 부위를 포함한다. 이러한 자기저항 소자는 센싱을 위한 출력 전압이 높아서 외부 증폭 회로를 부가할 필요가 없다.
Int. CL
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020140108175 (2014.08.20)
출원인 세종대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0022970 (2016.03.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 세종대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구 능동로 *** (군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태완 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 김성용 대한민국 인천광역시 남구
3 이하나 대한민국 서울특별시 금천구
4 김영광 대한민국 경기도 평택

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0786770-26
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0808620-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0918172-67
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0173939-48
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0447227-00
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자기저항 소자로서:고정층과, 자유층과, 상기 고정층과 상기 자유층 사이에 개재된 비자성체층을 포함하는 자기터널 접합 구조를 포함하고,상기 자기터널 접합 구조는 길이방향을 따라 하나 이상의 절곡부위를 포함하여 상기 고정층과 상기 자유층의 자화방향이 평행 또는 반평행 부위와 교차 부위를 포함하는, 고출력 전압 자기저항 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 평행 또는 반편형 부위와 상기 교차 부위는 교번적으로 배열된 것인, 고출력 전압 자기저항 소자
3 3
청구항 1에 있어서,상기 자기터널 접합 구조는 사각 파형의 형태를 가지는 것인, 고출력 전압 자기저항 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 자화방향의 교차는 직교 교차인, 고출력 전압 자기저항 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 산업융합원천사업 저전력 차세대메모리용 자기저항변화(자기저항비 120% 이상) 및 고신뢰성 터널베리어 신소재 개발