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메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015141741
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 상에 하부 전극, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고, 상기 하부 전극은 다결정 구조의 제 1 하부 전극과 비정질 구조의 제 2 하부 전극이 적층 형성되며, 상기 캐핑층은 그 두께 변화에 따른 자기 저항비의 변화가 35% 이내인 물질로 형성된 메모리 소자를 제시한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01) G11C 11/15(2013.01)
출원번호/일자 1020130090701 (2013.07.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1636492-0000 (2016.06.29)
공개번호/일자 10-2015-0015601 (2015.02.11) 문서열기
공고번호/일자 (20160720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.11)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기 성남시 분당구
2 이두영 대한민국 서울 성동구
3 이승은 대한민국 서울 동작구
4 전민수 대한민국 경기 성남시 분당구
5 심태헌 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0694691-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0756658-73
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0852327-87
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0124193-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0124165-44
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0449912-79
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-0679268-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 하부 전극, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 하부 전극은 다결정의 제 1 하부 전극과 비정질의 제 2 하부 전극이 적층 형성되며,상기 캐핑층은 0
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 다결정의 제 1 하부 전극의 결정 구조를 따라 상기 제 2 하부 전극 및 상기 자기 터널 접합이 비정질로 성장되는 메모리 소자
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 제 1 하부 전극은 다결정의 금속 질화물을 포함하고, 제 2 하부 전극은 비정질의 금속을 포함하는 메모리 소자
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 제 1 하부 전극은 TiN를 포함하고, 상기 제 2 하부 전극은 Ta를 포함하는 메모리 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 캐핑층의 0
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 캐핑층은 Ti를 포함하는 메모리 소자
9 9
삭제
10 10
기판 상에 하부 전극, 자기 터널 접합, 캐핑층, 합성 교환 반자성층 및 상부 전극이 적층 형성되고,상기 캐핑층은 0
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 하부 전극은 다결정의 제 1 하부 전극과 비정질의 제 2 하부 전극이 적층 형성된 메모리 소자
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 다결정의 제 1 하부 전극의 결정 구조를 따라 상기 제 2 하부 전극 및 상기 자기 터널 접합이 비정질로 성장되는 메모리 소자
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 제 1 하부 전극은 다결정의 금속 질화물을 포함하고, 제 2 하부 전극은 비정질의 금속을 포함하는 메모리 소자
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 제 1 하부 전극은 TiN를 포함하고, 상기 제 2 하부 전극은 Ta를 포함하는 메모리 소자
15 15
삭제
16 16
청구항 10에 있어서, 상기 캐핑층의 0
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 캐핑층은 Ti를 포함하는 메모리 소자
18 18
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 개인연구지원사업(중견연구) 3차원 적층cross-bar 수직형 스핀토크 자기저항 메모리 집적화 기술 연구