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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 게이트 전극 상부에 하기 화학식 1로 표시되는 폴리실라잔(Polysilazane) 화합물을 포함하는 유전체 조성물을 도포하여 막을 제조하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 제조된 막을 200℃ 내지 250℃의 온도로 가열하여 게이트 절연막을 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 형성된 게이트 절연막 상부에 반도체 박막을 형성하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 형성된 반도체 박막 상부에 소스(Source)와 드레인(Drain) 전극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법:003c#화학식 1003e#(상기 화학식 1에서,R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 하이드록시기, 아미노기, 실릴기, 직쇄 또는 측쇄의 C1-9 알킬 또는 C5-12 알릴이고,R3는 수소, 하이드록시기, 직쇄 또는 측쇄 C1-9 알킬 또는 C5-12 알릴이고,n은 10 내지 1,000,000이다)
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제1항에 있어서,상기 단계 3은 250℃의 온도로 가열하여 게이트 절연막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 도포는 잉크젯 프린팅(Ink-jet printing), 롤 프린팅(Roll printing), 그라비아 프린팅(Gravure printing), 에어로졸 프린팅(Aaerosol printing), 스크린 프린팅(Screen printing), 롤 코팅(Roll coating), 스핀 코팅(Spin coating), 바 코팅(Bar coating), 스프레이 코팅(Spray coating) 및 딥 코팅(Dip coating)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 4의 반도체 박막을 형성하는 단계는,산화재료인 금속 A의 질화물(nitrate)과 연료재료인 금속 B의 하기 화학식 2로 표현되는 착화물을 포함하고, 상기 금속 A 및 금속 B는 각각 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종의 금속이며, 금속 A와 금속 B는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 반도체 잉크 조성물을 게이트 절연막 상부로 도포하여 막을 제조하는 단계(단계 a); 및상기 단계 a에서 제조된 막을 열처리하는 단계(단계 b);를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법:003c#화학식 2003e#(상기 화학식 2에서,R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 수소 또는 C1-2 알킬이고, 여기서 C1-2 알킬은 하나 이상의 F로 치환될 수 있다)
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제8항에 있어서,상기 단계 a의 반도체 잉크 조성물은 산화재료로서 금속 C의 질화물(nitrate)과 연료재료로서 금속 C의 상기 화학식 2로 표현되는 착화물로부터 선택되는 1 종 이상을 더 포함하고, 상기 금속 C는 인듐, 갈륨, 아연, 티타늄, 알루미늄, 리튬 및 지르코늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 종의 금속이며, 금속 C는 상기 금속 A 및 금속 B와 서로 상이한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 단계 a의 금속 A 및 금속 B가 아연 또는 인듐일 때, 아연 : 인듐이 1 : 0
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제8항에 있어서,상기 단계 a의 반도체 잉크 조성물은 용매를 더 포함하고, 산화재료, 연료재료 및 용매의 혼합물의 농도는 0
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제8항에 있어서,상기 단계 b의 열처리는 200 ℃ 내지 250 ℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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