| 1 |
1
양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 유기 발광 다이오드
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 정공 주입층은 미리 설정된 온도에서 열처리되거나, UV 처리된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
|
| 6 |
6
제5항에 있어서, 상기 정공 주입층의 열처리 온도는 150 내지 250℃ 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
|
| 7 |
7
양극, 정공 주입·수송층, 발광층, 전자수송층 및 음극을 포함하는 유기 발광 다이오드에 있어서, 상기 정공 주입·수송층은 Ga이 포함된 p형 산화물 반도체인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
|
| 8 |
8
진공증착공정에 의해 기판 상에 양극을 형성하는 단계;용액공정에 의해, 상기 양극 상에 정공 주입층을 형성하는 단계;진공증착공정에 의해, 상기 정공 주입층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계; 진공증착공정에 의해, 상기 정공 수송층 상에 발광층을 형성하는 단계; 진공증착공정에 의해, 상기 발광층 상에 전자 수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 정공 주입층은, Ga이 포함된 p형 산화물 반도체를 용매에 혼합한 용액으로 성막하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 CuS 및 SnO에 상기 Ga이 포함된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 10 |
10
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 Ga은 전체 조성 대비, 10 내지 70 퍼센트(atomic 퍼센트) 범위인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3에서 선택되는 1종 이상으로 표현되는 것인 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서, 상기 용매는 에틸렌 글리콜에 아세토나이트릴, DI water, 알코올, 사이클로헥산(cyclohexane), 톨루엔(toluene) 및 유기 용매 중 적어도 하나를 5 내지 50 부피 퍼센트로 혼합한 것인 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 13 |
13
제8항에 있어서, 상기 p형 산화물 반도체는, (a) Cu, S, M, 및 Ga이 포함된 전구체 용액을 제조하는 단계(여기서, M은, SnO, ITO, IZTO, IGZO, 및 IZO에서 선택되는 1종 이상의 화합물이다);(b) 상기 전구체 용액을 기판 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 코팅층을 열처리하는 단계를 순차적으로 포함하는 과정에 의해 제조되는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 전구체 용액은, [CuTu3]Cl를 포함하는 것임을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서, 상기 전구체 용액은, Thiourea를 포함하는 것임을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 16 |
16
제8항에 있어서, 상기 정공 주입층은 미리 설정된 온도에서 열처리되거나, UV 처리된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
| 17 |
17
제16항에 있어서, 상기 정공 주입층의 열처리 온도는 150 내지 250℃ 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 제조 방법
|
