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고분자튜브의 표면처리장치에 있어서,고분자튜브(100);상기 고분자튜브(100) 내부를 진공 상태로 만드는 진공형성부(200);반응성 활성종의 형성을 위한 반응가스를 공급하는 반응가스공급부(300);상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마화하는 기능을 구비하는 전극부(400); 상기 전극부(400)에 전압을 인가하는 전원부(500); 및상기 고분자튜브(100) 및 상기 전극부(400)를 길이방향으로 상대이동시키는 기능을 구비하는 이송부(600);를 포함하여 이루어지고, 상기 고분자튜브(100)의 표면처리 과정에서 상기 고분자튜브 내부는 밀폐공간이 되는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1에 있어서,상기 고분자튜브 내면의 표면개질장치는, 상기 고분자튜브(100)와 상기 진공형성부(200) 사이 및 상기 고분자튜브(100)와 상기 반응가스공급부(300) 사이에 각각 설치되어, 상기 고분자튜브(100) 내부를 밀폐공간으로 형성하는 기능을 구비하는 어댑터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1에 있어서,상기 이송부(600)는, 상기 고분자튜브(100)의 일측말단과 연결되는 제1윈치(감기윈치)와 상기 고분자튜브(100)의 타측말단과 연결되는 제2윈치(풀기윈치)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 3에 있어서,상기 이송부(600)는, 상기 고분자튜브(100)와 상기 진공형성부(200) 사이 및 상기 고분자튜브(100)와 상기 반응가스공급부(300) 사이에 각각 설치되어, 상기 고분자튜브 내부를 밀폐공간으로 형성하는 어댑터의 기능을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1에 있어서,상기 고분자튜브 내면의 표면개질장치는, 상기 고분자튜브(100) 내부의 진공도 또는 반응가스 분압을 측정하여 표시하는 측정부(800);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1에 있어서,상기 고분자튜브(100)는, 가요성(flexible)이 있는 유전체(dielectric material)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 6에 있어서,상기 고분자튜브(100)는, PTFE, FEP, PFA, PE, PDMS, PU, Silicone 및 EVA(Ethylene vinyl acetate)중 어느 하나 또는 이들의 공중합체로 된 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1에 있어서,상기 전극부(400)는, 제1전극(금속전극) 및 제2전극(유전체전극)을 포함하여 이루어지 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 8에 있어서,상기 제2전극(유전체전극)의 재질은, 세라믹계 또는 고분자계인 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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10
청구항 1에 있어서,상기 반응가스공급부(300)로부터 공급되는 반응가스는, Ar, H2, C2H2, N2, O2 또는 He 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1에 있어서,상기 반응가스공급부(300)는, 가스유량제어장치(MFC, Mass Flow Controller)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
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청구항 1 내지 청구항 11 중 선택되는 어느 한 항의 고분자튜브 내면의 표면개질장치를 이용한 표면처리방법에 있어서, 상기 이송부(600)에 고분자튜브(100)를 위치시키는 단계(S10);(b) 상기 고분자튜브(100) 내부를 진공 배기하는 단계(S20);(c) 상기 고분자튜브(100) 내부에 소정의 분압을 형성할 때까지 소정의 반응가스를 투입하는 단계(S30);(d) 상기 전극부(400)에 전압이 인가되어, 유전체 장벽방전(DBD) 플라즈마를 발생시키는 단계(S40);및 (e) 상기 이송부(600)를 구동하여 상기 고분자튜브(100)를 상기 전극부(400)에 대해 상대이동시키면서, 상기 고분자튜브 내면을 길이 방향에 대해 연속적으로 표면처리하는 단계(S50);를 포함하여 이루어지는 고분자튜브 내면의 표면개질방법
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청구항 12에 있어서,상기 반응가스가 상기 고분자튜브(100) 내면을 친수성(Hydrophilic) 또는 친유성(Hydrophobic)으로 개질하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질방법
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청구항 12의 표면개질방법을 이용하여 내면의 표면이 개질된 고분자튜브(100)
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