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고분자튜브 내면의 표면개질장치 및 이를 이용하는 표면개질방법.(A equipment of modifying a surface in a polymer tube inner side and a surface modifying method therewith)

  • 기술번호 : KST2016008251
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 진공과 플라즈마 방전기술을 접목하여 소구경 고분자튜브의 내면표면을 친수성 또는 친유성(소수성)으로 만드는 반응성 활성종의 형성을 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치와 표면개질방법에 관한 것이며, 고분자튜브와 고분자튜브 내면을 진공 상태로 만드는 진공형성부와 고분자튜브 내면에 반응성 활성종의 형성을 위한 반응가스를 공급하는 반응가스공급부와 반응가스를 방전시켜 플라즈마화하는 기능을 구비하는 전극부와 전극부에 전압을 인가하는 전원부와 고분자튜브를 길이방향으로 상대이동시키는 기능을 구비하는 이송부를 포함하여 이루어지고, 고분자튜브의 내면 처리 과정에서 고분자튜브 내면은 밀폐공간이 되는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치 및 이를 이용하는 표면개질방법을 개시한다.
Int. CL C08J 7/12 (2006.01) B01J 19/08 (2015.01) C08J 3/28 (2006.01) C08J 7/18 (2006.01)
CPC C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01) C08J 7/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140126962 (2014.09.23)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1613432-0000 (2016.04.12)
공개번호/일자 10-2016-0035682 (2016.04.01) 문서열기
공고번호/일자 (20160420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용기 대한민국 경기 안산시 상록구
2 문경일 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0903248-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.01.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0017234-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0618357-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1088316-07
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1088341-38
8 등록결정서
Decision to grant
2016.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0225441-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자튜브의 표면처리장치에 있어서,고분자튜브(100);상기 고분자튜브(100) 내부를 진공 상태로 만드는 진공형성부(200);반응성 활성종의 형성을 위한 반응가스를 공급하는 반응가스공급부(300);상기 반응가스를 방전시켜 플라즈마화하는 기능을 구비하는 전극부(400); 상기 전극부(400)에 전압을 인가하는 전원부(500); 및상기 고분자튜브(100) 및 상기 전극부(400)를 길이방향으로 상대이동시키는 기능을 구비하는 이송부(600);를 포함하여 이루어지고, 상기 고분자튜브(100)의 표면처리 과정에서 상기 고분자튜브 내부는 밀폐공간이 되는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
2 2
청구항 1에 있어서,상기 고분자튜브 내면의 표면개질장치는, 상기 고분자튜브(100)와 상기 진공형성부(200) 사이 및 상기 고분자튜브(100)와 상기 반응가스공급부(300) 사이에 각각 설치되어, 상기 고분자튜브(100) 내부를 밀폐공간으로 형성하는 기능을 구비하는 어댑터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
3 3
청구항 1에 있어서,상기 이송부(600)는, 상기 고분자튜브(100)의 일측말단과 연결되는 제1윈치(감기윈치)와 상기 고분자튜브(100)의 타측말단과 연결되는 제2윈치(풀기윈치)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
4 4
청구항 3에 있어서,상기 이송부(600)는, 상기 고분자튜브(100)와 상기 진공형성부(200) 사이 및 상기 고분자튜브(100)와 상기 반응가스공급부(300) 사이에 각각 설치되어, 상기 고분자튜브 내부를 밀폐공간으로 형성하는 어댑터의 기능을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
5 5
청구항 1에 있어서,상기 고분자튜브 내면의 표면개질장치는, 상기 고분자튜브(100) 내부의 진공도 또는 반응가스 분압을 측정하여 표시하는 측정부(800);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
6 6
청구항 1에 있어서,상기 고분자튜브(100)는, 가요성(flexible)이 있는 유전체(dielectric material)로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
7 7
청구항 6에 있어서,상기 고분자튜브(100)는, PTFE, FEP, PFA, PE, PDMS, PU, Silicone 및 EVA(Ethylene vinyl acetate)중 어느 하나 또는 이들의 공중합체로 된 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
8 8
청구항 1에 있어서,상기 전극부(400)는, 제1전극(금속전극) 및 제2전극(유전체전극)을 포함하여 이루어지 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
9 9
청구항 8에 있어서,상기 제2전극(유전체전극)의 재질은, 세라믹계 또는 고분자계인 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
10 10
청구항 1에 있어서,상기 반응가스공급부(300)로부터 공급되는 반응가스는, Ar, H2, C2H2, N2, O2 또는 He 중 선택되는 어느 하나 또는 이들의 혼합가스인 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
11 11
청구항 1에 있어서,상기 반응가스공급부(300)는, 가스유량제어장치(MFC, Mass Flow Controller)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질장치
12 12
청구항 1 내지 청구항 11 중 선택되는 어느 한 항의 고분자튜브 내면의 표면개질장치를 이용한 표면처리방법에 있어서, 상기 이송부(600)에 고분자튜브(100)를 위치시키는 단계(S10);(b) 상기 고분자튜브(100) 내부를 진공 배기하는 단계(S20);(c) 상기 고분자튜브(100) 내부에 소정의 분압을 형성할 때까지 소정의 반응가스를 투입하는 단계(S30);(d) 상기 전극부(400)에 전압이 인가되어, 유전체 장벽방전(DBD) 플라즈마를 발생시키는 단계(S40);및 (e) 상기 이송부(600)를 구동하여 상기 고분자튜브(100)를 상기 전극부(400)에 대해 상대이동시키면서, 상기 고분자튜브 내면을 길이 방향에 대해 연속적으로 표면처리하는 단계(S50);를 포함하여 이루어지는 고분자튜브 내면의 표면개질방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 반응가스가 상기 고분자튜브(100) 내면을 친수성(Hydrophilic) 또는 친유성(Hydrophobic)으로 개질하는 것을 특징으로 하는 고분자튜브 내면의 표면개질방법
14 14
청구항 12의 표면개질방법을 이용하여 내면의 표면이 개질된 고분자튜브(100)
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.