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산화아연 씨드(seed)층이 형성된 기판을 준비하는 단계;하부 액상마스크층, 수열합성용 전구용액층, 및 상부 액상마스크층이 순차적으로 구비된 반응기 내에 상기 기판을 배치하는 단계; 및상기 수열합성용 전구용액층에 열을 가하여 수열합성 반응을 통해 상기 기판 상에 패턴화된 산화아연 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 하부 액상마스크층은 상기 수열합성용 전구용액층보다 밀도가 높은 물질이며, 상기 상부 액상마스크층은 상기 수열합성용 전구용액층보다 밀도가 낮은 물질인 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 하부 액상마스크층 및 상기 상부 액상마스크층은,상기 수열합성용 전구용액층과 혼합되지 않는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수열합성용 전구용액층은 아연 전구체 용액 및 암모니아수를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 아연 전구체 용액은, 아연아세테이트(Zn(CH3CO2)2), 질산아연(Zn(NO3)2), 황산아연(ZnSO4), 염화아연(ZnCl2), 및 이들의 유도체 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수열합성용 전구용액층은 상기 산화아연 나노구조체의 모양을 제어하는 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 첨가제는 폴리에틸렌이민, 에틸렌디아민, 및 구연산나트륨 중에서 선택되는 적어도 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 상부 액상마스크층에 의해 상기 반응기 내에 pH의 농도를 일정하게 유지시키는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수열합성용 전구용액층에 열을 가하여 수열합성 반응을 통해 상기 기판 상에 패턴화된 산화아연 나노구조체를 형성하는 단계는,상기 수열합성용 전구용액층에 70℃ 내지 200℃의 온도범위로 열을 가하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 수열합성용 전구용액층의 높이를 조절하여 상기 기판과 상기 수열합성용 전구용액층의 접촉면적을 변화시켜, 상기 기판에 형성되는 패턴화된 산화아연 나노구조체의 패턴너비를 제어하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판 상에 패턴화된 산화아연 나노구조체를 형성하는 단계에서,상기 반응기 내에서의 상기 기판의 이동형태 및 이동속도를 조절하여, 상기 산화아연 나노구조체의 패턴형태를 제어하는 것을 특징으로 하는 액상마스크층을 이용한 산화아연 나노구조체의 제조방법
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