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기판; 음극; 전자수송층; 광활성층; 정공수송층; 및 양극;을 포함하되, 상기 전자수송층은, 은 나노입자 코어(core); 상기 은 나노입자를 둘러싸는 실리콘 산화물 쉘(shell); 및 상기 실리콘 산화물 쉘을 둘러싸는 산화아연 쉘을 포함하는 삼중 코어쉘 나노입자 및 반도체 산화물 나노입자를 포함하며,상기 삼중 코어쉘 나노입자는 상기 반도체 산화물 나노입자에 대하여 0
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제 14항에 있어서, 상기 반도체 산화물 나노입자는 산화아연, 산화갈륨, 산화인듐, 산화주석 및 산화타이타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 반도체 산화물로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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기판 상부에 음극층을 형성하는 단계 (단계 1); 은 나노입자 코어(core); 상기 은 나노입자를 둘러싸는 실리콘 산화물 쉘(shell); 및 상기 실리콘 산화물 쉘을 둘러싸는 산화아연 쉘을 포함하는 3중 코어쉘 나노입자 0
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제 16항에 있어서, 상기 단계 2의 전자수송층은 은 나노입자 코어(core); 상기 은 나노입자를 둘러싸는 실리콘 산화물 쉘(shell); 및 상기 실리콘 산화물 쉘을 둘러싸는 산화아연 쉘을 포함하는 삼중 코어쉘 나노입자를 제조하는 단계 (단계 A);반도체 산화물 나노입자를 제조하는 단계 (단계 B); 삼중 코어쉘 입자 0
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제 16항에 있어서, 상기 음극층은 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO, fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 이루어진 군으로부터 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 광활성층은 [6,6]- phenyl-C60 butyric acid methyl ester(PCBM), poly[2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene](MEH-PPV), poly(3-hexylthiophene(P3HT) 및 poly[N-9"-hepta-decanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)](PCDTBT)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 정공수송층은 삼산화몰리브덴(MoO3), 산화크롬(CrOX ), 오산화바나듐(V2O5) 및 산화니켈(NiO)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 양극층은 은(Ag), 금(Au) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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