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n 형 클래딩층(cladding layer);상기 n 형 클래딩층 상에 형성되는 제 1 SCH(Separate-Confinement Heterostructure)층;상기 제 1 SCH층 상에 형성되는 양자 우물층;상기 양자 우물층 상에 형성되는 제 2 SCH층;상기 제 2 SCH층 상에 형성되는 p 형 클래딩층; 및상기 n 형 클래딩층의 소정 지점에 삽입되며, 상기 n 형 클래딩층과 이종(異種)의 물질로 구성되는 적어도 하나의 모드 제어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 모드 제어층은,상기 n 형 클래딩층보다 굴절률이 큰 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 모드 제어층은,상기 제 1 SCH층 또는 제 2 SCH층과 동종(同種)의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자
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제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 모드 제어층은 복수 개이며,복수 개의 모드 제어층 각각은 상기 n형 클래딩층 내에서 소정 간격 이격되어 위치되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자
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제1항에 있어서,상기 제 1 SCH층과 상기 제 2 SCH층의 두께는,동일한 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자
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제1항에 있어서,상기 n형 클래딩층과, 상기 p형 클래딩층은,조성비가 동일한 동종(同種)의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자
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7
레이저 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서,n 형 클래딩층을 기판 상에 형성하면서, n 형 클래딩층의 소정 지점에 상기 n 형 클래딩층과 이종(異種)의 물질로 구성되는 적어도 하나의 모드 제어층을 형성하는 단계;상기 n 형 클래딩층 상에 제 1 SCH층을 형성하는 단계;상기 제 1 SCH층 상에 양자 우물층을 형성하는 단계;상기 양자 우물층 상에 제 2 SCH층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 SCH층 상에 p 형 클래딩층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조 방법
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8
제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 모드 제어층은,상기 n 형 클래딩층보다 굴절률이 큰 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 모드 제어층은,상기 제 1 SCH층 또는 제 2 SCH층과 동종(同種)의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조 방법
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10
제7항에 있어서,상기 적어도 하나의 모드 제어층은 복수 개이며,복수 개의 모드 제어층 각각은 상기 n형 클래딩층 내에서 소정 간격 이격되어 위치되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 제 1 SCH층과 상기 제 2 SCH층의 두께는,동일한 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 n형 클래딩층과, 상기 p형 클래딩층은,조성비가 동일한 동종(同種)의 물질로 구성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드 소자의 제조 방법
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