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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계;상기 가용성 희생층 상에 펠리클막을 형성하는 단계;상기 펠리클막 상에 펠리클 프레임을 형성하는 단계; 및상기 가용성 희생층을 식각하여 상기 기판으로부터 상기 펠리클막을 분리시키는 단계를 포함하고,상기 기판을 준비하는 단계 및 상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계 사이에 또는 상기 기판 상에 가용성 희생층을 형성하는 단계 및 상기 가용성 희생층 상에 펠리클막을 형성하는 단계 사이에,상기 기판 또는 상기 가용성 희생층 상에 소수성 처리하는 단계를 더 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층을 식각하는 단계는 습식식각을 이용하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층의 두께는 1 Å 내지 100000 Å인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층의 표면 단차는 1 Å 내지 1000 Å이하인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층을 식각하는 단계는 10 분 이하 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층은 무기 용매 또는 유기 용매에 용해되는 물질을 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층은 유기물 또는 고분자를 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 가용성 희생층은 아세틸렌(acetylene), 아크릴 아마이드(acrylamide), 아크릴레이트 에스터(acrylate esters), 아크릴릭산(acrylic acid), 아크릴로 나이트릴(acrylonitrile), 알킬비닐에테르(alkyl vinyl ethers), 아믹 에시드(amic acids), 아릴설포네이트(aryl sulfonates), 부타디엔(butadiene), ε-카프로락탐(ε-caprolactam), 셀룰로오스(cellulose), 셀룰로오스 에테르(cellulose ethers), 셀룰로오스 트리아세테이트(cellulose triacetate), 클로로프렌(chloroprene), 에틸렌(ethylene), 에틸렌 프탈아마이드(ethylene phthalamide), 에틸렌 테레프탈레이트(ethylene terephthalate), 에틸렌 옥사이드(ethylene oxide), 포름알데히드(formaldehyde), 헥사메틸렌 아디페이트(hexamethylene adipate), 이소부텐(isobutene), 이소프렌(isoprene), 락틱산(lactic acid), 말레산 무수물(maleic anhydride), 메타아크릴레이트 에스터(methacrylate esters), 메타크릴산(methacrylic acid), 1,4-페닐렌 에틸렌(1,4-phenylene ethylene), 페닐렌 설폰(phenylene sulfone), 페닐 글리시딜 에테르(phenyl glycidyl ether), 프로필렌(propylene), 프로필렌 옥사이드(propylene oxide), 파이로멜리트(pyromellitimides), 실록산(siloxanes), 스티렌(styrene), 테트라플루오로에틸렌(tetrafluoroethylene), 티오페닐렌(thiophenylene), 우레아(ureas), 우레탄(urethanes), 비닐 아세탈(vinyl acetal), 비닐 아세테이트(vinyl acetate), 비닐 알코올(vinyl alcohol), 비닐 부티릴(vinyl butyryl), 비닐 클로라이드(vinyl chloride), 비닐 카바졸(vinyl carbazole), 비닐리덴 클로라이드(vinylidene chloride), 비닐리덴 플루오라이드(vinylidene fluoride), N-비닐 피롤리돈(N-vinyl pyrrolidone) 또는 이들의 중합체 또는 포토레지스트 물질을 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층은 무기물인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 무기물은 암모늄 화합물, 질산염 화합물, 아세트산염 화합물, 황산염 화합물, 탄산염 화합물, 아황산염 화합물, 인산염 화합물, 염화물, 브롬화물, 요오드화물, 수산화물, 황화물 또는 산화물을 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 가용성 희생층은 금속물질인 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속물질은 알칼리 금속, 전이 금속, 전이후 금속, 란타넘족 물질 또는 악티늄족 물질을 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 소수성 처리하는 단계는 상기 기판 및 상기 가용성 희생층 사이 또는 상기 가용성 희생층 및 상기 펠리클막 사이의 계면 결합력을 감소시키는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 펠리클막 상에 펠리클 프레임을 형성하는 단계 및 상기 가용성 희생층을 식각하는 단계 사이에,상기 기판을 80℃ 이하의 온도에서 베이킹 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조 방법
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제1항 내지 제12항, 제14항 및 제15항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 EUV 리소그래피용 펠리클
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