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감광성 유리를 이용한 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법(Method of manufacturing Pellicle for EUV Lithography using Photosensitive glass)

  • 기술번호 : KST2016008214
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 감광성 유리를 이용한 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법을 제공한다. EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법은 감광성 유리 단일층의 제1 영역을 노광 및 어닐링하는 단계, 상기 감광성 유리 단일층의 하부에 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층의 하부에 멤브레인을 형성하는 단계 및 상기 제1 영역 및 상기 제1 영역의 하부에 위치하는 씨드층 영역인 제2 영역을 식각하여 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 감광성 유리(photosensitive glass)가 자외선 조사 여부에 따라 HF 식각용액에 대한 식각 선택비가 크게 차이 난다는 점을 이용하여, 공정의 단순화 및 재현성이 확보된 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL G03F 1/80 (2012.01) G03F 1/66 (2012.01) H01L 21/027 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 1/66(2013.01) G03F 1/66(2013.01) G03F 1/66(2013.01) G03F 1/66(2013.01) G03F 1/66(2013.01)
출원번호/일자 1020150128214 (2015.09.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0034803 (2016.03.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020140125144   |   2014.09.19
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.10)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안진호 대한민국 서울특별시 강남구
2 이승민 대한민국 부산광역시 북구
3 김정환 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0880965-40
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0238338-31
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0658564-29
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-1097912-44
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1097913-90
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0174867-74
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0436927-47
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0436928-93
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0671040-13
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1162571-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-1162570-71
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0103311-04
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.03.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0256270-16
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-0256269-70
15 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0245756-93
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
감광성 유리 단일층의 제1 영역을 노광 및 어닐링하는 단계;상기 감광성 유리 단일층의 하부에 상기 감광성 유리 단일층과 멤브레인 간의 접착력을 향상시키기 위해 Ti, Cr, Al, Mo, W, Ni, Cu 및 Ag로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 씨드층을 형성하는 단계;상기 씨드층의 하부에 EUV 리소그래피용 멤브레인을 형성하는 단계;상기 제1 영역을 제거하여 제1 개구부를 형성하는 단계; 및상기 제1 영역의 하부에 위치하는 씨드층 영역인 제2 영역을 제거하여 제2 개구부를 형성하고, 상기 제1 영역에 해당하는 상기 멤브레인을 노출시키는 단계를 포함하고, 상기 멤브레인은 EUV에 대한 투과도를 가진 실리콘(Si), 지르코늄(Zr), 몰리브덴(Mo), 이트륨(Y), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 나이오븀(Nb) 또는 루테늄(Ru)을 포함하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 노광 및 어닐링된 제1 영역의 표면에 결정상이 석출되어, 상기 노광 및 어닐링된 제1 영역과 노광 및 어닐링 되지 않은 영역의 식각 선택비가 달라지는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
3 3
제1항에 있어서,감광성 유리 단일층의 제1 영역을 노광 및 어닐링하는 단계는,감광성 유리 단일층 상에 마스크 패턴을 위치시키는 단계;상기 마스크 패턴 사이로 노출된 감광성 유리 단일층의 제1 영역에 자외선을 조사하여 노광하는 단계; 및상기 노광된 제1 영역을 500 ℃ 이상의 온도에서 열처리하여 어닐링하는 단계를 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 영역을 제거하여 제1 개구부를 형성하는 단계 및 상기 제1 영역의 하부에 위치하는 씨드층 영역인 제2 영역을 제거하여 제2 개구부를 형성하는 단계는,상기 제1 영역 및 제2 영역을 단일 식각 공정을 통하여 제거하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 씨드층은 Ti를 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 단일 식각 공정은 HF 식각용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 영역을 제거하여 제1 개구부를 형성하는 단계 및 상기 제1 영역의 하부에 위치하는 씨드층 영역인 제2 영역을 제거하여 제2 개구부를 형성하는 단계는,상기 제1 영역을 제1 식각하여 제거하는 단계; 및상기 제1 영역이 식각되어 노출된 제2 영역을 제2 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 감광성 유리 단일층의 일 영역을 노광 및 어닐링하는 단계 이후 상기 씨드층을 형성하는 단계 이전에 상기 감광성 유리 단일층의 하부에 마이크로 폴리싱 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
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1 WO2016043536 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업/중견연구자 지원사업/도약연구 반도체 극한 패터닝을 위한 마스크 소재 및 마스크 특성평가 기술연구