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광투과도가 우수한 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자소자(ELECTRODE HAVING EXCELLENT LIGHT TRANSMITTANCE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC ELEMENT INCLUDING SAME)

  • 기술번호 : KST2016010901
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판; 상기 기판 상에 형성된 아민기-함유 화합물층; 및 상기 아민기-함유 화합물층 상에 형성된 금속층을 포함하는 광투과도가 우수한 전극, 상기 광투과도가 우수한 전극의 제조방법, 상기 광투과도가 우수한 전극을 포함하는 전자소자가 제공된다.본 발명에 따르면, 용액공정을 사용할 경우 전극 제작이 용이하고, 기존의 ITO 투명전극에 비하여 광투과도, 면저항 및 유연성 측면에서 더 높은 성능을 갖는 전극 제조가 가능할 뿐만 아니라 제작 단가를 낮출 수 있다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 1/06 (2006.01.01) H01B 3/08 (2006.01.01) H01B 3/30 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) B32B 17/00 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) G06F 3/041 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020167008658 (2014.08.25)
출원인 원스 주식회사
등록번호/일자 10-1827352-0000 (2018.02.02)
공개번호/일자 10-2016-0061346 (2016.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20180208) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR2014/007868 (2014.08.25)
국제공개번호/일자 WO2015050320 (2015.04.09)
우선권정보 대한민국  |   1020130118543   |   2013.10.04
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국제출원
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.01)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 원스 주식회사 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광희 광주광역시 북구
2 강홍규 광주광역시 북구
3 정수현 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 원스 주식회사 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허법 제203조에 따른 서면
[Patent Application] Document according to the Article 203 of Patent Act
2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0315401-50
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0329475-90
3 보정요구서
Request for Amendment
2016.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0054180-47
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0406000-67
5 수리안내서
Notice of Acceptance
2016.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0062311-75
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0353688-07
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0705574-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0705580-30
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0747122-16
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0888898-81
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0014471-88
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0014475-60
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0065745-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5096506-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기물 기판;상기 유기물 기판 상에 형성된 아민기-함유 화합물층; 및상기 아민기-함유 화합물층 상에 형성된 금속층을 포함하고상기 아민기-함유 화합물층의 화합물은 치환기를 가질 수 있는 알킬아민, 치환기를 가질 수 있는 시클로알킬아민, 치환기를 가질 수 있는 아릴아민, 이들 아민으로부터 유래된 아민기를 함유하는 고분자, 또는 상기 아민기를 함유하는 고분자들이 2 이상 조합되는 것을 포함하는 광투과도가 우수한 전극
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속층 상에 형성된 반사방지층을 추가로 포함하는 광투과도가 우수한 전극
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 기판과 상기 아민기-함유 화합물층 사이에 금속산화물층을 추가로 포함하는 광투과도가 우수한 전극
4 4
제 1항에 있어서,상기 기판은 유리, 석영(Quartz), Al2O3, SiC, Si, GaAs, InP로부터 선택되는 무기물 기판; 혹은 켑톤 호일, 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리에테르술폰(polyethersulfone, PES), 폴리아크릴레이트(polyacrylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(cellulose triacetate, CTA), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP)로부터 선택되는 유기물 기판인 것인, 광투과도가 우수한 전극
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서,상기 금속층의 금속은 Ag, Cu, Au, Al, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Cd, In, Sn, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Tl, Pb, Bi, Ga, Ge, Sb, Ac, Th 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것인, 광투과도가 우수한 전극
7 7
제 2항에 있어서,상기 반사방지층은 폴리아닐린(Polyaniline), 폴리티오펜(Polythiophene), 폴리에틸렌디옥시티오펜(Polyethylenedioxythiophene, PEDOT), 폴리이미드(Polyimide), 폴리스티렌설포네이트(Polystyrenesulfonate, PSS), 폴리피롤(Polypyrrole), 폴리아세틸렌(Polyacetylene), 폴리(p-페닐렌)[Poly(p-phenylene)], 폴리(p-페닐렌 설파이드)[Poly(p-phenylene sulfide)], 폴리(p-페닐렌 비닐렌)[Poly(p-phenylene vinylene)], 폴리티오펜 폴리(티에닐렌 비닐렌)[(Polythiophene Poly(thienylene vinylene)), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스타이렌설포네이트)[Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS], 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것으로 이루어지는 것인, 광투과도가 우수한 전극
8 8
제 2항에 있어서,상기 반사방지층은 폴리[9,9-비스(3'-(N,N-디메틸아미노)프로필)-2,7-플루오렌)-alt-2,7-(9,9-디옥틸플루오렌)](poly [(9,9-bis(3'-(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-dioctylfluorene)], PFN), 폴리(9,9-비스(4'-술포나토부틸)플루오렌-alt-co-1,4-페닐렌(poly(9,9-bis(4'-sulfonatobutyl)(fluorine-alt-co-1,4-phenylene, PFP), 폴리스티렌설포네이트산(poly(styrenesulfonic acid), PSS), 폴리(p-쿼터페닐렌-2,2'-다이카르복실산)(poly(p-quaterphenylene-2,2'-dicarboxylic acid)), 디페닐 플루오렌 유도체(Diphenyl fluorene derivative, DPF), 테트라키스(1-이미다조릴)보레이트(Tetrakis(1-imidazolyl)borate, Bim4-), 및 이들의 조합으로부터 선택되는 것으로 이루어지는 것인, 광투과도가 우수한 전극
9 9
삭제
10 10
기판 상에 아민기-함유 화합물층을 형성하는 단계; 및상기 아민기-함유 화합물층 위에 금속층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 아민기-함유 화합물층의 화합물은 치환기를 가질 수 있는 알킬아민, 치환기를 가질 수 있는 시클로알킬아민, 치환기를 가질 수 있는 아릴아민, 이들 아민으로부터 유래된 아민기를 함유하는 고분자, 또는 상기 아민기를 함유하는 고분자들이 2 이상 조합되는 것을 포함하는 광투과도가 우수한 전극을 제조하는 방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 금속층 위에 반사방지층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 광투과도가 우수한 전극을 제조하는 방법
12 12
제 10항 또는 제 11항에 있어서,상기 기판과 상기 아민기-함유 화합물층 사이에 금속산화물층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는, 광투과도가 우수한 전극을 제조하는 방법
13 13
제 10항에 있어서,상기 아민기-함유 화합물층은 스핀 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 스프레이 코팅법, 플로(flow) 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 딥 코팅법, 전기영동증착법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 패드(pad) 프린팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 그래비어 프린팅법, 그래비어 오프셋 프린팅법, 랭뮈어-블로제트(Langmuir-Blogett)법, 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 열증착법, 또는 화학기상 증착법에 의하여 형성되는 것인, 광투과도가 우수한 전극을 제조하는 방법
14 14
제 10항에 있어서,상기 금속층은 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 열증착법, 화학기상 증착법, 또는 용액공정에 의한 도포방법에 의하여 형성되는 것인, 광투과도가 우수한 전극을 제조하는 방법
15 15
제 11항에 있어서,상기 반사방지층은 스핀 코팅법, 롤(roll) 코팅법, 스프레이 코팅법, 플로(flow) 코팅법, 잉크젯 프린팅법, 노즐 프린팅법, 딥 코팅법, 전기영동증착법, 테이프 캐스팅법, 스크린 프린팅법, 패드(pad) 프린팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 그래비어 프린팅법, 그래비어 오프셋 프린팅법, 랭뮈어-블로제트(Langmuir-Blogett)법, 스퍼터 증착법, 전자선 증착법, 열증착법, 또는 화학기상 증착법에 의하여 형성되는 것인, 광투과도가 우수한 전극을 제조하는 방법
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1 CN105684098 CN 중국 FAMILY
2 EP03054459 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP03054459 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP06228297 JP 일본 FAMILY
5 JP28535918 JP 일본 FAMILY
6 US09735295 US 미국 FAMILY
7 US20160233357 US 미국 FAMILY
8 WO2015050320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 EP3054459 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP3054459 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP3054459 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2016535918 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP6228297 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2016233357 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US9735295 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2015050320 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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