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발광 소자 및 그 제조 방법(Light emitting device and method of fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016010922
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 소자가 제공된다. 상기 발광 소자는, 제1 도전형의 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층 상의 활성층, 상기 활성층 상의 제2 도전형의 제2 반도체층, 및 상기 제2 반도체층 내에 적어도 일부가 함입된(buried) 광 추출 패턴을 포함한다.
Int. CL H01L 33/20 (2010.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020140162592 (2014.11.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0060844 (2016.05.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.20)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김택곤 대한민국 경기 의왕시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-1120458-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0057115-30
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0809009-75
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0062746-28
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0062754-94
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0236719-23
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0480669-04
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0627561-20
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0627557-47
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0855841-93
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1286836-50
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.12.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1286881-05
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0061707-61
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0293844-91
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2017-0293803-29
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0379514-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형의 제1 반도체층;상기 제1 반도체층 상의 활성층;상기 활성층 상에 배치되며 상기 활성층과 직접적으로 접촉되는(directly contacted) 광 추출 패턴; 및상기 광 추출 패턴 상에 배치되는 제2 도전형의 제2 반도체층;을 포함하되, 상기 광 추출 패턴은, 직경 40nm 이상 160nm 이하 또는 260nm 이상 300nm 이하의 직경을 가지는 세륨(Ce) 산화물 입자를 포함하고, 상기 광 추출 패턴은, 상기 제2 반도체층 내에 적어도 일부가 함입된 광 추출 패턴을 포함하는 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서, 상기 광 추출 패턴은, 상기 제2 반도체층 내에 함입된 함몰부, 및 상기 제2 반도체층으로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 발광 소자
3 3
제2 항에 있어서, 상기 활성층의 상부면을 기준으로, 상기 광 추출 패턴의 상기 돌출부의 레벨(level)은, 상기 제2 반도체층의 상부면의 레벨보다, 높은 것을 포함하는 발광 소자
4 4
제1 항에 있어서, 상기 제2 반도체층은, 상기 광 추출 패턴을 덮는(cover)것을 포함하는 발광 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
기판 상에 제1 도전형의 제1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 상기 활성층과 직접적으로 접촉하며, 금속 산화물 입자로 이루어진 광 추출 패턴을 형성하는 단계; 및상기 광 추출 패턴을 형성하는 단계 이후에, 상기 활성층 상에, 상기 광 추출 패턴의 적어도 일부를 함입하는 제2 도전형의 제2 반도체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 금속 산화물 입자는 직경 40nm 이상 160nm 이하 또는 260nm 이상 300nm 이하의 직경을 가지는 세륨으로 이루어진 발광 소자의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 광 추출 패턴을 형성하는 단계는, 금속을 포함하는 용액을 준비하는 단계;상기 용액을 열처리하여, 금속 산화물 입자를 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 입자를, 상기 활성층 상에 제공하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.