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발광소자, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치

  • 기술번호 : KST2015141486
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광소자가 개시된다. 개시된 본 발명의 발광소자는 기판과, 기판상에 형성된 반도체층과, 반도체층 상에 형성된 전류 확산층과, 전류 확산층 상에 형성된 나노 씨드층 및 나노 씨드층 상에 형성된 광 추출 효율을 향상시키는 다수의 나노 로드를 포함한다.
Int. CL H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G02F 1/1335 (2019.01.01)
CPC H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01) H01L 33/20(2013.01)
출원번호/일자 1020110136839 (2011.12.16)
출원인 엘지디스플레이 주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2146676-0000 (2020.08.14)
공개번호/일자 10-2013-0069219 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20200824) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.11.22)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박원일 대한민국 서울특별시 노원구
2 최병균 대한민국 경기도 파주시
3 강세은 대한민국 경기도 파주시
4 이정민 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1004740-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0556528-45
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0663388-61
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1138248-31
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0038122-67
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0209443-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0209442-82
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0503817-65
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0817935-28
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.08.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0817934-83
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0640341-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
17 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2019.08.20 수리 (Accepted) 7-8-2019-0020117-64
18 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0845101-50
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0073421-81
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0073422-26
21 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0198220-00
22 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0478804-07
23 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0478803-51
24 등록결정서
Decision to grant		 2020.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0499865-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층;상기 p형 반도체층 상에 형성된 전류 확산층;상기 전류 확산층 상에 형성된 나노 씨드층; 및상기 나노 씨드층 상에 형성된 다수의 나노 로드를 포함하고,상기 나노 씨드층은 투명 반도체 물질로 이루어지고, 상기 전류 확산층은 그래핀(graphene)으로 형성되고,상기 n형 반도체층 상에 제1 전극 패턴이 형성되고, 상기 나노 씨드층 상에 제2 전극 패턴이 형성되며,상기 p형 반도체층과 상기 전류 확산층 사이에 n형 반도체층이 추가로 포함되어 N-P-N 접합이 형성되어 있으며, 상기 기판과 n형 반도체층 사이에 2-6족 화합물 반도체로 형성된 버퍼층이 형성되어 있는, 발광 소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드는 산화아연(ZnO), 산화아연마그네슘(MgZnO), 산화아연 마그네슘카드뮴(CdMgZnO), 산화아연베릴륨(ZnBeO), 및 산화아연마그네슘베릴륨 (ZnMgBeO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 발광 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 나노 씨드층은 산화아연(ZnO)으로 형성되고, 상기 다수의 나노 로드는 산화아연(ZnO)으로 형성되는 발광 소자
7 7
삭제
8 8
기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 전류 확산층, 상기 전류 확산층 상에 형성된 나노 씨드층 및 상기 나노 씨드층 상에 형성된 다수의 나노 로드를 포함하고, 상기 나노 씨드층은 투명 반도체 물질로 이루어지고, 상기 전류 확산층은 그래핀으로 형성되고, 상기 n형 반도체층 상에 제1 전극 패턴이 형성되고, 상기 나노 씨드층 상에 제2 전극 패턴이 형성되며, 상기 p형 반도체층과 상기 전류 확산층 사이에 n형 반도체층이 추가로 포함되어 N-P-N 접합이 형성되어 있으며, 상기 기판과 n형 반도체층 사이에 2-6족 화합물 반도체로 형성된 버퍼층이 형성되어 있는, 발광 소자; 및상기 발광 소자가 실장되어 백색 광을 발광하는 복수의 발광 다이오드를 포함하는 백라이트 유닛
9 9
제8 항에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드는 바텀커버의 내측면 또는 상기 바텀커버의 내부 전면에 구비된 백라이트 유닛
10 10
제8 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드는 산화아연(ZnO), 산화아연마그네슘(MgZnO), 산화아연 마그네슘카드뮴(CdMgZnO), 산화아연베릴륨(ZnBeO), 및 산화아연마그네슘베릴륨 (ZnMgBeO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 백라이트 유닛
11 11
삭제
12 12
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13 13
삭제
14 14
제8 항에 있어서,상기 나노 씨드층은 산화아연(ZnO)으로 형성되고, 상기 다수의 나노 로드는 산화아연(ZnO)으로 형성되는 백라이트 유닛
15 15
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16 16
기판 상에 형성된 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 형성된 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성된 전류 확산층, 상기 전류 확산층 상에 형성된 나노 씨드층 및 상기 나노 씨드층 상에 형성된 다수의 나노 로드를 포함하고, 상기 나노 씨드층은 투명 반도체 물질로 이루어지고, 상기 전류 확산층은 그래핀으로 형성되고, 되고, 상기 n형 반도체층 상에 제1 전극 패턴이 형성되고, 상기 나노 씨드층 상에 제2 전극 패턴이 형성되며, 상기 p형 반도체층과 상기 전류 확산층 사이에 n형 반도체층이 추가로 포함되어 N-P-N 접합이 형성되어 있으며, 상기 기판과 n형 반도체층 사이에 2-6족 화합물 반도체로 형성된 버퍼층이 형성되어 있는, 발광 소자;상기 발광 소자가 실장되어 백색 광을 발광하는 복수의 발광 다이오드; 및상기 복수의 발광 다이오드로부터의 광을 이용하여 영상을 디스플레이하는 액정표시패널을 포함하는 액정표시장치
17 17
제16 항에 있어서,상기 복수의 발광 다이오드는 바텀커버의 내측면 또는 상기 바텀커버의 내부 전면에 구비된 액정표시장치
18 18
제16 항에 있어서,상기 다수의 나노 로드는 산화아연(ZnO), 산화아연마그네슘(MgZnO), 산화아연 마그네슘카드뮴(CdMgZnO), 산화아연베릴륨(ZnBeO), 및 산화아연마그네슘베릴륨 (ZnMgBeO)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상을 포함하는 액정표시장치
19 19
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20 20
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21 21
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22 22
제16 항에 있어서,상기 나노 씨드층은 산화아연(ZnO)으로 형성되고, 상기 다수의 나노 로드는 산화아연(ZnO)으로 형성되는 액정표시장치
23 23
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.