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유기 광·전자 소자의 박막형 봉지막 및 그 제조방법(Thin-film encapsulation for organic photonic and electronic devices and fabrication process thereof)

  • 기술번호 : KST2016011186
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 광·전자 소자의 봉지막을 형성하는 방법으로서, 기판 위에 질화규소(SiNx) 제1층을 적층하고, 제1층 위로 암모니아를 구성요소로 포함하는 질화규소(SiNx) 제2층을 적층하며, 제2층 위로 이산화규소(SiO2)용액을 적층하여 제3층을 형성한 후, 상기 3개의 박막층을 수분분위기에서 열처리하여 단일층 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy)막을 형성하는 발명으로, 제3층을 형성한 경우, 열처리 단계에서 이산화규소(SiO2)용액이 제1층과 제2층의 다공으로 침투하여 가수분해 반응을 통하여 유기소자의 산소 및 수분의 접촉을 차단하는 단일층 SiOxN 봉지막을 형성한다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/44 (2006.01)
CPC H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01) H01L 51/5253(2013.01)
출원번호/일자 1020140056210 (2014.05.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1610006-0000 (2016.04.01)
공개번호/일자 10-2015-0129871 (2015.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
2 황도경 대한민국 서울특별시 서대문구
3 박동희 대한민국 울산광역시 중구
4 이범희 대한민국 서울특별시 동대문구
5 진창규 대한민국 경기도 안양시 동안구
6 최동권 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0440749-52
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0097534-77
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2015-0319933-86
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-0448383-66
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0554102-63
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0668561-91
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.07.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0668562-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0747254-12
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.11.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1166806-75
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1166726-10
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1166619-33
12 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0043361-11
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0115861-03
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0115900-96
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0233576-76
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번호 청구항
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기판 위에 질소가스(N2)와 실레인가스(SiH4)를 이용하여 질화규소(SiNx) 제1층을 적층하는 단계;상기 제1층 위에 질소가스(N2), 암모니아가스(NH3) 및 실레인가스(SiH4)를 이용하여 질화규소(SiNx) 제2층을 적층하는 단계;상기 제2층 위에 이산화규소(SiO2)용액으로 이루어진 제3층을 형성하는 단계; 및상기 제1층 내지 제3층을 수분분위기에서 열처리하여, 단일층 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy)막을 형성하는 단계를 포함하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 단일층을 형성하는 열처리 단계에서, 수분분위기는 상대습도가 50 내지 90%인 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 단일층을 형성하는 열처리 단계에서, 열처리 시간은 5 내지 100분인 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
11 11
제8항에 있어서,상기 단일층을 형성하는 열처리 단계에서, 열처리 온도가 25 내지 75℃인 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
12 12
제8항에 있어서,상기 단일층 실리콘 옥시나이트라이드(SiOxNy)막은 비정질로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
13 13
제8항에 있어서,상기 제1층을 적층하는 단계에서, 기판온도를 80 내지 120℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
14 14
제8항에 있어서,상기 제1층을 적층하는 공정시간을 4 내지 6분으로 하는 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
15 15
제8항에 있어서,상기 제1층을 적층하는 단계에서, 상기 제1층은 두께가 50 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
16 16
제8항에 있어서,상기 제1층은 화학기상증착법에 의해 적층시키는 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
17 17
제8항에 있어서,상기 제2층을 적층하는 단계에서, 실레인가스(SiH4), 암모니아(NH3) 및 질소(N2)의 가스비율이 1:4~5:12~16인 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
18 18
제8항에 있어서,상기 제2층은 화학기상증착법에 의해 적층시키는 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
19 19
제8항에 있어서,상기 제3층을 형성하는 단계에서, 불활성 가스 분위기에서 이산화규소(SiO2)기반의 규산염 용액으로 코팅하는 것을 특징으로 하는 무기 박막형 봉지막의 제조방법
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1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 제조기반산업원천기술개발 Flexible OLED/OPV 소자 성능 평가 및 향상 기술 개발