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개시제를 사용하는 화학기상증착(iCVD) 공정을 이용한 가스 분리막의 제조방법(Method of Preparing Gas Separation Membrane Using iCVD Process)

  • 기술번호 : KST2016011216
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 개시제를 사용하는 화학기상증착(iCVD) 공정을 이용하여 기판 위에 고분자를 증착 또는 코팅시키는 가스 분리막의 제조방법에 관한 것으로, 혼합된 가스로부터 목표 가스의 분리를 위한 투과율 및 선택도가 탁월한 효과가 있다.
Int. CL C23C 16/44 (2006.01) B01D 71/00 (2006.01) B01D 67/00 (2006.01)
CPC B01D 71/00(2013.01) B01D 71/00(2013.01) B01D 71/00(2013.01)
출원번호/일자 1020140168702 (2014.11.28)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1683776-0000 (2016.12.01)
공개번호/일자 10-2016-0064725 (2016.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20161208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.11.28)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임성갑 대한민국 대전광역시 유성구
2 김지연 대한민국 대전광역시 유성구
3 유영민 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1159654-22
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0065402-72
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0289100-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0599440-13
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0599464-08
10 등록결정서
Decision to grant
2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0783096-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 가스 분리막의 제조방법:(a) iCVD 반응기의 단량체 통에 단량체를 넣은 다음, 30~45℃로 가열하고, iCVD 반응기의 개시제통에 개시제를 넣고 상온으로 유지한 후에, 1:1~4:1의 유량비로 단량체와 개시제를 iCVD 반응기에 투입하는 단계;(b) 다공성 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile) 기판을 상기 반응기의 바닥에 고정시키는 단계; 및(c) 상기 다공성 기판 상에 고분자를 증착시키는 단계,상기 단량체는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 또는 1,3,5-트리메틸-1,3,5-트리비닐시클로트리실록산이고,상기 개시제는 tert-부틸퍼옥사이드이며,상기 방법은 25~45℃의 온도 및 150~350mTorr의 압력에서 10분~12시간 동안 수행되어 CO2 투과도는 30~90barrer이고, CO2/N2 선택도는 18~20이며 고분자 두께가 400~1200nm인 CO2 분리막이 제조됨
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다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 가스 분리막의 제조방법:(a) iCVD 반응기의 단량체 통에 단량체를 넣은 다음, 30~45℃로 가열하고, iCVD 반응기의 개시제통에 개시제를 넣고 상온으로 유지한 후에, 1:1~4:1의 유량비로 단량체와 개시제를 iCVD 반응기에 투입하는 단계;(b) 다공성 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 기판을 상기 반응기의 바닥에 고정시키는 단계; 및(c) 상기 다공성 기판 상에 고분자를 증착시키는 단계,상기 단량체는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산, 헥사비닐디실록산 및 글리시딜메타크릴레이트로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상이고,상기 개시제는 tert-부틸퍼옥사이드이며,상기 방법은 25~45℃의 온도 및 150~350mTorr의 압력에서 10분~12시간 동안 수행되어 CO2 투과도는 900~3800barrer이고, CO2/N2 선택도는 10~19이고 고분자 두께가 100~500nm인 CO2 분리막이 제조됨
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패밀리정보가 없습니다
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