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제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계;상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계;상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계; 및상기 점착 층 상에 예비 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 점착 층과 상기 지지 층의 형성 단계는:상기 지지 층 상에 더미 점착 층을 제공하는 단계; 및상기 더미 점착 층과 상기 자기조립 단 분자 층 사이에 점착 제를 제공하여 상기 점착 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 예비 전극 층은 전사방법으로 형성된 그래핀 층을 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 1 항에 있어서,상기 자기조립 단 분자 층의 형성 단계는:상기 제 1 기판 상에 하이드록시기를 형성하는 단계; 및상기 제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 물질을 제공하는 단계를 포함하되,상기 제 1 기판은 1nm 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성된 그래핀 층의 전사방법
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제 2 항에 있어서,상기 하이드록시기의 형성 단계는:상기 제 1 기판을 세정액 내에 초음파 처리하는 단계; 및상기 제 1 기판을 자외선 오존 처리 및 산소 플라즈마를 처리하는 단계를 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 2 항에 있어서,상기 자기조립 단 분자 물질은, 트리크로로(1H, 2H, 2H-헵타데카플루오르데실)실란을 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 1 항에 있어서,상기 지지 층은 아크릴레이트 처리 또는 우레탄 처리된 폴리에스테르를 포함하고, 상기 더미 점착 층은 아크릴레이트 내지 우레탄을 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 1 항에 있어서,상기 점착 제는 아크릴레이트 말단 작용기 또는 에폭시 말단 작용기 갖는 폴리디메틸실록산를 포함하되,상기 점착 제는 상기 아크릴레이트 말단 작용기의 메타크릴록시프로필 또는 카비놀 말단기를 가진 폴리디메틸실록산을 포함하고,상기 점착 제는 상기 에폭시 말단 작용기의 (에폭시프로폭시)프로필, (에폭시프로폭시프로필)디메톡시실릴, 또는 모노(2,3-에폭시)프로필에테르 말단기를 가진 폴리디메틸실록산을 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 1 항에 있어서,상기 점착 제는 다로큐어 1173의 라디컬 반응 개시제를 더 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 8 항에 있어서,상기 점착 층은 상기 점착 제와 상기 더미 점착 층 사이의 아크릴레이트 반응에 의해 경화되는 그래핀 층의 전사방법
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제 9 항에 있어서,상기 아크릴레이트 반응은 상기 점착제와 상기 더미 점착 층에 제공되는 자외선과 상기 라디컬 반응 개시제의 반응에 의해 유도되는 그래핀 층의 전사방법
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11
제 1 항에 있어서,상기 예비 전극 층을 형성하는 단계는, 상기 제 1 기판과 다른 제 2 기판과 상기 제 2 기판 상의 촉매 층 상에 화학 기상 증착방법으로 형성된 상기 그래핀 층을 상기 점착 층에 전사하는 단계를 포함하는 그래핀 층의 전사방법
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제 11 항에 있어서,상기 촉매 층 및 상기 제 2 기판을 제거하는 단계를 더 포함하되,상기 촉매 층은 염화제이철 수용액에 의해 제거되는 그래핀 층의 전사방법
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제 1 항에 있어서,상기 점착 층과 상기 예비 전극 층 사이의 계면은 1 나노미터 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성되는 그래핀 층의 전사방법
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기판 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 층 상에 제 1 전하 주입 층 및 제 1 전하 수송 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전하 수송 층 상에 발광 층을 형성하는 단계;상기 발광 층 상에 제 2 전하 수송 층 및 제 2 전하 주입 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 전하 주입 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 2 전극 층을 형성하는 단계는:제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계;상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계;상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계;상기 점착 층 상에 예비 전극 층을 형성하는 단계; 및상기 예비 전극 층을 상기 제 2 전하 주입 층 상에 전사하여 상기 제 2 전극 층을 형성 단계를 포함하되,상기 점착 층과 상기 지지 층의 형성 단계는:상기 지지 층 상에 더미 점착 층을 제공하는 단계; 및상기 더미 점착 층과 상기 자기조립 단 분자 층 사이에 점착 제를 제공하여 상기 점착 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 예비 전극 층은 전사방법으로 형성된 그래핀 층을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 2 전극 층은 상기 지지 층 및 상기 점착 층의 양측 방향으로의 신축에 의해 1나노미터 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성되는 유기발광소자의 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 제 2 전극 층은 상기 제 2 전하 주입 층에 등각 접촉방법으로 형성되는 유기발광소자의 제조방법
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기판 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 층을 노출하는 트렌치들을 갖는 제 1 층간 유전 층을 형성하는 단계; 상기 제 1 층간 유전 층과 상기 제 1 전극 층 상에 상기 트렌치를 따라 제 1 전하 주입 층, 제 1 전하 수송 층, 발광 층, 제 2 전하 수송 층, 및 제 2 전하 주입 층을 형성하는 단계; 및상기 제 2 전하 주입 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 2 전극 층을 형성하는 단계는:제 1 기판 상에 자기조립 단 분자 층을 형성하는 단계;상기 자기조립 단 분자 층 상에 점착 층과 지지 층을 형성하는 단계;상기 제 1 기판과 상기 자기조립 단 분자 층을 제거하여 상기 점착 층을 노출하는 단계;상기 점착 층 상에 예비 전극 층을 형성하는 단계; 및상기 예비 전극 층을 상기 제 2 전하 주입 층 상에 전사하여 상기 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 예비 전극 층은 전사방법으로 형성된 그래핀 층을 포함하는 표시장치의 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 트렌치는 상기 제 1 전극 층의 상부면에 대해 7도 내지 22
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제 17 항에 있어서,상기 제 2 전극 층은 상기 트렌치 내에서의 상기 지지 층 및 상기 점착 층의 신축에 의해 1나노미터 이하의 표면 거칠기를 갖도록 형성되는 표시장치의 제조 방법
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제 17 항에 있어서,상기 제 2 전극 층은 상기 제 2 전하 주입 층에 등각 접촉방법으로 형성되는 표시장치의 제조방법
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