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복수의 은(Ag) 나노와이어들과 복수의 구리(Cu) 나노와이어들 사이의 접점(Junction)이 서로 용융되어, 은(Ag) 나노와이어-은(Ag) 나노와이어, 은(Ag) 나노와이어-구리(Cu) 나노와이어 및 구리(Cu) 나노와이어-구리(Cu) 나노와이어들 각각 간의 접점(Junction) 중 하나 이상이 공존하며, 은(Ag)과 구리(Cu) 나노와이어들이 연결된 네트워크 형상으로 폴리이미드 기판의 일 면에 내장되며, 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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제1항에 있어서,상기 (복수의 은(Ag) 나노와이어들)X과 상기 (복수의 구리(Cu) 나노와이어들)Y의 상대 함량은, wt% 기준으로 X : Y 의 비율이 99 : 1 내지 10 : 90의 범위에서 선택된 상대 비를 갖는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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제1항에 있어서,상기 은(Ag) 나노와이어들과 상기 구리(Cu) 나노와이어들은, 직경이 20 nm 내지 100 nm 의 범위를 가지며, 길이가 10 μm 내지 100 μm의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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제1항에 있어서,은(Ag) 나노와이어와 구리(Cu) 나노와이어가 서로 용융되어 연결된 접점(Junction)에서는 은(Ag)과 구리(Cu)가 서로 복합화된 은(Ag)-구리(Cu) 합금(alloy)으로 이루어진 접점(Junction)을 형성하는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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제1항에 있어서,은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크에서 구리(Cu) 나노와이어의 표면이 산화되어 산화구리를 형성하더라도, 은(Ag) 나노와이어와 구리(Cu) 나노와이어가 서로 용융되어 투명전극을 구성함에 따라, 은(Ag) 나노와어들과 서로 연결된 구리(Cu) 나노와이어의 코어(중심)를 따라 전기 전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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제1항에 있어서,투과도 80 % 내지 95 %의 범위와 저항 0
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제1항에 있어서,상기 은(Ag) 나노와이어들과 상기 구리(Cu) 나노와이어들 사이의 접점(Junction)에서의 용융을 위해, 제논 플래시 램프(Xenon Flash Lamp)를 이용하여 IPL(intense pulsed light) 방법으로 백색광을 조사하여 광소결(optical sintering) 하거나, 폴리이미드 필름을 형성하는 열처리 과정에서 환원분위기에서 150 ~ 250℃의 온도에서 열처리하여 은(Ag) 나노와이어-은(Ag) 나노와이어, 은(Ag) 나노와이어-구리(Cu) 나노와이어 및 구리(Cu) 나노와이어-구리(Cu) 나노와이어들 각각 간의 접점(Junction)이 소결 또는 용융되어 형성되는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상층에 산화방지막으로 1 ~ 30 nm 두께의 ITO, ZnO, Al-doped ZnO 및 Ga-doped ZnO 중에서 선택된 금속산화물 산화층 내지는 그래핀 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극
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은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크가 내장된 전도성 무색 투명 폴리이미드로 구성된 투명전극을 제조하는 단계로,(1)은(Ag) 나노와이어를 합성하는 단계;(2)구리(Cu) 나노와이어를 합성하는 단계;(3)은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 혼합 용액을 플라스틱 기판, 금속 기판 또는 유리 기판 위에 코팅하여 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 서로 네트워크화된 투명전극을 형성하는 단계;(4)은(Ag) 나노와이어-은(Ag) 나노와이어, 은(Ag) 나노와이어-구리(Cu) 나노와이어, 구리(Cu) 나노와이어-구리(Cu) 나노와이어들 각각 간의 접점(Junction) 중 하나 이상이 공존하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 서로 네트워크화된 투명전극을 형성하는 단계;(5)상기 (3) 단계와 (4) 단계를 거쳐 제조된, 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 서로 네트워크화된 투명전극 위에, 폴리아믹산을 코팅하고 이미드화 열처리 과정을 거쳐 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 내장된 무색 투명 폴리이미드 기판을 형성하는 단계; 및(6)상기 (5) 단계를 거친 상기 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 내장된 무색 투명 폴리이미드 기판을 상기 플라스틱 기판, 상기 금속 기판 또는 상기 유리 기판에서 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극 제조방법
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제9항에 있어서,(7)상기 분리된 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크가 내장된 전도성 무색 투명 폴리이미드 기판의 전극의 상층에 1 ~ 30 nm 두께의 ITO, ZnO, Al-doped ZnO 및 Ga-doped ZnO 중에서 선택된 금속산화물 산화층을 증착하거나 내지는 그래핀 층을 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극 제조방법
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제9항에 있어서,상기 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 혼합 용액은, (복수의 은(Ag) 나노와이어들)X과 (복수의 구리(Cu) 나노와이어들)Y이 X : Y의 비율이 99 : 1 ~ 10 : 90의 범위에서 서로 복합화되어 제조되는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극 제조방법
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제9항에 있어서,상기 (4) 단계는,제논 플래시 램프(Xenon Flash Lamp)를 이용한 광소결 내지는, 150 ~ 250℃의 온도에서 환원분위기 열처리를 하여, 상기 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 서로 네트워크화된 투명전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극 제조방법
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제12항에 있어서,상기 환원분위기 열처리에 사용되는 가스는, 질소(N2) 또는 알곤(Ar)가스에 수소(H2)가 0
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제9항에 있어서,상기 (6) 단계는,상기 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어들이 내장된 무색 투명 폴리이미드 기판을 BOE(Buffered oxide etch) 용액에 1~30분 동안 담그는 과정을 통해 상기 플라스틱 기판, 상기 금속 기판 또는 상기 유리 기판에서 분리되는 것을 특징으로 하는 은(Ag)-구리(Cu) 복합 나노와이어 네트워크로 구성된 전도성 무색 투명 폴리이미드 전극 제조방법
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