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전원 전압 및 접지 전압을 생성하여 공급하는 전원 공급부; 태양전지 웨이퍼; 상기 태양전지 웨이퍼를 이송하고 상기 접지 전압이 인가되는 트레이; 및 외부로부터 가스를 주입받아 균일하게 분배하여 저장하고, 상기 전원 전압을 인가받아 상기 가스를 인라인 타입으로 선(line) 단위로 방출함으로써, 코로나 방전에 의한 대기압 플라즈마 제트를 생성하여 상기 태양전지 웨이퍼를 선형으로로 도핑하는 플라즈마 소스부; 를 포함하고, 상기 플라즈마 소스부는 상기 가스를 저장하고, 상기 태양전지 웨이퍼 방향으로 저장된 가스가 방사되는 슬릿이 형성된 가스 저장부; 상기 가스 저장부에 저장된 가스를 균일하게 분배하는 가스 분배부; 외부로부터 상기 가스를 인가받아 상기 가스 저장부에 주입하는 가스 주입부; 및 상기 가스 저장부 내부에 배치되고, 상기 전원 전압이 인가되어 상기 트레이와 전계를 형성하고, 상기 접지 전압과의 전압차가 기설정된 전압 이상이 되면, 상기 슬릿을 통해 선 단위로 상기 태양전지 웨이퍼 방향으로 방사된 상기 가스에 상기 코로나 방전이 발생되는 축전 결합형 플라즈마(CCP) 방식을 이용하여 인라인 타입의 선 단위의 상기 플라즈마 제트를 생성하는 인라인 플라즈마 발생부; 를 포함하며, 상기 인라인 플라즈마 발생부는 상기 태양전지 웨이퍼 방향으로 첨부가 형성된 적어도 하나의 블레이드 형태로 구현되어 상기 슬릿에 대응하는 위치에 배치되고, 상기 전원 전압을 인가받아 상기 방사되는 가스에 코로나 방전을 유도하여 상기 인라인 타입의 플라즈마 제트를 형성하는 플라즈마 전극부; 및 상기 플라즈마 전극부의 상기 첨부를 상기 플라즈마로부터 보호하고 산화를 방지하기 위해 상기 첨부를 감싸는 형태로 형성되는 유전체부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 전극부는 상기 슬릿과 기설정된 간격만큼 이격되어 배치되는 하나의 상기 블레이드 형태로 구현되어, 상기 가스가 상기 슬릿과 상기 첨부 사이로 방사되는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 전극부는 기설정된 간격만큼 이격되어 서로 평행하게 배치되는 한 쌍의 상기 블레이드 형태로 구현되어, 상기 가스가 상기 한 쌍의 블레이드 사이로 방사되는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 전극부는 알루미늄, 은, 구리, 니켈 및 티타늄 중 하나로 구현되는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항에 있어서, 상기 유전체부는 상기 플라즈마 전극부의 첨부를 아노다이징 처리하거나, 기지정된 유전체를 코팅하여 구현되는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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전원 전압 및 접지 전압을 생성하여 공급하는 전원 공급부; 태양전지 웨이퍼; 상기 태양전지 웨이퍼를 이송하고 상기 접지 전압이 인가되는 트레이; 및 외부로부터 가스를 주입받아 균일하게 분배하여 저장하고, 상기 전원 전압을 인가받아 상기 가스를 인라인 타입으로 선(line) 단위로 방출함으로써, 코로나 방전에 의한 대기압 플라즈마 제트를 생성하여 상기 태양전지 웨이퍼를 선형으로로 도핑하는 플라즈마 소스부; 를 포함하고, 상기 플라즈마 소스부는 상기 가스를 저장하고, 상기 태양전지 웨이퍼 방향으로 저장된 가스가 방사되는 슬릿이 형성된 가스 저장부; 상기 가스 저장부에 저장된 가스를 균일하게 분배하는 가스 분배부; 외부로부터 상기 가스를 인가받아 상기 가스 저장부에 주입하는 가스 주입부; 및 상기 가스 저장부 내부에 배치되고, 상기 전원 전압이 인가되어 상기 트레이와 전계를 형성하고, 상기 접지 전압과의 전압차가 기설정된 전압 이상이 되면, 상기 슬릿을 통해 선 단위로 상기 태양전지 웨이퍼 방향으로 방사된 상기 가스에 상기 코로나 방전이 발생되는 축전 결합형 플라즈마(CCP) 방식을 이용하여 인라인 타입의 선 단위의 상기 플라즈마 제트를 생성하는 인라인 플라즈마 발생부; 를 포함하며, 상기 인라인 플라즈마 발생부는 원통 형태로 구현되어 상기 슬릿에 대응하는 위치에 배치되고, 상기 전원 전압을 인가받아 상기 방사되는 가스에 코로나 방전을 유도하여 상기 인라인 타입의 플라즈마 제트를 형성하는 플라즈마 전극부; 및 상기 플라즈마 전극부를 상기 플라즈마로부터 보호하고 산화를 방지하기 위해 상기 플라즈마 전극부의 외주면을 감싸는 형태로 형성되는 유전체부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제8 항에 있어서, 상기 인라인 플라즈마 발생부는 상기 인라인 플라즈마 발생부는 원통 형태의 상기 플라즈마 전극부와 상기 유전체부를 기설정된 간격만큼 이격되어 고정되도록 하는 전극 고정부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제9 항에 있어서, 상기 인라인 플라즈마 발생부는 상기 플라즈마 전극부와 상기 유전체부가 이격된 공간에 공기, 산소, 질소, 헬륨 및 아르곤(Ar) 가스 중 하나가 채워지는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항 및 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 저장부에 저장된 가스는 아르곤 가스, 헬륨 가스, 산소 및 질소 중 하나인 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항 및 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전원 공급부는 10 kHz ~ 100 MHz 대역의 주파수로 1W ~ 10 kW의 전력을 발생하여 상기 전원 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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제1 항 및 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전원 공급부는 10% ~ 90%의 듀티비를 갖는 주파수 대역 10 kHz ~ 500 kHz의 직류 펄스를 발생하여 상기 전원 전압으로 인가하는 것을 특징으로 하는 대면적 대기압 플라즈마 도핑 시스템
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