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코어층과 상/하부 클래드층으로 구성되는 광도파로 위에 형성되는 광 흡수층과, 상기 광도파로 및 광 흡수층에 각각에 전극이 형성되는 포토 다이오드를 포함함을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 포토다이오드는그 전극들이 상기 광 흡수층과 상기 광도파로 코어층에 형성되며, 이온 주입에 의해 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 포토다이오드의 전극 형상은 광신호가 진행하는 방향에 대해 수직 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 포토다이오드의 전극 형상은 광신호가 진행하는 방향에 대해 수평 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 광 흡수층은 양단으로 태이퍼드(tapered) (tapered) 형태로 구현됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 광 흡수층이 광도파로의 코어층에 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 광 흡수층이 광도파로의 클래드층 위에 형성되되, 상기 광 도파로의 코어층과 소정 간격 (GmPD)을 가짐을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 1항에 있어서, 상기 광 도파로의 코어층이격자를 형성함을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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코어층과 상/하부 클래드층으로 구성되는 광도파로 위에 형성되는 광 흡수층과, 상기 광 흡수층에 전극이 형성되는 포토 다이오드를 포함함을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 포토다이오드는그 전극들이 이온 주입에 의해 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 포토다이오드의 전극 형상은 광신호가 진행하는 방향에 대해 수직 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 포토다이오드의 전극 형상은 광신호가 진행하는 방향에 대해 수평 방향으로 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 광 흡수층은 양단으로 태이퍼드(tapered) (tapered) 형태로 구현됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 광 흡수층이 광도파로의 코어층에 형성됨을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 광 흡수층이 광도파로의 클래드층 위에 형성되되, 상기 광 도파로의 코어층과 소정 간격 (GmPD)을 가짐을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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제 9항에 있어서, 상기 광 도파로의 코어층이격자를 형성함을 특징으로 하는 광신호 모니터링 장치
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