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망간주석산화물계 투명전도성산화물 및 이를 이용한 다층투명도전막 그리고 그 제조방법(Maganese tin oxide Transparent Conducting Oxide and transparent conductive film using the same and method for fabricating transparent conductive film)

  • 기술번호 : KST2016015022
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온 증착시에도 낮은 표면거칠기, 낮은 면저항 및 높은 투과율 특성을 갖는 최적 조성의 망간주석산화물계 투명전도성산화물(TCO) 및 이를 이용한 다층투명도전막 그리고 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 망간주석산화물계 투명전도성산화물은 MnxSn1-xO(0003c#x≤0.055)의 조성을 가지며, 본 발명에 따른 다층투명전도막은 MnxSn1-xO(0003c#x≤0.055)의 조성을 갖는 망간주석산화물계 투명전도성산화물; 상기 망간주석산화물계 투명전도성산화물 상에 적층된 금속박막; 및 상기 금속박막 상에 적층된 MnxSn1-xO(0003c#x≤0.055)의 조성을 갖는 망간주석산화물계 투명전도성산화물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C01G 19/02 (2006.01) C01G 45/02 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01) H01B 1/08(2013.01)
출원번호/일자 1020150017286 (2015.02.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0095838 (2016.08.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 대한민국 서울특별시 성북구
2 최원국 대한민국 서울특별시 성북구
3 김진상 대한민국 서울특별시 성북구
4 임해나 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0120917-44
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0119934-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0035984-70
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0248363-09
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0450750-57
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0450768-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0770117-39
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번호 청구항
1 1
MnxSn1-xO(0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 x는 0
4 4
MnxSn1-xO(0
5 5
삭제
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 x는 0
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 금속박막은 Ag, Au, Cu, Pd, Pt, Ni, Al, Y, La, Mg, Ca, Fe, Pb, Zn 중 어느 하나 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 다층투명전도막
8 8
제 4 항에 있어서, 상기 망간주석산화물계 투명전도성산화물은 20∼200nm의 두께를 갖고, 상기 금속박막은 5∼50nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 다층투명전도막
9 9
기판 상에 MnxSn1-xO(0
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 x는 0
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 금속박막은 Ag, Au, Cu, Pd, Pt, Ni, Al, Y, La, Mg, Ca, Fe, Pb, Zn 중 어느 하나 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 다층투명전도막 제조방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 망간주석산화물계 투명전도성산화물은 20∼200nm의 두께로 적층하고, 상기 금속박막은 5∼50nm의 두께로 적층하는 것을 특징으로 하는 다층투명전도막 제조방법
14 14
제 9 항에 있어서, 상기 기판은 유리기판 또는 고분자기판인 것을 특징으로 하는 다층투명전도막 제조방법
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 고분자기판은 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 테레플레이트 중 어느 한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층투명전도막 제조방법
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2 US09704610 US 미국 FAMILY
3 US20160225479 US 미국 FAMILY

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2 CN105845196 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2016225479 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9704610 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)유아이디 글로벌전문기술개발(주력,신산업) 웨어러블 디바이스 적용을 위한 터치패널용 SnOx계 투명 산화물 박막 및 이를 이용한 다층 투명전도막 기술이 적용된 투명전극 개발단계 기술개발