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은 나노와이어 메쉬 전극 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2022002038
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 관점에 따르면, 유연 기판 및 상기 유연 기판 상에 배치되고, 은 나노와이어로 이루어진 복수 개의 제1 금속라인과 복수 개의 제2 금속라인이 사선 방향으로 교차하여 격자 모양을 형성하는 메쉬(mesh) 패턴층을 포함하고, 상기 메쉬 패턴층은, 제1 금속라인과 제2 금속라인은 굽힘 방향에 대하여 35° 내지 55°의 각도를 이루는, 은 나노와이어 메쉬 전극 및 이의 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/30 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01) H05K 9/00 (2018.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0036(2013.01) H01B 13/30(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H05K 9/0086(2013.01)
출원번호/일자 1020200101973 (2020.08.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0021292 (2022.02.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.08.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상우 서울특별시 성북구
2 김성준 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0854702-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2021.02.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
유연 기판; 및상기 유연 기판 상에 배치되고, 은 나노와이어(Ag NWs)로 이루어진 복수 개의 제1 금속라인과 복수 개의 제2 금속라인이 사선 방향으로 교차하여 격자 모양을 형성하는 메쉬(mesh) 패턴층;을 포함하고,상기 메쉬 패턴층은,제1 금속라인과 제2 금속라인은 굽힘 방향에 대하여 35° 내지 55°의 각도를 이루는,은 나노와이어 메쉬 전극
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 금속라인과 제2 금속라인은 서로 동일한 선폭을 갖는 금속라인으로서 8 내지 14 ㎛ 범위의 선폭을 가지는,은 나노와이어 메쉬 전극
3 3
제 2 항에 있어서,상기 제1 금속라인과 제2 금속라인은 9 내지 10 ㎛ 범위의 선폭을 가지는,은 나노와이어 메쉬 전극
4 4
제 1 항에 있어서,상기 메쉬 패턴층 상부에 형성되는 폴리우레탄(PU) 오버코팅층을 더 포함하는,은 나노와이어 메쉬 전극
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 메쉬 패턴층은 선택적 레이저 융착(Selective laser welding)에 의해 은 나노와이어들이 접합되어 네트워크를 형성하는,은 나노와이어 메쉬 전극
6 6
제 1 항에 있어서,상기 메쉬 패턴층은, 상기 복수 개의 제 1 금속라인이 동일한 간격으로 서로 평행하게 배열되고, 상기 복수 개의 제 2 금속라인이 동일한 간격으로 서로 평행하게 배열되는,은 나노와이어 메쉬 전극
7 7
제 1 항에 있어서,상기 유연 기판은 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET), 폴리에텔렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르술폰(PES), 나일론(Nylon), 폴리테트라플로우로에틸렌(PTFE), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리카보네이트 (PC), 폴리우레탄(PU) 및 폴리아릴레이트(PAR)로 이루어진 군에서 선택되는 1종의 폴리머 기판인,은 나노와이어 메쉬 전극
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(a) 유연 기판 상에 은 나노와이어 용액을 습식 코팅하는 단계;(b) 선택적 레이저 융착(Selective laser welding)에 의해 상기 유연 기판 상에 메쉬(mesh) 패턴층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 메쉬(mesh) 패턴층이 형성된 기판을 세척, 건조하는 단계;를 포함하는,은 나노와이어 메쉬 전극의 제조방법
9 9
제 8 항에 있어서,(d) 상기 메쉬(mesh) 패턴층 상부에 폴리우레탄(PU)을 스핀 코팅하여 오버코팅층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 은 나노와이어 메쉬 전극의 제조방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 레이저 파워 및 레이저 스캔 속도에 따른 에너지 밀도는 0
11 11
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 은 나노와이어 메쉬 전극을 포함하는 투명전자파 차폐막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.