| 1 |
1
금박층 및 상기 금박층 하부에 배치되고 메타텅스텐산암모늄(ammonium metatungstate, AMT)을 포함하는 전구체 용액이 분무되어 있는 세라믹 보트(ceramic boat)를 화학기상증착(CVD) 챔버 내에 배치하는 단계; 상기 챔버내에 황화수소(H2S) 가스 또는 셀레늄화수소(H2Se) 가스와 질소(N2), 아르곤(Ar) 및 헬륨(He) 가스 중 어느 하나를 공급하는 단계; 및 상기 금박층 및 상기 세라믹 보트를 가열하여 상기 금박층의 하부면 상에 텅스텐 디설파이드(Tungsten disulphide, WS2) 또는 텅스텐 디셀레나이드(tungsten diselenide, WSe2)으로 이루어진 단일층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금박층은 열처리된 후 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)에 의하여 표면이 연마되어 있는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 세라믹 보트는, 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 금박층 및 상기 세라믹 보트는 850 내지 950℃의 가열온도로 15분 내지 30분 동안 가열되는 것을 특징으로 하는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 디설파이드(Tungsten disulphide, WS2) 또는 상기 텅스텐 디셀레나이드(tungsten diselenide, WSe2) 결정의 크기는 100㎛ 이상인 것을 특징으로 하는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 전구체 용액은 1㎖의 증류수 및 0
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 황화수소(H2S) 가스 또는 셀레늄화수소(H2Se) 가스는, 2 내지 20sccm이 공급되는 것을 특징으로 하는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 금박층의 열처리는,1000 내지 1050℃의 온도에서 2 내지 6시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 단일층을 상기 금박층으로부터 분리하는 단계를 더 포함하는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 단일층을 상기 금박층으로부터 분리하는 단계는, 상기 단일층이 형성된 상기 금박층을 염화나트륨과 물을 포함하는 전해액에 노출시키는 단계; 상기 전해액을 전기분해하여 상기 단일층과 상기 금박층 사이의 공간에 수소 가스를 발생시키는 단계를 포함하는, 균일성 및 결정성이 향상된 대면적 단일층 텅스텐 디칼코게나이드 형성방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 염화나트륨의 몰농도는 0
|
| 12 |
12
삭제
|
