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이온성 유전체 기반 수직구조형 전계효과 트랜지스터(VERTICAL-TYPE, FIELD EFFECT TRANSISTOR BASED ON IONIC DIELECTRIC)

기술번호 : KST2016016096
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 제 1 전극, 및 제 2 전극을 형성하는 단계, 제 1 전극의 상부면에 반도체층을 형성하는 단계, 반도체층의 상부면에 제 3 전극을 형성하는 단계, 및 제 1 전극, 제 2 전극, 제 3 전극, 및 반도체층과 접하도록 유전층을 형성하는 단계를 포함한다. 이때, 유전층은 이온성 유전체를 포함한다.
Int. CL	H01L 29/40 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC	H01L 29/66666(2013.01) H01L 29/66666(2013.01)
출원번호/일자	1020150027161 (2015.02.26)
출원인	숭실대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2016-0104321 (2016.09.05) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.02.26)
심사청구항수	10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	숭실대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김도환	대한민국	경기도 안양시 동안구
2	박상식	대한민국	서울특별시 관악구
3	박도형	대한민국	경기도 안양시 만안구
4	이원재	대한민국	서울특별시 구로구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	숭실대학교산학협력단		서울특별시 동작구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2015.02.26	수리 (Accepted)	1-1-2015-0191419-61
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.11.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.01.08	수리 (Accepted)	9-1-2016-0002237-69
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.02.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0136223-77
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.04.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0387202-92
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2016-0387198-96
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2016-5110636-51
8	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2016.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0692955-65
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2016-1028604-91
10	[명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2016.10.24	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2016-1028605-36
11	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2016.11.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0843430-16
12	심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner	2017.02.02	수리 (Accepted)	7-8-2017-0002875-52
13	심사관 의견서 Written Opinion of Examiner	2017.02.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0026282-61
14	등록결정서 Decision to grant	2018.12.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0879978-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법에서,기판 상에 서로 이격되어 배치되도록 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극의 상부면에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 상부면에 제 3 전극을 형성하는 단계; 및상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극, 상기 제 3 전극, 및 상기 반도체층과 접촉하도록 유전층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 전극, 반도체층 및 제 3 전극은 상기 유전층에 의하여 상기 제 2 전극과 분리되도록 형성되고,상기 유전층은 이온성 유전체를 포함하는 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법
2	2 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전극의 상부면에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 상부면에 제 3 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극, 상기 제 3 전극, 및 상기 반도체층과 접촉하도록 유전층을 형성하는 단계; 및상기 유전층의 상부면에 상기 제 1 전극 및 제 3 전극의 형성 영역과 이격되어 배치되도록 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 전극, 반도체층 및 제 3 전극은 상기 유전층에 의하여 상기 제 2 전극과 분리되도록 형성되고,상기 유전층은 이온성 유전체를 포함하는 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 2 전극은 게이트 전극이고,상기 제 1 전극 및 상기 제 3 전극 중 어느 하나는 소스 전극이고, 다른 하나는 드레인 전극인 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 유전층은유전체로 사용될 수 있는 이온결합 물질을 포함하는 것인 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 2 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 유전층에 포함된 이온들이 이동하고, 상기 반도체층에 인접한 이온들에 의하여 상기 제 1 전극과 제 3 전극 사이에 전류가 흐르는 것인 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터의 제조 방법
6	6 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터에서,기판;상기 기판의 상부면에 서로 이격되어 배치되도록 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극의 상부면에 형성된 반도체층;상기 반도체층의 상부면에 형성된 제 3 전극; 및상기 제 1 전극, 상기 제 2 전극, 상기 제 3 전극, 및 상기 반도체층과 접촉하도록 형성된 유전층을 포함하되,상기 제 1 전극, 반도체층 및 제 3 전극은 상기 유전층에 의하여 상기 제 2 전극과 분리되도록 형성되고,상기 유전층은 이온성 유전체를 포함하는 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터
7	7 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터에서,기판;상기 기판의 상부면에 형성된 제 1 전극;상기 제 1 전극의 상부면에 형성된 반도체층;상기 반도체층의 상부면에 형성된 제 3 전극; 상기 제 1 전극, 상기 제 3 전극, 및 상기 반도체층과 접촉하도록 형성된 유전층; 및상기 제 1 전극 및 제 3 전극의 형성 영역과 소정거리 만큼 이격되어 배치되고, 상기 유전층과 접촉하여 배치된 제 2 전극을 포함하되,상기 제 1 전극, 반도체층 및 제 3 전극은 상기 유전층에 의하여 상기 제 2 전극과 분리되도록 형성되고,상기 유전층은 이온성 유전체를 포함하는 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터
8	8 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 제 2 전극은 게이트 전극이고,상기 제 1 전극 및 상기 제 3 전극 중 어느 하나는 소스 전극이고, 다른 하나는 드레인 전극인 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터
9	9 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 유전층은유전체로 사용될 수 있는 이온결합 물질 포함하는 것인 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터
10	10 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,상기 제 2 전극에 인가되는 전압에 따라 상기 유전층에 포함된 이온들이 이동하고, 상기 반도체층에 인접한 이온들에 의하여 상기 제 1 전극과 제 3 전극 사이에 전류가 흐르는 것인 이온성 유전체 기반 수직구조형 트랜지스터

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	숭실대학교	나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구	고성능 분자기반 신축성 반도체 나노소재 및 구조 개발

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2015.02.26	수리 (Accepted)	1-1-2015-0191419-61
2	선행기술조사의뢰서	2015.11.10	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2016.01.08	수리 (Accepted)	9-1-2016-0002237-69
4	의견제출통지서	2016.02.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0136223-77
5	[명세서등 보정]보정서	2016.04.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-0387202-92
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.04.22	수리 (Accepted)	1-1-2016-0387198-96
7	출원인정보변경(경정)신고서	2016.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2016-5110636-51
8	거절결정서	2016.09.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0692955-65
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.10.24	수리 (Accepted)	1-1-2016-1028604-91
10	[명세서등 보정]보정서(재심사)	2016.10.24	보정승인 (Acceptance of amendment)	1-1-2016-1028605-36
11	거절결정서	2016.11.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0843430-16
12	심사관의견요청서	2017.02.02	수리 (Accepted)	7-8-2017-0002875-52
13	심사관 의견서	2017.02.16	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0026282-61
14	등록결정서	2018.12.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2018-0879978-69

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2016101007156	2016원7156	2015년 특허출원 제0027161호 거절결정불복	2016.12.22	2018.11.23

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