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차동 구조의 집적 회로에 적용되는 가변 캐패시터

  • 기술번호 : KST2019025214
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차동 구조의 집적 회로에 적용되는 가변 캐패시터에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 차동 구조의 집적 회로에 포함된 차동 신호선인 제1 및 제2 신호선 사이에 연결되는 가변 캐패시터에 있어서, 상호 이격 배열되는 복수의 N형 반도체들, 및 상기 N형 반도체들 사이에 각각 배치되어 상하부에 접한 N형 반도체들과 각각 제1 및 제2 PN 접합을 형성하며, 외부로부터 제어 전압이 인가되는 적어도 하나의 P형 반도체를 포함하며, 상기 복수의 N형 반도체 중에서 2n-1번째(n은 양의 정수)에 해당하는 제1 N형 반도체는 상기 제1 신호선과 연결되고, 2n번째에 해당하는 제2 N형 반도체는 상기 제2 신호선과 연결되며, 상기 제어 전압의 조절을 통해 상기 제1 및 제2 PN 접합의 기생 캐패시턴스가 가변하는 가변 캐패시터를 제공한다.이에 따르면, 차동 구조의 집적회로 상에서 서로 대칭적으로 형성되는 두 개의 가변 캐패시터가 만나는 가상 접지 부분의 연결 지점을 반도체 배치 상 서로 공유하도록 형성함에 따라 집적회로 상에서 요구되는 면적을 절감하고, 기생 저항 성분의 형성을 억제함으로써, 생산 단가의 절감을 물론이며 가변 캐패시터를 사용하는 해당 집적회로의 잡음 발생을 최소화할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 29/66 (2006.01.01) H01G 7/00 (2006.01.01) H03B 5/12 (2014.01.01) H01L 49/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/66174(2013.01) H01L 29/66174(2013.01) H01L 29/66174(2013.01) H01L 29/66174(2013.01) H01L 29/66174(2013.01) H01L 29/66174(2013.01)
출원번호/일자 1020160031538 (2016.03.16)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1743088-0000 (2017.05.29)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이미림 대한민국 경기도 양주시 평화
2 고가연 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 박창근 대한민국 경기도 광명시 광덕산로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0253449-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0040008-01
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0172208-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0272884-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0272885-15
8 등록결정서
Decision to grant
2017.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0369000-35
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0724658-93
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-1166473-78
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차동 구조의 집적 회로에 포함된 차동 신호선인 제1 및 제2 신호선 사이에 연결되며 제1 및 제2 트랜지스터가 결합된 구조의 가변 캐패시터에 있어서,상호 이격 배열되고, 외부로부터 제어 전압이 인가되며, 소스 영역 또는 드레인 영역에 해당하는 복수의 반도체들; 및상기 반도체들 사이에 각각 배치되는 복수의 게이트 영역들을 포함하며,상기 복수의 게이트 영역들 중에서 2n-1번째(n은 양의 정수)에 해당하는 제1 게이트 영역은 상기 제1 트랜지스터의 게이트이고 상기 제1 신호선과 연결되며, 2n번째에 해당하는 제2 게이트 영역은 상기 제2 트랜지스터의 게이트이고 상기 제2 신호선과 연결되며,상기 제1 및 제2 트랜지스터는 자신의 게이트 영역을 기준으로 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역의 위치가 서로 반대로 형성되어, 상기 제1 및 제2 게이트 영역의 사이의 반도체를 통해 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역을 서로 공유하는 가변 캐패시터
8 8
청구항 7에 있어서,상기 제1 게이트 영역끼리 제1 금속선로를 통해 서로 연결되고, 상기 제2 게이트 영역끼리 제2 금속선로를 통해 서로 연결되고, 상기 반도체끼리 제3 금속선로를 통해 서로 연결된 가변 캐패시터
9 9
청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,상기 제1 및 제2 트랜지스터가 PMOS인 경우 상기 복수의 반도체는 P형 반도체로 형성되고, 상기 제1 및 제2 트랜지스터가 NMOS인 경우 상기 복수의 반도체는 N형 반도체로 형성되는 가변 캐패시터
10 10
청구항 7에 있어서,상기 제1 트랜지스터의 경우 상기 제1 게이트 영역에 대해 상부의 반도체가 상기 드레인 영역이고 하부의 반도체가 상기 소스 영역이면, 상기 제2 트랜지스터의 경우 상기 제2 게이트 영역에 대해 상부의 반도체가 상기 소스 영역이고 하부의 반도체가 상기 드레인 영역이고,상기 제1 트랜지스터의 경우 상기 제1 게이트 영역에 대해 상부의 반도체가 상기 소스 영역이고 하부의 반도체가 상기 드레인 영역이면, 상기 제2 트랜지스터의 경우 상기 제2 게이트 영역에 대해 상부의 반도체가 상기 드레인 영역이고 하부의 반도체가 상기 소스 영역인 가변 캐패시터
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3 US9685908 US 미국 DOCDBFAMILY
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1 산업통상자원부 광운대학교산학협력단 산업원천기술개발사업 IoT향 다중대역 RF MEMS 소자 원천기술 개발