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크기 조절이 가능한 그래핀 양자점 및 이의 제조 방법(GRAPHENE QUANTUM DOT WITH CONTROLLABLE SIZE AND PREPARING METHOD OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016016495
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 크기 조절이 가능한 그래핀 양자점, 및 상기 그래핀 양자점의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/65 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01)
출원번호/일자 1020150030390 (2015.03.04)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0107531 (2016.09.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 츄이펑 중국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2015-0214453-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0077712-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0584524-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0940216-03
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0940224-68
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0066509-99
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.02.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0139829-37
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0139814-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0169102-58
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀 옥사이드와 산의 혼합물을 수득하고,상기 혼합물을 수열 처리함으로써 그래핀 양자점을 수득하는 것을 포함하는, 그래핀 양자점의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산은 질산, 황산, 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 양자점의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 산의 양에 따라 상기 그래핀 양자점의 크기가 조절되는 것인, 그래핀 양자점의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 산의 양이 증가할수록 상기 그래핀 양자점의 크기가 작아지는 것인, 그래핀 양자점의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 그래핀 양자점의 크기가 1 nm 내지 50 nm의 범위에서 조절되는 것인, 그래핀 양자점의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 수열 처리 전, 초음파 처리하여 상기 혼합물을 균질하게 하는 단계를 추가 포함하는, 그래핀 양자점의 제조 방법
7 7
제 2 항에 있어서,상기 그래핀 양자점은 상기 산에 의하여 질소 또는 황 도핑되는 것인, 그래핀 양자점의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 성균관대학교 산학협력단 리더연구자지원사업_창의적연구사업 3단계 3/3차 기능성 분자메모리 연구단