| 1 |
1
알루미늄층을 준비하는 단계;상기 알루미늄층을 양극 산화(anodic oxidation)하여, 상기 알루미늄층의 적어도 일부분을 복수의 블라인드 홀을 가지는 양극 산화 알루미늄 산화물층으로 형성하는 단계;상기 블라인드 홀의 적어도 일부분을 채우도록, 상기 양극 산화 알루미늄 산화물층 상에 이산화 티타늄층을 형성하는 단계; 및상기 양극 산화 알루미늄 산화물층 및 잔류하는 상기 알루미늄층을 제거하여 상기 이산화 티타늄층으로 구성되는 이산화 티타늄 나노 구조체를 형성하는 단계;를 포함하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 양극 산화 알루미늄 산화물층이 가지는 상기 복수의 블라인드 홀은 육각 배열 구조를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서,상기 알루미늄층의 적어도 일부분을 상기 양극 산화 알루미늄 산화물층으로 형성하는 단계는,
상기 알루미늄층을 1차 양극 산화를 수행하여 상기 알루미늄층의 상측 일부분을 예비 양극 산화 알루미늄 산화물층으로 형성하는 단계;
상기 예비 양극 산화 알루미늄 산화물층을 제거하는 단계; 및
상기 예비 양극 산화 알루미늄 산화물층이 제거된 상기 알루미늄층을 2차 양극 산화를 수행하여 상기 양극 산화 알루미늄층의 상면으로부터 내부로 연장되는 복수의 블라인드 홀을 가지는 상기 양극 산화 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 1차 양극 산화를 수행하기 전에,상기 복수의 블라인드 홀에 대응하는 상기 알루미늄층의 상면의 일부분들에 표면 처리를 하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서,상기 이산화 티타늄층을 형성하는 단계는,상기 이산화 티타늄층이 상기 복수의 블라인드 홀을 모두 채우도록, 상기 양극 산화 알루미늄 산화물층 상에 상기 이산화 티타늄층을 형성하고, 상기 이산화 티타늄 나노 구조체는 이산화 티타늄 나노 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서,상기 이산화 티타늄층을 형성하는 단계는,상기 복수의 블라인드 홀의 내면을 덮되, 상기 복수의 블라인드 홀 내에 각각 리세스 공간을 한정하도록, 양극 산화 알루미늄 산화물층 상에 제1 이산화 티타늄층을 형성하는 단계; 및상기 제1 이산화 티타늄층 상에 제2 이산화 티타늄층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제2 이산화 티타늄층을 형성하는 단계는, 상기 제1 이산화 티타늄층과 상기 제2 이산화 티타늄층 사이에 기공부를 가지도록 하며,상기 이산화 티타늄 나노 구조체는 이산화 티타늄 나노 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 제2 이산화 티타늄층은, 상기 제1 이산화티타늄층을 형성하는 방법보다 낮은 단차 피복성을 가지는 방법에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 8 |
8
제6 항에 있어서,상기 기공부는, 상기 이산화 티타늄 나노 튜브의 연장 방향을 따라서 균일한 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,이산화 티타늄층을 형성하는 단계는, 상기 이산화 티타늄층이 아나타제 상을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 이산화 티타늄 나노 구조체 형성 방법
|
