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도광판, 광학시트 및 백라이트 유닛.(Light guide plate, optical sheet and backlight unit)

  • 기술번호 : KST2016018045
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예에 따른 도광판은, 다수의 양자점; 및 상기 양자점과 이격되어 배치되는 다수의 금속나노입자를 포함한다.
Int. CL G02F 1/1335 (2006.01) F21V 8/00 (2016.01)
CPC G02B 6/0013(2013.01) G02B 6/0013(2013.01)
출원번호/일자 1020150049301 (2015.04.07)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0120413 (2016.10.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창희 대한민국 서울 송파구
2 박명진 대한민국 서울 송파구
3 정희영 대한민국 서울 관악구
4 송형준 대한민국 서울시 동작구
5 권용원 대한민국 경북 영천시
6 이연경 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이피에스 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, *층 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0340922-77
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0500125-95
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0891482-92
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0891481-46
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0017139-61
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.06 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0224695-88
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0224653-71
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2017.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0036466-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0339265-22
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0339263-31
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0053995-07
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0583326-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다수의 양자점; 및상기 양자점과 이격되어 배치되는 다수의 금속나노입자를 포함하는 도광판
2 2
제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 표면 플라즈몬 현상을 일으키는 도광판
3 3
제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 20nm 내지 200nm의 직경을 가지는 도광판
4 4
제1항에 있어서,상기 다수의 양자점과 상기 금속나노입자의 평균이격거리는 1nm 내지 1000nm인 도광판
5 5
제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 1% 내지 5%의 면적비로 균질하게 분포되는 도광판
6 6
제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 은으로 형성되는 도광판
7 7
제1항에 있어서,상기 금속나노입자는 구형, 육면체 또는 테트라포드형상을 가지는 도광판
8 8
다수의 양자점; 및상기 양자점과 이격되어 배치되는 다수의 금속나노입자를 포함하는 광학시트
9 9
제8항에 있어서,상기 금속나노입자는 표면 플라즈몬 현상을 일으키는 광학시트
10 10
제8항에 있어서,상기 금속나노입자는 20nm 내지 200nm의 직경을 가지는 광학시트
11 11
제8항에 있어서,상기 다수의 양자점과 상기 금속나노입자의 평균이격거리는 1nm 내지 1000nm인 광학시트
12 12
제8항에 있어서,상기 금속나노입자는 1% 내지 5%의 면적비로 균질하게 분포되는 광학시트
13 13
제8항에 있어서,상기 금속나노입자는 은으로 형성되는 광학시트
14 14
제8항에 있어서,상기 금속나노입자는 구형, 육면체 또는 테트라포드형상을 가지는 광학시트
15 15
광원;상기 광원으로부터의 광을 면광으로 변환하는 도광판; 및상기 도광판으로부터의 면광을 확산하는 광학시트를 포함하고,상기 도광판 및 광학시트 중 적어도 어느 하나는 다수의 양자점 및 다수의 금속나노입자를 포함하는 백라이트 유닛
16 16
제15항에 있어서,상기 도광판 및 광학시트는 서로 다른 파장으로 광을 변환하는 양자점을 가지는 백라이트 유닛
17 17
제15항에 있어서,상기 광학시트는 확산시트를 포함하고,상기 다수의 양자점 및 다수의 금속나노입자는 상기 확산시트에 형성되는 도광판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교산학협력단 글로벌프론티어연구개발사업 삼차원 멀티스케일 광에너지 기술
2 산업통상자원부 서울대학교산학협력단 산업융합원천기술개발사업 고성능(이동도 70cm2/Vs)황 화합물계 반도체 백플레인 및 카드뮴이 없는 고효율(발광효율 30cd/A) 유무기 하이브리드 EL소재/소자 원천 기술 개발